【摩托罗拉半导体技术资料MC14599请参阅第6-1748位总线兼容锁存器的MC14597B和MC14】,IC型号MC14597,MC14597 PDF资料,MC14597经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14599

请参阅第6-174

8位总线兼容锁存器

的MC14597B和MC14598B是8位闩锁， 1处理用

内部计数器和其它与外部二进制地址寻址。

8个锁存输出高驱动器，三态和总线兼容。该

驱动能力允许与MPU系统，如直接申请

摩托罗拉公司6800家。

用MC14597B ，一个3位的地址计数器（时钟上的下降沿

增量）选择适当的锁存器。在MC14598B的锁存器

通过地址引脚， A0，A1和A2进行访问。一个完整的标志设置在

的MC14597B以指示地址计数器的位置。

当启用是在是并行可从锁存器的所有8个输出

低状态。数据被输入到从数据引脚选定锁存时

频闪高。主复位可在两个部分。

串行数据输入

三态总线兼容并行输出

三态控制引脚（启用） TTL兼容输入

开漏满标志（多舌针， O型圈）

主复位

在所有的电平转换输入，除了启用

二极管保护 - 所有输入

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

能驱动TTL在额定温度范围

扇出如下：

1 TTL负载

4输入通道负载

方框图

2

RESET

逻辑

4启用

MC14597B

MC14598B

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14597BCP

MC14597BCL

MC14597BDW

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

L结尾

陶瓷的

CASE 726

MC14597B

RESET

D0

RESET

3

6

8

锁存器

三

状态

产量

缓冲器

1

15

14

13

12

11

10

9

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D0

RESET

P后缀

塑料

CASE 707

数据

频闪

3–BIT

地址

计数器

7

增量

VDD = 16

VSS = 8

满

逻辑

5

满

地址

解码器

数据

启用

满

频闪

增量

VSS

订购信息

MC14598BCP

MC14598BCL

塑料

陶瓷的

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

1

2

3

4

5

6

7

8

9

18

17

16

15

14

13

12

11

10

VDD

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

A2

MC14598B

启用

4

RESET

数据

频闪

A0 7

A1 8个地址

A2 10解码器

VDD = 18

VSS = 9

2

3

6

8

锁存器

1

17

三

16

状态

15

产量

14

缓冲器

13

12

11

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

产量

真值表

启用

1

0

输出

高阻抗

Dn

数据

启用

NC

频闪

A0

A1

VSS

第n个锁存器DN =国家

NC =无连接

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14597B MC14598B

1

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

VIN

VOUT

IIN，糊涂人

PD

TSTG

TL

参数

直流电源电压

价值

单位

V

mA

mW

- 0.5 + 18.0

输入电压，使能（ DC或瞬态）

输入电压，所有其它输入

（ DC或瞬态）

输出电压（ DC或瞬态）

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

焊接温度（ 8秒焊接）

- 0.5 VDD + 0.5

- 0.5 VDD + 12

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

- 65至+ 150

260

该器件包含保护电路，

警惕损害，由于高静

电压或电场。然而，预

注意事项必须注意避免应用

超过最大额定电压较高的任何电压

年龄这个高阻抗电路。为了正确

操作中， Vin和Vout的应受限制

到的范围内的VSS

（ VIN或VOUT ）

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个

适当的逻辑电平（例如，是VSS

或VDD ）。未使用的输出必须悬空。

v

_

C

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ C 65

_

C至125

_

C陶瓷

“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

民

—

– 55

_

C

25

_

C

0

125

_

C

最大

民

—

典型值＃

最大

民

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

—

0.8

1.6

2.4

—

0.05

—

0.8

1.6

2.4

—

0.05

—

0.8

1.6

2.4

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压** - 启用“ 0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输入电压

“0”电平

其他投入

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

（ VO = 0.5或4.5伏）， “1”电平

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

来源

（满 - 水槽专用）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

三态泄漏电流

输入电容（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

**总电源电流以

**外部

负载电容

**130

pF

SINK

VOH

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

5.0

10

15

1.1

2.2

3.4

1.9

3.1

4.3

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

VDC

VIL

VDC

VIH

VDC

—

VDC

5.0

10

15

—

3.5

7.0

11

1.5

3.0

4.0

—

3.5

7.0

11

2.25

4.50

6.75

2.75

5.50

8.25

1.5

3.0

4.0

—

3.5

7.0

11

1.5

3.0

4.0

—

VDC

VIL

VIH

5.0

10

15

IOH

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

—

5.0

10

15

5.0

10

– 1.0

—

1.6

—

–

—

±

0.1

±

0.1

—

5.0

10

20

– 1.0

—

1.6

—

– 2.0

– 6.0

– 12

3.2

6.0

12

±

0.00001

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

±

0.1

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 1.0

—

1.6

—

±

1.0

±

3.0

—

150

300

600

MADC

IIN

ITL

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT = （ 2.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 4.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 6.0

μA /千赫）

F + IDD

数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

IT

μAdc

MC14597B MC14598B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ TA = 25

_

C， CL = 130 pF的+ 1 TTL负载）

特征

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

亿千瓦时，

TWL

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

TSU

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

th

5.0

10

15

5.0

10

15

TREM

5.0

10

15

100

50

35

100

50

35

20

50

25

20

50

25

20

– 25

– 15

– 10

—

ns

100

50

35

200

100

70

400

200

170

50

25

20

100

50

35

200

100

85

—

ns

所有类型

典型值＃

100

50

40

160

125

100

200

100

80

200

100

80

175

90

70

160

120

80

100

50

40

100

50

40

150

80

50

民

—

320

240

160

200

100

80

200

100

80

300

160

100

最大

200

100

80

ns

320

250

200

400

200

160

400

200

160

350

180

140

ns

—

ns

单位

ns

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.2纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.16纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

传播延迟时间

使能到输出

tPLH的，

的TPH1

选通输出

闸门全部（仅MC14597B ）

复位输出

脉冲宽度

启用

频闪

增量（ MC14597B只）

RESET

建立时间

数据

地址（ MC14598B只）

增量（ MC14597B只）

保持时间

数据

地址（ MC14598B只）

复位移走时间

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14597B MC14598B

3

MC14597B功能图

VDD

ENABLE 4

其他

锁存器

VDD

R

Q

CLK

6频闪

VDD

5 FULL

RESET 2

数据3

1 D0

其他

锁存器

七

SELECT

R

3级计数器

和解码器

CLK

7增量

零

SELECT

一个锁存器

VSS

15

14

13

12

11

10

9

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

增加7锁存器

MC14597B时序图

D6 （内部）

D7 （内部）

TWL

增量

数据

频闪

tW

满

TREM

50%

tW

tTLH

Dn

1

的TPH1

满

10%

90%

TTHL

10%

20纳秒

90%

TSU

th

10%

20纳秒

90%

的TPH1

TSU

10%

亿千瓦时

RESET

注意：启用高的状态。

启用

*

TWL

*

* 1.4 V与VDD = 5.0 V

注意事项：

1.高阻抗输出状态（其他设备控制总线）。

2.复位高的状态。

MC14597B MC14598B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14598B功能图

RESET 2

VDD

数据3

其他

锁存器

6频闪

1 D0

ENABLE 4

每个锁存器

其他

锁存器

A0 7

A1 8

A2 10

（ M.S.B ）

地址

解码器

增加7锁存器

零

SELECT

VSS

17

16

15

14

13

12

11

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

MC14598B时序图

90%

10%

TTHL

D7

TPLH

RESET

tW

A0, A1, A2

1

50%

的TPH1

tTLH

20纳秒

50%

TSU日

数据

频闪

启用

*

tW

* 1.4 V与VDD = 5.0 V

注意事项：

1.高阻抗输出状态（其他设备控制总线）。

2.输出负载为MC14597B 。

90%

10%

20纳秒

TSU

50%

90%

10%

20纳秒

tW

th

90%

10%

TPLH

90%

10%

50%

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14597B MC14598B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14599

请参阅第6-174

8位总线兼容锁存器

的MC14597B和MC14598B是8位闩锁， 1处理用

内部计数器和其它与外部二进制地址寻址。

8个锁存输出高驱动器，三态和总线兼容。该

驱动能力允许与MPU系统，如直接申请

摩托罗拉公司6800家。

用MC14597B ，一个3位的地址计数器（时钟上的下降沿

增量）选择适当的锁存器。在MC14598B的锁存器

通过地址引脚， A0，A1和A2进行访问。一个完整的标志设置在

的MC14597B以指示地址计数器的位置。

当启用是在是并行可从锁存器的所有8个输出

低状态。数据被输入到从数据引脚选定锁存时

频闪高。主复位可在两个部分。

串行数据输入

三态总线兼容并行输出

三态控制引脚（启用） TTL兼容输入

开漏满标志（多舌针， O型圈）

主复位

在所有的电平转换输入，除了启用

二极管保护 - 所有输入

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

能驱动TTL在额定温度范围

扇出如下：

1 TTL负载

4输入通道负载

方框图

2

RESET

逻辑

4启用

MC14597B

MC14598B

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14597BCP

MC14597BCL

MC14597BDW

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

L结尾

陶瓷的

CASE 726

MC14597B

RESET

D0

RESET

3

6

8

锁存器

三

状态

产量

缓冲器

1

15

14

13

12

11

10

9

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D0

RESET

P后缀

塑料

CASE 707

数据

频闪

3–BIT

地址

计数器

7

增量

VDD = 16

VSS = 8

满

逻辑

5

满

地址

解码器

数据

启用

满

频闪

增量

VSS

订购信息

MC14598BCP

MC14598BCL

塑料

陶瓷的

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

1

2

3

4

5

6

7

8

9

18

17

16

15

14

13

12

11

10

VDD

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

A2

MC14598B

启用

4

RESET

数据

频闪

A0 7

A1 8个地址

A2 10解码器

VDD = 18

VSS = 9

2

3

6

8

锁存器

1

17

三

16

状态

15

产量

14

缓冲器

13

12

11

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

产量

真值表

启用

1

0

输出

高阻抗

Dn

数据

启用

NC

频闪

A0

A1

VSS

第n个锁存器DN =国家

NC =无连接

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14597B MC14598B

1

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

VIN

VOUT

IIN，糊涂人

PD

TSTG

TL

参数

直流电源电压

价值

单位

V

mA

mW

- 0.5 + 18.0

输入电压，使能（ DC或瞬态）

输入电压，所有其它输入

（ DC或瞬态）

输出电压（ DC或瞬态）

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

焊接温度（ 8秒焊接）

- 0.5 VDD + 0.5

- 0.5 VDD + 12

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

- 65至+ 150

260

该器件包含保护电路，

警惕损害，由于高静

电压或电场。然而，预

注意事项必须注意避免应用

超过最大额定电压较高的任何电压

年龄这个高阻抗电路。为了正确

操作中， Vin和Vout的应受限制

到的范围内的VSS

（ VIN或VOUT ）

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个

适当的逻辑电平（例如，是VSS

或VDD ）。未使用的输出必须悬空。

v

_

C

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ C 65

_

C至125

_

C陶瓷

“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

民

—

– 55

_

C

25

_

C

0

125

_

C

最大

民

—

典型值＃

最大

民

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

—

0.8

1.6

2.4

—

0.05

—

0.8

1.6

2.4

—

0.05

—

0.8

1.6

2.4

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压** - 启用“ 0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输入电压

“0”电平

其他投入

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

（ VO = 0.5或4.5伏）， “1”电平

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

来源

（满 - 水槽专用）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

三态泄漏电流

输入电容（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

**总电源电流以

**外部

负载电容

**130

pF

SINK

VOH

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

5.0

10

15

1.1

2.2

3.4

1.9

3.1

4.3

4.95

9.95

14.95

—

2.0

6.0

10

VDC

VIL

VDC

VIH

VDC

—

VDC

5.0

10

15

—

3.5

7.0

11

1.5

3.0

4.0

—

3.5

7.0

11

2.25

4.50

6.75

2.75

5.50

8.25

1.5

3.0

4.0

—

3.5

7.0

11

1.5

3.0

4.0

—

VDC

VIL

VIH

5.0

10

15

IOH

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

—

5.0

10

15

5.0

10

– 1.0

—

1.6

—

–

—

±

0.1

±

0.1

—

5.0

10

20

– 1.0

—

1.6

—

– 2.0

– 6.0

– 12

3.2

6.0

12

±

0.00001

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

±

0.1

±

0.1

7.5

5.0

10

20

– 1.0

—

1.6

—

±

1.0

±

3.0

—

150

300

600

MADC

IIN

ITL

CIN

国际直拨电话

μAdc

pF

μAdc

IT = （ 2.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 4.0

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 6.0

μA /千赫）

F + IDD

数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

IT

μAdc

MC14597B MC14598B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ TA = 25

_

C， CL = 130 pF的+ 1 TTL负载）

特征

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

亿千瓦时，

TWL

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

TSU

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

th

5.0

10

15

5.0

10

15

TREM

5.0

10

15

100

50

35

100

50

35

20

50

25

20

50

25

20

– 25

– 15

– 10

—

ns

100

50

35

200

100

70

400

200

170

50

25

20

100

50

35

200

100

85

—

ns

所有类型

典型值＃

100

50

40

160

125

100

200

100

80

200

100

80

175

90

70

160

120

80

100

50

40

100

50

40

150

80

50

民

—

320

240

160

200

100

80

200

100

80

300

160

100

最大

200

100

80

ns

320

250

200

400

200

160

400

200

160

350

180

140

ns

—

ns

单位

ns

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 35纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.2纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.16纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

传播延迟时间

使能到输出

tPLH的，

的TPH1

选通输出

闸门全部（仅MC14597B ）

复位输出

脉冲宽度

启用

频闪

增量（ MC14597B只）

RESET

建立时间

数据

地址（ MC14598B只）

增量（ MC14597B只）

保持时间

数据

地址（ MC14598B只）

复位移走时间

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14597B MC14598B

3

MC14597B功能图

VDD

ENABLE 4

其他

锁存器

VDD

R

Q

CLK

6频闪

VDD

5 FULL

RESET 2

数据3

1 D0

其他

锁存器

七

SELECT

R

3级计数器

和解码器

CLK

7增量

零

SELECT

一个锁存器

VSS

15

14

13

12

11

10

9

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

增加7锁存器

MC14597B时序图

D6 （内部）

D7 （内部）

TWL

增量

数据

频闪

tW

满

TREM

50%

tW

tTLH

Dn

1

的TPH1

满

10%

90%

TTHL

10%

20纳秒

90%

TSU

th

10%

20纳秒

90%

的TPH1

TSU

10%

亿千瓦时

RESET

注意：启用高的状态。

启用

*

TWL

*

* 1.4 V与VDD = 5.0 V

注意事项：

1.高阻抗输出状态（其他设备控制总线）。

2.复位高的状态。

MC14597B MC14598B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14598B功能图

RESET 2

VDD

数据3

其他

锁存器

6频闪

1 D0

ENABLE 4

每个锁存器

其他

锁存器

A0 7

A1 8

A2 10

（ M.S.B ）

地址

解码器

增加7锁存器

零

SELECT

VSS

17

16

15

14

13

12

11

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

MC14598B时序图

90%

10%

TTHL

D7

TPLH

RESET

tW

A0, A1, A2

1

50%

的TPH1

tTLH

20纳秒

50%

TSU日

数据

频闪

启用

*

tW

* 1.4 V与VDD = 5.0 V

注意事项：

1.高阻抗输出状态（其他设备控制总线）。

2.输出负载为MC14597B 。

90%

10%

20纳秒

TSU

50%

90%

10%

20纳秒

tW

th

90%

10%

TPLH

90%

10%

50%

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14597B MC14598B

5