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MC14585B
4位数值比较器
该MC14585B 4位幅度比较器与建造
互补MOS (CMOS)增强型器件。该电路
有八个比较输入端( A3,B3, A2,B2, A1,B1, A0,B0 ),三
级联输入(A < B, A = B,和A > B) ,和三个输出(A < B,
A = B ,和A > B) 。该器件比较两个4位字( A和B)
并确定它们是否是“小于” , “等于”或“大于
比“由高级别上的相应输出。单词大于
4位,单位可以通过连接输出(A > B) , (A < B)进行级联,
和(A = B)与下一个显著的相应输入端
比较器。在最显著输入(A < B) , (A = B)和(A > B)
(第一)比较器分别连接到低,高和低。
应用包括逻辑在CPU的,校正和/或检测的
仪器的条件下,比较测试中,转换器和
控制。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
MC14585BCP
AWLYYWWG
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
在所有输入端保护二极管
可扩展
适用于二进制或8421 -BCD码
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
可级联 - 参见图3
无铅包可用*
最大额定值
(电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
每个封装功耗(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
16
14585BG
AWLYWW
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
16
MC14585B
ALYWG
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MC14585BCP
MC14585BCPG
MC14585BD
MC14585BDG
MC14585BDR2
MC14585BDR2G
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
航运
25单位/铁
25单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:塑料“P和D / DW ”
包: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
MC14585BFEL
MC14585BFELG
SOEIAJ - 16 2000 /磁带&卷轴
SOEIAJ - 16 2000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
MC14585B/D
1
2006年6月 - 修订版6
MC14585B
引脚分配
B2
A2
( A = B)
OUT
(A
u
B)
in
(A
t
B)
in
( A = B)
in
A1
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
A3
B3
(A
u
B)
OUT
(A
t
B)
OUT
B0
A0
B1
4
6
5
10
11
7
9
2
1
15
14
框图
( A>B )
in
( A = B)
in
( A<B )
in
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
( A>B )
OUT
13
( A = B)
OUT
3
( A<B )
OUT
12
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
真值表
( X =无关)
输入
比较
A3,B3
A3 > B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 < B3
A2,B2
x
A2 B2 >
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 B2 <
x
A1,B1
x
x
A1 B1 >
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 B1 <
x
x
A0,B0
x
x
x
A0 > B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 < B0
x
x
x
x
x
x
x
0
0
1
1
x
x
x
x
级联
A<B
A-B
x
x
x
x
0
1
0
1
x
x
x
x
A>B
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
A<B
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
输出
A-B
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
A>B
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
http://onsemi.com
2
MC14585B
电气特性
(电压参考V
SS
)
– 55_C
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
4.95
9.95
14.95
最大
4.95
9.95
14.95
典型值
(注2 )
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容(V
in
= 0)
静态电流(每包)
V
IL
V
OH
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流(注3,4)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
I
T
I
T
= (0.6
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.2
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.8
毫安/千赫)
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:我
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF,
V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
开关特性
(注5 ) (C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值
(注6 )
100
50
40
430
180
130
最大
200
100
80
ns
860
360
260
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 9.5纳秒
导通,关断延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 345纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 147纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 105纳秒
t
PLH
,
t
PHL
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
http://onsemi.com
3
MC14585B
20纳秒
20纳秒
A3
1
2f
B3
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
V
OH
( A = B)
OUT
V
OL
V
OH
( A<B )
OUT
V
OL
( A<B )
OUT
t
TLH
20纳秒
90%
B0
t
PLH
90%
50%
10%
t
THL
V
OL
50%
10%
t
PHL
V
SS
V
OH
20纳秒
V
DD
( A>B )
OUT
输入( A>B )和(A = B )高,投入B2 , A2 , B1 ,
A1 , B0 , A0和( A<B )低。
中f相对于系统时钟。
输入( A>B )和(A = B)的高,并且输入B3 ,A3 ,B2
A2,B1 ,A1,A0 ,和( A<B )低。
图1.动态功耗
信号波形
图2.动态信号波形
B10
B9
B8
B7
B6
B5
B4
B3
B2
B1
B0
B = B11
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A=
V
SS
V
DD
V
SS
( A<B )
( A = B)
( A>B )
( A<B )
( A = B)
MC14585B
MC14585B
WORD B = B11 , B10 ,
...
, B0.
WORD A = A11 , A10 ,
...
, A0.
( A<B )
( A = B)
输出
( A>B )
图3.级联比较
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4
( A>B )
A3 B3 B2 B1 A2 A1 A0 B0
产量
MC14585B
输入
MC14585B
逻辑图
15
A3
B3
A2
14
2
B2
A1
1
7
12
( A<B )
OUT
B1
A0
9
10
B0
11
5
( A<B )
in
( A = B)
in
( A>B )
in
6
4
3
13
( A = B)
OUT
( A>B )
OUT
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC14585BDG
    -
    -
    -
    -
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电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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ON
23+
32000
C4000 SO_2
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
MC14585BDG
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㊣10/11+
9869
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21+
1000
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ON
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