摩托罗拉
半导体技术资料
MC14585B
4位数值比较器
该MC14585B 4位幅度比较与完井构建
提询MOS（ CMOS）的增强型器件。该电路具有八个
比较输入端（ A3，B3， A2，B2， A1，B1， A0，B0 ），三级联输入
（A < B， A = B，和A > B） ，和三个输出（A < B， A = B，和A > B） 。这
设备比较两个4位字（A和B ），并且确定它们是否
是在相应的“小于” ， “等于”或“大于”通过高级别
输出。单词大于4位，单元可以通过连接进行级联
（A > B） ， （A < B）和（ A = B）输出到下一个相应的输入
显著比较。在至少输入（A < B） ， （A = B）和（A > B）
显著（第一）比较器被连接到低，高和低，
分别。
应用包括逻辑在CPU的，校正和/或检测的
仪器的条件下，比较测试中，转换器和控制器。
在所有输入端保护二极管
可扩展
适用于二进制或8421 -BCD码
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
可级联 - 见图。 3
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
价值
单位
V
V
mA
mW
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
焊接温度（ 8秒焊接）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
- 65至+ 150
260
框图
4
6
5
10
11
7
9
2
1
15
14
（A > B）在
（ A = B）在
（A < B）在
A0
B0
A1
B1
A2
B2
A3
B3
（A > B）出
13
（ A = B）出
3
_
C
_
C
（A < B）出
12
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
真值表
（ X =无关）
输入
比较
A3，B3
A3 > B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3 < B3
REV 3
1/94
级联
A0，B0
x
x
x
A0 > B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 < B0
x
x
x
A<B
x
x
x
x
0
0
1
1
x
x
x
x
A-B
x
x
x
x
0
1
0
1
x
x
x
x
A>B
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
A<B
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
输出
A-B
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
A>B
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
A2，B2
x
A2 B2 >
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 B2 <
x
A1，B1
x
x
A1 B1 >
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 B1 <
x
x
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14585B
1
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.2
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.8
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.001 。
引脚分配
B2
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
A3
B3
(A
(A
u
B）在
(A
t
B）在
（ A = B）在
A1
VSS
（ A = B）出
u
B）出
(A
t
B）出
B0
A0
B1
MC14585B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
导通，关断延迟时间
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 345纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 147纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 105纳秒
符号
tTLH ，
TTHL
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
典型值＃
100
50
40
430
180
130
最大
200
100
80
860
360
260
单位
ns
tPLH的，
的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
20纳秒
VDD
A3
1
2f
B3
VSS
VOH
（A > B）出
VOL
VOH
（ A = B）出
VOL
VOH
（A < B）出
VOL
tTLH
输入（ A>B ）和（A = B ）高，投入B2 ， A2 ， B1 ，
A1 ， B0 ， A0和（ A<B ）低。
中f相对于系统时钟。
（A < B）出
TPLH
90%
50%
10%
TTHL
VOL
B0
10%
的TPH1
90%
50%
VSS
VOH
20纳秒
20纳秒
VDD
VSS
VDD
输入（ A>B ）和（A = B）的高，并且输入B3 ，A3 ，B2
A2，B1 ，A1，A0 ，和（ A<B ）低。
图1.动态功耗
信号波形
图2.动态信号波形
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，
必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗
电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ） 。未使用的输出必须
悬空。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14585B
3
字
B10
B9
B8
B7
B6
B5
B4
B3
B2
B1
B0
B = B11
字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A=
VSS VDD VSS
（ A<B ）
（ A = B）
（ A>B ）
12
（ A<B ）
（ A = B）
（ A>B ）
A3 B3 B2 B1 A2 A1 A0 B0
产量
MC14585B
输入
MC14585B
MC14585B
WORD B = B11 ， B10 ， ... ， B0 。
WORD A = A11 ， A10 ， ... ， A0 。
（ A<B ）
（ A = B）
输出
（ A>B ）
图3.级联比较
逻辑图
A3
15
B3
A2
14
2
B2
A1
1
7
（A < B）出
B1
A0
9
10
B0
11
（A < B）在
（ A = B）在
（A > B）在
5
3
6
13
（ A = B）出
4
（A > B）出
MC14585B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14585B
4位幅度
比较
该MC14585B 4位幅度比较器与建造
互补MOS （CMOS）增强型器件。该
电路具有8比较输入端（ A3，B3， A2，B2， A1，B1， A0，B0 ） ，
3级联输入（A < B， A = B，和A > B） ，和三个输出（A
< B， A = B，和A > B） 。该器件比较两个4位字（ A和
乙），并确定它们是否是“小于” ， “等于”或“大于
比“由高级别上的相应输出。单词大于
4位，单位可以通过连接输出（A > B） ， （A < B）进行级联，
和（A = B）与下一个显著的相应输入端
比较器。在至少输入（A < B） ， （A = B）和（A > B）
显著（第一）比较器被连接到低，高和低，
分别。
应用包括逻辑在CPU的，校正和/或检测的
仪器的条件下，比较测试中，转换器和
控制。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14585BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
MC14585B
AWLYWW
14585B
AWLYWW
在所有输入端保护二极管
可扩展
适用于二进制或8421 -BCD码
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
可级联 - 见图。 3
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
订购信息
设备
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
mA
mW
MC14585BCP
MC14585BD
MC14585BDR2
°C
°C
°C
MC14585BF
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14585B/D
MC14585B
电气特性
（电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值
(4.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
T
I
T
= (0.6
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.2
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.8
μA /千赫）
F +我
DD
μAdc
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
http://onsemi.com
3
MC14585B
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
导通，关断延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 345纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 147纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 105纳秒
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
典型值
(8.)
100
50
40
430
180
130
最大
200
100
80
860
360
260
单位
ns
t
PLH
,
t
PHL
ns
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
20纳秒
V
DD
A3
1
2f
B3
V
SS
V
OH
（ A＆ GT ; B）
OUT
V
OL
V
OH
（ A = B）
OUT
V
OL
V
OH
（A < B）
OUT
V
OL
t
TLH
输入（ A>B ）和（A = B ）高，投入B2 ， A2 ， B1 ，
A1 ， B0 ， A0和（ A<B ）低。
中f相对于系统时钟。
（A < B）
OUT
t
PLH
90%
50%
10%
t
THL
V
OL
B0
10%
t
PHL
V
OH
90%
50%
V
SS
20纳秒
20纳秒
V
DD
V
SS
V
DD
输入（ A>B ）和（A = B）的高，并且输入B3 ，A3 ，B2
A2，B1 ，A1，A0 ，和（ A<B ）低。
图1.动态功耗
信号波形
图2.动态信号波形
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4
MC14585B
4位数值比较器
该MC14585B 4位幅度比较器与建造
互补MOS （CMOS）增强型器件。该电路
有八个比较输入端（ A3，B3， A2，B2， A1，B1， A0，B0 ），三
级联输入（A < B， A = B，和A > B） ，和三个输出（A < B，
A = B ，和A > B） 。该器件比较两个4位字（ A和B）
并确定它们是否是“小于” ， “等于”或“大于
比“由高级别上的相应输出。单词大于
4位，单位可以通过连接输出（A > B） ， （A < B）进行级联，
和（A = B）与下一个显著的相应输入端
比较器。在最显著输入（A < B） ， （A = B）和（A > B）
（第一）比较器分别连接到低，高和低。
应用包括逻辑在CPU的，校正和/或检测的
仪器的条件下，比较测试中，转换器和
控制。
特点
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记号
图表
16
MC14585BCP
AWLYYWWG
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
在所有输入端保护二极管
可扩展
适用于二进制或8421 -BCD码
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
可级联 - 参见图3
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
每个封装功耗（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
16
14585BG
AWLYWW
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
16
MC14585B
ALYWG
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MC14585BCP
MC14585BCPG
MC14585BD
MC14585BDG
MC14585BDR2
MC14585BDR2G
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
航运
25单位/铁
25单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW ”
包： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
MC14585BFEL
MC14585BFELG
SOEIAJ - 16 2000 /磁带&卷轴
SOEIAJ - 16 2000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MC14585B/D
1
2006年6月 - 修订版6
MC14585B
电气特性
（电压参考V
SS
)
– 55_C
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容（V
in
= 0)
静态电流（每包）
V
IL
V
OH
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
I
T
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.2
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
430
180
130
最大
200
100
80
ns
860
360
260
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
导通，关断延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 345纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 147纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 105纳秒
t
PLH
,
t
PHL
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
http://onsemi.com
3
MC14585B
20纳秒
20纳秒
A3
1
2f
B3
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
V
OH
（ A = B）
OUT
V
OL
V
OH
（ A<B ）
OUT
V
OL
（ A<B ）
OUT
t
TLH
20纳秒
90%
B0
t
PLH
90%
50%
10%
t
THL
V
OL
50%
10%
t
PHL
V
SS
V
OH
20纳秒
V
DD
（ A>B ）
OUT
输入（ A>B ）和（A = B ）高，投入B2 ， A2 ， B1 ，
A1 ， B0 ， A0和（ A<B ）低。
中f相对于系统时钟。
输入（ A>B ）和（A = B）的高，并且输入B3 ，A3 ，B2
A2，B1 ，A1，A0 ，和（ A<B ）低。
图1.动态功耗
信号波形
图2.动态信号波形
字
B10
B9
B8
B7
B6
B5
B4
B3
B2
B1
B0
B = B11
字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A=
V
SS
V
DD
V
SS
（ A<B ）
（ A = B）
（ A>B ）
（ A<B ）
（ A = B）
MC14585B
MC14585B
WORD B = B11 ， B10 ，
...
, B0.
WORD A = A11 ， A10 ，
...
, A0.
（ A<B ）
（ A = B）
输出
（ A>B ）
图3.级联比较
http://onsemi.com
4
（ A>B ）
A3 B3 B2 B1 A2 A1 A0 B0
产量
MC14585B
输入
QQ：2880707522 复制
