MC14584B
六角施密特触发器
该MC14584B六角施密特触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些设备发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。该MC14584B
可代替MC14069UB六角逆变器可用于增强
抗噪声能力，以“方达”慢慢改变波形。
特点
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记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14584BG
AWLYWW
MC14584BCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
可用于替换MC14069UB
对于大滞后，使用MC14106B是引脚对引脚
替代CD40106B和MM74Cl4
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
14
14
584B
ALYWG
G
1
14
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
MC14584B
ALYWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14584B/D
MC14584B
引脚分配
IN 1
出1
IN 2
输出2
IN 3
OUT 3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
在6
出6
在5
5
在4
出4
9
11
13
V
DD
= 14针
V
SS
= 7针
8
10
12
5
6
1
3
逻辑图
2
4
EQIVALENT电路原理图
（电路的1/6所示）
订购信息
设备
MC14584BCP
MC14584BCPG
MC14584BD
MC14584BDG
MC14584BDR2
MC14584BDR2G
MC14584BDTR2
MC14584BDTR2G
MC14584BF
MC14584BFG
MC14584BFEL
MC14584BFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC14584B
电气特性
（电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
55_C
25_C
125_C
最大
民
典型值
(2)
0
0
0
最大
民
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
V
in
= 0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
±
0.1
7.5
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
±
1.0
7.5
15
30
MADC
“1”电平
V
OH
4.95
9.95
14.95
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
4.95
9.95
14.95
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
5.0
10
15
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.0005
0.0010
0.0015
4.95
9.95
14.95
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
VDC
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(3) (4)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
滞后电压
来源
I
OH
MADC
SINK
I
OL
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
I
T
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.4
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
V
H (5)
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
0.27
0.36
0.77
1.9
3.4
5.2
1.6
3.0
4.5
1.0
1.3
1.7
3.5
7.0
10.6
3.3
6.7
9.7
0.25
0.3
0.6
1.8
3.3
5.2
1.6
3.0
4.6
0.6
0.7
1.1
2.7
5.3
8.0
2.1
4.6
6.9
1.0
1.2
1.5
3.4
6.9
10.5
3.2
6.7
9.8
0.21
0.25
0.50
1.7
3.2
5.2
1.5
3.0
4.7
1.0
1.2
1.4
3.4
6.9
10.5
3.2
6.7
9.9
VDC
VDC
阈值电压
正向
V
T+
VDC
负向
V
T–
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
5. V
H
= V
T+
– V
T–
（但是V的最大变化
H
被指定为小于V
T +最大
– V
牛逼 - 分
).
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(6)
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
ns
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
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3
QQ：2881677436 复制
