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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14584B
六角施密特触发器
该MC14584B六角施密特触发器与MOS P沟道构造
并在一个单一的整体结构的N沟道增强型器件。
这些设备发现的主要用途,其中低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。的MC14584B可以代替的使用
MC14069UB六反相器,增强抗噪声能力,以“方达”慢
变化的波形。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
可用于替换MC14069UB
对于大滞后,使用MC14106B是引脚对引脚
替代CD40106B和MM74Cl4
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
- 65至+ 150
260
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
焊接温度( 8秒焊接)
mA
mW
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
逻辑图
1
2
_
C
_
C
3
4
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
5
6
9
8
EQIVALENT电路原理图
(电路的1/6所示)
11
10
13
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
该器件包含保护电路,以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是,必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作, Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平(例如, VSS或VDD) 。未使用的输出必须悬空。
12
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14584B
1
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD
VIN = 0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
±
0.1
7.5
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
±
1.0
7.5
15
30
MADC
“1”电平
VOH
4.95
9.95
14.95
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
4.95
9.95
14.95
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
5.0
10
15
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.0005
0.0010
0.0015
4.95
9.95
14.95
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
VDC
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
输入电流
输入电容
( VIN = 0 )
静态电流
(每包)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
滞后电压
IOH
来源
MADC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = ( 1.8
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 3.6
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 5.4
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
VH ?
5.0
10
15
5.0
10
15
VT-
5.0
10
15
0.27
0.36
0.77
1.9
3.4
5.2
1.6
3.0
4.5
1.0
1.3
1.7
3.5
7.0
10.6
3.3
6.7
9.7
0.25
0.3
0.6
1.8
3.3
5.2
1.6
3.0
4.6
0.6
0.7
1.1
2.7
5.3
8.0
2.1
4.6
6.9
1.0
1.2
1.5
3.4
6.9
10.5
3.2
6.7
9.8
0.21
0.25
0.50
1.7
3.2
5.2
1.5
3.0
4.7
1.0
1.2
1.4
3.4
6.9
10.5
3.2
6.7
9.9
VDC
VDC
阈值电压
正向
VT +
VDC
负向
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.001 。
VH = VT + - VT- (但VH的最大变化量被指定为小于VT +最大 - VT - 分钟)。
MC14584B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
VOUT ,输出电压(VDC )
开关特性
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值#
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
TTHL
ns
传播延迟时间
tPLH的,的TPH1
ns
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
脉冲
发电机
VDD
14
产量
输入
7 VSS
CL
20纳秒
输入
90%
50%
10%
90%
50%
10%
tf
tr
TPLH
20纳秒
VDD
VSS
VOH
VOL
的TPH1
产量
图1.开关时间测试电路和波形
VIN
VH
VIN
VDD
VT +
VT-
VSS
VDD
VOUT
VSS
VOUT
VSS
VIN
VOUT
VH
VDD
VT +
VT-
VSS
VDD
(一)施密特触发器将广场与输入速度慢
上升和下降时间。
( b)一个施密特触发器提供了最大的抗噪性
在门的应用。
图2.典型的施密特触发器应用
VDD
引脚分配
IN 1
出1
IN 2
输出2
IN 3
OUT 3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在6
出6
在5
5
在4
出4
0
0
VT-
VH
VT +
VDD
输入电压,输入电压(VDC )
图3.典型的传输特性
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14584B
3
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
最大
0.750
0.785
0.245
0.280
0.155
0.200
0.015
0.020
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–A–
14
9
–B–
1
7
C
L
–T–
座位
飞机
K
F
D
14 PL
G
0.25 (0.010)
M
N
J
T A
S
14 PL
M
0.25 (0.010)
M
T B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
P后缀
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项:
1. LEADS WITHIN 0.13 ( 0.005 ) RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
MC14584B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
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其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
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摩托罗拉数据表和/或规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,
包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达在其专利的任何许可
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3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
摩托罗拉CMOS逻辑数据
*MC14584B/D*
MC14584B
MC14584B/D
5
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