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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1691页 > MC14582BD
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14582B
先行进座
该MC14582B是CMOS先行进位发生器能
预计在四个二进制加法或加法器组进位。该
设备可以级联,以执行跨n位加法器全前瞻。随身携带,
产生进位,并且传播进位提供功能列举
在管脚指定表所示。
可扩展到任意位号码
所有缓冲输出
低功耗
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
mA
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
焊接温度( 8秒焊接)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
- 65至+ 150
260
mW
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
引脚分配
_
C
_
C
G1
P1
G0
P0
G3
P3
P
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
P2
G2
CIN
道道通+ X
道道通+ Y
G
道道通+ Z
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑方程
CN + X = G0 + ( P0

道道通)
CN + Y = G1 + ( P1

G0 )+( P 1

P0

道道通)
CN + Z = G2 + ( P2

G 1 )+ (P2

P1 G0) + (P2

P1

P0

道道通)
G = G3 + ( P3

G2) + (P3

P2

G 1 )+( P 1

P2

P3

G0)
P = P3

P2

P1

P0
PIN代号
称号
G0, G1, G2, G3
P0, P1, P2, P3
Cn
道道通+ X ,道道通+ Y
道道通+ Z
G
P
PIN不一没有
3, 1, 14, 5
4, 2, 15, 6
13
12, 11, 9
10
7
功能
ACTIVE -LOW
随身生成输入
ACTIVE -LOW
随身携带,传播输入
进位输入
进行输出
低电平有效组
随身生成输出
低电平有效组
进位输出传播
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14582B
1
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
“1”电平
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
输入电流
输入电容
( VIN = 0 )
静态电流
(每包)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
VIL
2.25
4.50
6.75
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = ( 1.4
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 2.8
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 4.3
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.005 。
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过,
必须采取预防措施,以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序,以这种高阻抗
电路。对于正确的操作, Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, VSS或VDD ) 。未使用的输出必须
悬空。
MC14582B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
传播延迟时间
tPLH的,的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 260纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 107纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 85纳秒
符号
tTLH ,
TTHL
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值#
100
50
40
345
140
110
最大
200
100
80
690
280
220
单位
ns
tPLH的,
的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
CIN
G0
20纳秒
VIN
90%
50%
变量
宽度
20纳秒
VDD
10% V
SS
脉冲
发电机
G1
G2
G3
VIN
P0
P1
P2
P3
道道通+ X
道道通+ Y
CL
道道通+ Z
P
CL
G
CL
CL
CL
图1.动态功耗
测试电路和波形
VDD
16
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT = VOH
VDD
16
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT =卷
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
IOH
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
IOL
8
VSS
动力
供应
8
VSS
动力
供应
图2.源电流测试电路
图3.灌电流测试电路
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14582B
3
测试表
AC路径
输入
P0
VDD
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT
G0
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
CL
Cn
道道通+ X ,道道通+ Y,
道道通+ Z
20纳秒
VIN
TPLH
VOUT
tTLH
90%
50%
10%
的TPH1
G
产量
P
直流数据
到VSS
到Vdd
剩余
G的
P的,CN
P的,CN
剩余
G的
p`s
20纳秒
VDD
VSS
VOH
VOL
TTHL
G的
脉冲
发电机
SEE
TEST
VSS
图4.开关时间测试电路和波形
典型应用
MC14581B
道道道道通+ 4
Cn
Cn+4
Cn
Cn+4
道道道道通+ 4
16位ALU ,脉动进
MC14581B
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
16位ALU ,二级前瞻
MC14581B
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn+4
克对
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
克对
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
Cn
G0 P0道道通+ X
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
32位ALU ,两级先行超过16位的组
MC14581B
Cn
Cn+4
Cn+4
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
道道道道通+ 4
Cn
Cn
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1
道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
G1 P1
Cn
MC14582B
道道通+ Y
结合了两种- LEVEL前瞻和纹波进位ALU
MC14581B
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn+4
克对
Cn
克对
克对
G
P
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
CN MC14582B
G0 P0
Cn
道道通+ X
MC14582B
G1 P1
道道通+ Y
64位ALU ,全先行进三个层次。
A和B输入及F输出没有显示( MC14581B ) 。
MC14582B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14582B
5
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14582B
先行进座
该MC14582B是CMOS先行进位发生器能
预计在四个二进制加法或加法器组进位。该
设备可以级联,以执行跨n位加法器全前瞻。随身携带,
产生进位,并且传播进位提供功能列举
在管脚指定表所示。
可扩展到任意位号码
所有缓冲输出
低功耗
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
mA
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
焊接温度( 8秒焊接)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
- 65至+ 150
260
mW
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
引脚分配
_
C
_
C
G1
P1
G0
P0
G3
P3
P
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
P2
G2
CIN
道道通+ X
道道通+ Y
G
道道通+ Z
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑方程
CN + X = G0 + ( P0

道道通)
CN + Y = G1 + ( P1

G0 )+( P 1

P0

道道通)
CN + Z = G2 + ( P2

G 1 )+ (P2

P1 G0) + (P2

P1

P0

道道通)
G = G3 + ( P3

G2) + (P3

P2

G 1 )+( P 1

P2

P3

G0)
P = P3

P2

P1

P0
PIN代号
称号
G0, G1, G2, G3
P0, P1, P2, P3
Cn
道道通+ X ,道道通+ Y
道道通+ Z
G
P
PIN不一没有
3, 1, 14, 5
4, 2, 15, 6
13
12, 11, 9
10
7
功能
ACTIVE -LOW
随身生成输入
ACTIVE -LOW
随身携带,传播输入
进位输入
进行输出
低电平有效组
随身生成输出
低电平有效组
进位输出传播
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14582B
1
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
“1”电平
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
输入电流
输入电容
( VIN = 0 )
静态电流
(每包)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
VIL
2.25
4.50
6.75
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = ( 1.4
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 2.8
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 4.3
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.005 。
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过,
必须采取预防措施,以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序,以这种高阻抗
电路。对于正确的操作, Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, VSS或VDD ) 。未使用的输出必须
悬空。
MC14582B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
传播延迟时间
tPLH的,的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 260纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 107纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 85纳秒
符号
tTLH ,
TTHL
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值#
100
50
40
345
140
110
最大
200
100
80
690
280
220
单位
ns
tPLH的,
的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
CIN
G0
20纳秒
VIN
90%
50%
变量
宽度
20纳秒
VDD
10% V
SS
脉冲
发电机
G1
G2
G3
VIN
P0
P1
P2
P3
道道通+ X
道道通+ Y
CL
道道通+ Z
P
CL
G
CL
CL
CL
图1.动态功耗
测试电路和波形
VDD
16
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT = VOH
VDD
16
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT =卷
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
IOH
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
IOL
8
VSS
动力
供应
8
VSS
动力
供应
图2.源电流测试电路
图3.灌电流测试电路
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14582B
3
测试表
AC路径
输入
P0
VDD
CIN
G0
G1
G2
G3
P0
P1
P2
P3
VOUT
G0
道道通+ X
道道通+ Y
道道通+ Z
P
G
CL
Cn
道道通+ X ,道道通+ Y,
道道通+ Z
20纳秒
VIN
TPLH
VOUT
tTLH
90%
50%
10%
的TPH1
G
产量
P
直流数据
到VSS
到Vdd
剩余
G的
P的,CN
P的,CN
剩余
G的
p`s
20纳秒
VDD
VSS
VOH
VOL
TTHL
G的
脉冲
发电机
SEE
TEST
VSS
图4.开关时间测试电路和波形
典型应用
MC14581B
道道道道通+ 4
Cn
Cn+4
Cn
Cn+4
道道道道通+ 4
16位ALU ,脉动进
MC14581B
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
16位ALU ,二级前瞻
MC14581B
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn+4
克对
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
克对
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
Cn
G0 P0道道通+ X
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
32位ALU ,两级先行超过16位的组
MC14581B
Cn
Cn+4
Cn+4
Cn
Cn
Cn
道道道道通+ 4
克对
道道道道通+ 4
Cn
Cn
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1
道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
G1 P1
Cn
MC14582B
道道通+ Y
结合了两种- LEVEL前瞻和纹波进位ALU
MC14581B
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn
Cn+4
克对
Cn
克对
克对
G
P
克对
克对
克对
克对
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
Cn
G1 P1道道通+ Y
G2 P2道道通+ Z
MC14582B
G3 P3
克对
G0 P0道道通+ X
CN MC14582B
G0 P0
Cn
道道通+ X
MC14582B
G1 P1
道道通+ Y
64位ALU ,全先行进三个层次。
A和B输入及F输出没有显示( MC14581B ) 。
MC14582B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14582B
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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