MC14572UB
六角门
该MC14572UB六角官能栅极与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些互补MOS逻辑门找
主要用途要求低功耗和/或高噪声抗扰度
是需要的。该芯片包含四个逆变器， 1或非门和一个
与非门。
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记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14572UBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
MC14572UB
AWLYWW
1
单位
V
V
mA
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
14572U
AWLYWW
在所有输入端保护二极管
单电源供电
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
NOR输入引脚毗邻V
SS
针以简化使用作为逆变器
NAND输入引脚毗邻V
DD
针以简化用作
逆变器
NOR输出引脚毗邻逆变器的输入引脚为或应用程序
NAND输出引脚毗邻逆变器的输入引脚并
应用
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
订购信息
mW
°C
°C
°C
设备
MC14572UBCP
MC14572UBD
MC14572UBDR2
MC14572UBF
MC14572UBFEL
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
v
v
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14572UB/D
MC14572UB
电气特性
（电压参考V
SS
)
V
DD
特征
符号
V
OL
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
0.25
0.5
1.0
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.0005
0.0010
0.0015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
0.25
0.5
1.0
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
7.5
15
30
MADC
4.0
8.0
12.5
—
—
—
4.0
8.0
12.5
2.75
5.50
8.25
—
—
—
4.0
8.0
12.5
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值
(4.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
V
in
= 0或V
DD
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.0
2.0
2.5
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.0
2.0
2.5
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.0
2.0
2.5
VDC
“1”电平
V
OH
4.95
9.95
14.95
—
—
—
4.95
9.95
14.95
—
—
—
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
4.95
9.95
14.95
—
—
—
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
T
I
T
= (1.89
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.80
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.68
μA /千赫）
F +我
DD
μAdc
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.006 。
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3
MC14572UB
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
t
TLH
符号
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
t
PLH
,
t
PHL
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(8.)
180
90
65
100
50
40
90
50
40
最大
360
180
130
200
100
80
ns
180
100
80
单位
ns
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 5纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 17纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
THL
ns
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
输入
2
16
产量
1
8
V
SS
C
L
8
V
SS
脉冲
发电机
输入
7
6
5
C
L
V
DD
16
产量
脉冲
发电机
V
DD
20纳秒
16
输入
15
14
产量
13
8
V
SS
C
L
产量
输入
90%
50%
10%
t
PHL
90%
50%
10%
t
f
t
r
90%
50%
10%
t
PLH
90%
50%
10%
V
OH
V
OL
20纳秒
V
DD
V
SS
脉冲
发电机
图1.开关时间测试电路和波形
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4
QQ：2881677436 复制
