MC14557B
1到64位可变长度
移位寄存器
该MC14557B是一个静态的定时串行移位寄存器的长度
可以被编程为在1和64之间的任何数位的
选择的比特的数目等于的下标之
启用持续控制输入（L1，L2 ，L4， L8， L16 ，和L32 ），加上
1 。串行数据可从A或B的数据输入与选定的
A / B选择输入。此功能可用于再循环用途。一
时钟使能（CE）输入端被提供以允许所述时钟的门控或
下降沿时钟功能。
该装置可被有效地用于可变数字延迟线或
仅仅实现奇数长度的移位寄存器。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14557BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
DW后缀
CASE 751G
1
16
14557B
1-64位可编程长度
Q和Q系列缓冲输出
异步主复位
所有的输入缓冲
没有限制在时钟的上升和下降时间
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
AWLYYWW
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
MC14557B
AWLYWW
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC14557BCP
MC14557BDW
MC14557BDWR2
MC14557BF
MC14557BFEL
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
47/Rail
1000 /磁带和放大器;卷轴
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14557B/D
MC14557B
电气特性
（电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.010
0.020
0.030
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
μAdc
pF
μAdc
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值
(4.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
I
T
I
T
= (1.75
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.50
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.25
μA /千赫）
F +我
DD
μAdc
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
http://onsemi.com
3
MC14557B
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
上升和下降时间， Q或Q输出
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
h
5
10
15
5
10
15
t
r
,
t
f
t
r
,
t
f
t
REM
5
10
15
5
10
15
5
10
15
—
—
—
160
80
70
200
100
10
400
185
85
– 150
– 60
– 50
50
25
22
无极限
—
—
—
80
40
35
15
5
4
—
—
—
s
—
—
—
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
100
75
300
140
100
—
—
—
700
290
145
400
165
60
典型值
(8.)
100
50
40
300
130
90
300
130
95
95
45
35
150
70
50
3.0
7.5
13.0
350
130
85
45
5
0
最大
200
100
80
600
260
180
ns
600
260
190
—
—
—
—
—
—
1.7
5.0
6.7
—
—
—
—
—
—
ns
ns
单位
ns
传播延迟，时钟或CE到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 215纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 65纳秒
传输延迟，复位到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 215纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 70纳秒
脉冲宽度，时钟
t
PLH
,
t
PHL
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
WH （ CL ）
脉冲宽度，复位
t
WH （ RST ）
ns
时钟频率（ 50 ％占空比）
f
cl
兆赫
建立时间， A或B时钟或CE
最坏的情况： L1 = L2 = L4 = L8 =
L16 = L32 = V
SS
（寄存器长度= 1 ）
最好的情况下条件： L32 = V
DD
， L1至L16 =
不在乎（任何寄存器的长度从33到64 ）
保持时间，时钟或CE为A或B
最好的情况下状态： L1 = L2 = L4 = L8 = L16 =
L32 = V
SS
（寄存器长度= 1 ）
最坏的情况： L32 = V
DD
， L1至L16 =
不在乎（任何寄存器的长度从33到64 ）
上升和下降时间，时钟
t
su
ns
上升和下降时间，复位或CE
去除时间，复位时钟或CE
ns
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
http://onsemi.com
4
MC14557B
时序图
V
DD
50%
时钟
t
WH （ CL ）
1/f
cl
50%
A输入
t
su
t
h
RESET
t
TLH
1位长：
CE = 0
Q
A / B = 1
L1 = L2 = L4 = L8 = L16 = L32 = 0
90%
50%
10%
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
THL
PW
R
50%
V
SS
V
OH
V
OL
t
REM
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
http://onsemi.com
5
MC14557B
1到64位可变长度
移位寄存器
该MC14557B是一个静态的定时串行移位寄存器的长度
可以被编程为在1和64之间的任何数位的
选择的比特的数目等于的下标之
启用持续控制输入（L1，L2 ，L4， L8， L16 ，和L32 ），加上
1 。串行数据可从A或B的数据输入与选定的
A / B选择输入。此功能可用于再循环用途。一
时钟使能（CE）输入端被提供以允许所述时钟的门控或
下降沿时钟功能。
该装置可被有效地用于可变数字延迟线或
仅仅实现奇数长度的移位寄存器。
1-64位可编程长度
Q和Q系列缓冲输出
异步主复位
所有的输入缓冲
没有限制在时钟的上升和下降时间
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注2 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
SO- 16 WB
DW后缀
CASE 751G
1
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
16
1
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC14557BCP
AWLYYWW
16
14557
AWLYYWW
16
MC14557B
ALYW
1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
in
和V
OUT
应限制到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
2.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版5
出版订单号：
MC14557B/D
MC14557B
电气特性
（电压参考V
SS
)
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
I
OH
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流（注4,5）
（动态加静态，每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，所有缓冲区切换）
来源
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
3.5
7.0
11
–3.0
–0.64
–1.6
–4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
3.5
7.0
11
–2.4
–0.51
–1.3
–3.4
0.51
1.3
3.4
2.75
5.50
8.25
–4.2
–0.88
–2.25
–8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.010
0.020
0.030
±
0.1
7.5
5.0
10
20
3.5
7.0
11
–1.7
–0.36
–0.9
–2.4
0.36
0.9
2.4
MADC
±
1.0
150
300
600
MADC
pF
MADC
55°C
25°C
125°C
符号
V
OL
特征
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注3）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
V
OH
V
in
= 0或V
DD
V
IL
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“0”电平
“1”电平
VDC
VDC
V
IH
I
OL
SINK
I
in
C
in
I
DD
I
T
I
T
= (1.75
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.50
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.25
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
3.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
4.给出的公式仅用于在25℃下的典型特征。
5.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
http://onsemi.com
4
MC14557B
开关特性
（注6 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25°C)
符号
特征
V
DD
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
160
80
70
民
200
100
75
300
140
100
700
290
145
400
165
60
200
100
10
400
185
85
典型值
（注7 ）
100
50
40
300
130
90
300
130
95
95
45
35
150
70
50
3.0
7.5
13.0
350
130
85
45
5
0
–150
–60
–50
50
25
22
无极限
80
40
35
15
5
4
ms
最大
200
100
80
600
260
180
ns
600
260
190
1.7
5.0
6.7
ns
ns
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
上升和下降时间， Q或Q输出
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
t
PLH
,
t
PHL
传播延迟，时钟或CE到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 215纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 65纳秒
传输延迟，复位到Q或Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 215纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 70纳秒
脉冲宽度，时钟
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
WH （ CL ）
t
WH （ RST ）
脉冲宽度，复位
ns
f
cl
时钟频率（ 50 ％占空比）
兆赫
t
su
建立时间， A或B时钟或CE
最坏的情况： L1 = L2 = L4 = L8 =
L16 = L32 = V
SS
（寄存器长度= 1 ）
最好的情况下条件： L32 = V
DD
， L1至L16 =
不在乎（任何寄存器的长度从33到64 ）
t
h
保持时间，时钟或CE为A或B
最好的情况下状态： L1 = L2 = L4 = L8 = L16 =
L32 = V
SS
（寄存器长度= 1 ）
最坏的情况： L32 = V
DD
， L1至L16 =
不在乎（任何寄存器的长度从33到64 ）
t
r
,
t
f
t
r
,
t
f
t
REM
上升和下降时间，时钟
ns
上升和下降时间，复位或CE
去除时间，复位时钟或CE
ns
6.给出的公式仅用于在25℃下的典型特征。
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
