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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第414页 > MC14555BDR2G
MC14555B , MC14556B
双二进制到1 4选
解码器/多路解复用器
该MC14555B和MC14556B与构建
互补MOS (CMOS)增强型器件。每
解码器/多路解复用器有两个选择输入( A和B ) ,低电平有效
使能输入( E) ,和四个互斥输出( Q0 , Q1 , Q2 ,
Q3 ) 。该MC14555B已选定的输出转到“高”状态,
和MC14556B已选定的输出去到“低”状态。
扩展解码诸如二进制到十六进制的( 1 -的-16 )等,
可以通过使用其他MC14555B或MC14556B设备来实现。
应用范围包括代码转换,地址译码,内存
选择控制,和多路分解(使用使能输入端作为数据
输入),在数字数据传输系统。
特点
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
1455xBG
AWLYWW
1
http://onsemi.com
记号
图表
16
MC1455xBCP
AWLYYWWG
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
在所有输入端保护二极管
高有效或低有效输出
可扩展
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
(电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
x
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
16
MC1455xB
ALYWG
1
= 5或6个
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
mW
°C
°C
°C
MC14555B
E
A
A
A
B
A
Q0
A
Q1
A
Q2
A
Q3
A
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
E
B
A
B
B
B
Q0
B
Q1
B
Q2
B
Q3
B
E
A
A
A
B
A
Q0
A
Q1
A
Q2
A
Q3
A
V
SS
MC14556B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
E
B
A
B
B
B
Q0
B
Q1
B
Q2
B
Q3
B
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:塑料“P和D / DW ”
包: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年6月 - 8版本
出版订单号:
MC14555B/D
MC14555B , MC14556B
真值表
输入
启用
E
0
0
0
0
1
SELECT
B
0
0
1
1
X
A
0
1
0
1
X
0
0
0
1
0
输出
MC14555B
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
MC14556B
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
Q3 Q2 Q1 Q0 Q3 Q2 Q1 Q0
框图
MC14555B
2
3
1
A
B
E
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
4
5
6
7
12
11
10
9
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
2
3
1
MC14556B
A
B
E
Q0
Q1
Q2
Q3
4
5
6
7
12
11
10
9
X =无关
14
13
15
A
B
E
14
13
15
A
B
E
Q0
Q1
Q2
Q3
电气特性
(电压参考V
SS
)
55°C
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
25°C
125°C
特征
符号
V
OL
4.95
9.95
14.95
最大
4.95
9.95
14.95
典型值
(注2 )
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容(V
in
= 0)
静态电流(每包)
V
IL
V
OH
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流(注3,4)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
I
T
I
T
= (0.85
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.70
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (2.60
毫安/千赫)
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给定的公式仅用于在25℃下的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:我
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF,
V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.002 。
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2
MC14555B , MC14556B
开关特性
(注5 ) (C
L
= 50 pF的,T
A
= 25°C)
特征
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值
(注6 )
100
50
40
220
95
70
200
85
65
最大
200
100
80
440
190
140
ns
400
170
130
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间 - A,B到输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 135纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 62纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 45纳秒
传播延迟时间 - E至输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 1.7纳秒/ PF )C
L
+ 115纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.66纳秒/ PF )C
L
+ 52纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.5纳秒/ PF )C
L
+ 40纳秒
t
PLH
,
t
PHL
ns
t
PLH
,
t
PHL
5.给定的公式仅用于在25℃下的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
输入E LOW
20纳秒
20纳秒
90%
50%
10%
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
20纳秒
输入B
t
PHL
输出Q3
MC14556B
INPUT一较高下,输入E LOW
20纳秒
90%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
50%
10%
t
TLH
V
DD
t
PLH
V
SS
V
OH
A输入
(50 %占空比)
B输入
(50 %占空比)
输出Q1
所有8个输出连接到各个C
L
负载。
中f相对于系统时钟。
1
2f
t
PLH
输出Q3
MC14555B
t
THL
t
PHL
V
t
TLH OL
V
OH
V
OL
t
THL
图1.动态功耗信号波形
图2.动态信号波形
逻辑图
(双1/2 )
*
A
*
B
*
E
*
*取消了MC14555B
Q3
Q2
Q1
Q0
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3
MC14555B , MC14556B
订购信息
设备
MC14555BCP
MC14555BCPG
MC14555BD
MC14555BDG
MC14555BDR2
MC14555BDR2G
MC14555BFEL
MC14555BFELG
MC14556BCP
MC14556BCPG
MC14556BD
MC14556BDR2
MC14556BDR2G
MC14556BF
MC14556BFEL
MC14556BFELG
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
50单位/管
25单位/铁
48单位/铁
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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4
MC14555B , MC14556B
包装尺寸
PDIP16
CASE 648-08
ISSUE牛逼
A
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
B
1
8
F
S
C
L
T
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740 0.770
0.250 0.270
0.145 0.175
0.015 0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008 0.015
0.110 0.130
0.295 0.305
0
_
10
_
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
18.80 19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
SOIC16
CASE 751B -05
ISSUE
A
16
9
B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
G
F
K
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
M
D
16 PL
M
J
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
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5
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC14555BDR2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
MC14555BDR2G
ON/安森美
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MC14555BDR2G
ONSEMI/安森美
1048+
9835
SOP-16
原装进口低价实单必成
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MC14555BDR2G
ON
20+
3060875
SMD
安森美PD电源芯片优势现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
MC14555BDR2G
onsemi
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
MC14555BDR2G
ON
17+
4550
进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
MC14555BDR2G
ON
24+
4000
SOP-16
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MC14555BDR2G
onsemi
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MC14555BDR2G
ON/安森美
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MC14555BDR2G
onsemi
24+
25000
16-SOIC
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