摩托罗拉
半导体技术资料
MC14554B
2位2位并行
乘法器
的MC14554B 2× 2位并行二进制乘法器与构造
互补MOS （CMOS）增强型器件。乘法器
可以执行两个二进制数的乘法运算，并同时添加
其他两个二进制数的乘积。该MC14554B有两个
被乘数输入（ X0和X1 ），两个乘法器输入端（Y0和Y1） ，五
级联或添加输入（ K0，K1 ， M0，M1和M2） ，以及5和与
携带输出（ S0，S1 ，S2， C1 [S3] ，和C 0 ） 。基本倍增器可以是
未经由n比特并行乘法器扩展成一个简单的m位
额外的逻辑单元。
应用领域包括运算处理（乘/加，
获得平方根，多项式评估，获得倒数，并
分割） ，快速傅立叶变换处理，数字滤波，通信
行动（卷积和相关性） ，以及工艺和机器控制。
在所有输入端保护二极管
所有输出缓冲
直接的m位由N位扩展
所需的扩展无附加逻辑元件
乘，同时又添
正逻辑设计
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
- 65至+ 150
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
该器件包含保护电路，
警惕损害，由于高静
电压或电场。然而，预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中， Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
（ VIN或VOUT ）
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平（例如，是VSS
或VDD ） 。未使用的输出必须悬空。
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
v
v
方程
S = （ X X Y） + K + M
其中：
X表示算术时代。
+ means算法加。
S = S3 S2 S1 S0 ， X = X1X0 ， Y = Y1Y0 ，
K = K1 K0 ， M = M1 M0 （二进制数） 。
例如：
下式给出： x = 2（1 ）中，Y = 3（11）
K = 1 （01）中，M = 2（10）
那么：
S = （2× 3） + 1 + 2 = 9
S = （ 10 ×11 ） + 01 + 10 = 1001
_
C
TL
焊接温度（ 8秒焊接）
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
引脚分配
Y1
M0
M1
C0
M2
C 1 （S3）中
S2
VSS
REV 3
1/94
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
Y0
X0
X1
K0
S0
K1
S1
注： C0连接到M2 ，这种规模
乘数。见一般扩展
图中其他大小倍数。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14554B
1
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 1.0
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.0
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 3.0
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.0035 。
MC14554B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
符号
tTLH ，
TTHL
VDD
5.0
10
15
民
典型值＃
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
—
—
传播延迟时间
K0到C0
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 185纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 82纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 60纳秒
M0到S2
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 595纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 247纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 185纳秒
tPLH的，
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
270
115
85
680
280
210
675
290
215
1700
750
570
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
20纳秒
VDD
50%
的TPH1
50%
VOL
tTLH
VOH
VOL
连接到相应的输出全部
CL负载。 F =系统时钟频率
TTHL
VSS
VOH
90%
20纳秒
20纳秒
VDD
VSS
产量
C0或S2
输入
K0或M0
10%
TPLH
90%
10%
所有的输入
（50 ％占空比）
90%
50%
10%
1
2f
任何输出
（50 ％占空比）
对于K0到C0 ：
输入X0，X1， Y0，Y1， K1，和M2低，并且输入
M0和M1的高。
对于M0到S2 ：
输入X1 ，Y1和K0低，并输入X0，Y0，
K1 ，M1及M2的高。
图1.动态功耗
波形
图2.动态信号波形
逻辑图
M1
3
M
4
Y
X
K
倍增器
CELL
C
S
Y1
1
M0
2
M
Y
X
K
12
倍增器
CELL
C
S
Y0
15
14
X0
K0
C0
MULTIPLIER细胞
S
L
C
M2
5
M
倍增器
CELL
C
S
Y
X
K
M
Y
X
10
K
K1
11
S0
13
倍增器
CELL
C
S
9
S1
X1
M
Y
X
K
6
C1(S3)
7
S2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14554B
3
展开图
m位为n位并行乘法器（顶视图）
和M
Y(n–1)
M(n–2)
M(n–1)
Y(n–2)
X0
X1
Y3
M2
M3
Y2
X0
X1
Y1
M0
M1
VDD
Y0
X0
X1
K0
M2
C1
S0
K1
S2
VSS S1
Y1
M0
M1
C0
Y0
X0
X1
K0
K1
Y(n–1)
Y(n–2)
X2
X3
Y3
Y2
X2
X3
Y1
Y0
X2
X3
K2
K3
X和K
Y(n–1)
Y(n–2)
X(m–2)
X(m–1)
Y3
Y2
X(m–2)
X(m–1)
Y1
Y0
X(m–2)
X(m–1)
K(m–2)
K(m–1)
S（ M + N -1）的
S（ M + N -2）的
S（ M + N -3）的
S(m+2)
S(m+1)
秒（米）
S(m–1)
S3
S1
S（米2 ）S 2
S0
S = （ X X Y） + K + M式中： x表示算术时代。
S = （ X X Y） + K + M其中：
+ means算法加。
S = S（ M + N -1）， S（ M + N -2）的
…
S2 S1 S0
X = X （米- 1）×（ M-2）
…
X 2 X 1 X 0， Y = Y （ n-1个）， Y（ n-2个）
…
Y2 Y1 Y0
k = k （ m-1个）K（米2 ）
…
K 2 K 1 K 0和M = M （ n-1个）， M（ n-2个）
…
M2 M1 M0
（二进制数） 。
输出二进制位数= M + N号
大包小包= MXN号/ 4 （对于n个奇数两种选择下一个最高甚至数m或。 ）
MC14554B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14554B
2位2位并行
乘法器
的MC14554B 2× 2位并行二进制乘法器与构造
互补MOS （CMOS）增强型器件。乘法器
可以执行两个二进制数的乘法运算，并同时添加
其他两个二进制数的乘积。该MC14554B有两个
被乘数输入（ X0和X1 ），两个乘法器输入端（Y0和Y1） ，五
级联或添加输入（ K0，K1 ， M0，M1和M2） ，以及5和与
携带输出（ S0，S1 ，S2， C1 [S3] ，和C 0 ） 。基本倍增器可以是
未经由n比特并行乘法器扩展成一个简单的m位
额外的逻辑单元。
应用领域包括运算处理（乘/加，
获得平方根，多项式评估，获得倒数，并
分割） ，快速傅立叶变换处理，数字滤波，通信
行动（卷积和相关性） ，以及工艺和机器控制。
在所有输入端保护二极管
所有输出缓冲
直接的m位由N位扩展
所需的扩展无附加逻辑元件
乘，同时又添
正逻辑设计
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
- 65至+ 150
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
该器件包含保护电路，
警惕损害，由于高静
电压或电场。然而，预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中， Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
（ VIN或VOUT ）
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平（例如，是VSS
或VDD ） 。未使用的输出必须悬空。
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
v
v
方程
S = （ X X Y） + K + M
其中：
X表示算术时代。
+ means算法加。
S = S3 S2 S1 S0 ， X = X1X0 ， Y = Y1Y0 ，
K = K1 K0 ， M = M1 M0 （二进制数） 。
例如：
下式给出： x = 2（1 ）中，Y = 3（11）
K = 1 （01）中，M = 2（10）
那么：
S = （2× 3） + 1 + 2 = 9
S = （ 10 ×11 ） + 01 + 10 = 1001
_
C
TL
焊接温度（ 8秒焊接）
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
引脚分配
Y1
M0
M1
C0
M2
C 1 （S3）中
S2
VSS
REV 3
1/94
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
Y0
X0
X1
K0
S0
K1
S1
注： C0连接到M2 ，这种规模
乘数。见一般扩展
图中其他大小倍数。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14554B
1
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 1.0
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.0
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 3.0
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.0035 。
MC14554B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
符号
tTLH ，
TTHL
VDD
5.0
10
15
民
典型值＃
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
—
—
传播延迟时间
K0到C0
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 185纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 82纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 60纳秒
M0到S2
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 595纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 247纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 185纳秒
tPLH的，
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
270
115
85
680
280
210
675
290
215
1700
750
570
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
20纳秒
VDD
50%
的TPH1
50%
VOL
tTLH
VOH
VOL
连接到相应的输出全部
CL负载。 F =系统时钟频率
TTHL
VSS
VOH
90%
20纳秒
20纳秒
VDD
VSS
产量
C0或S2
输入
K0或M0
10%
TPLH
90%
10%
所有的输入
（50 ％占空比）
90%
50%
10%
1
2f
任何输出
（50 ％占空比）
对于K0到C0 ：
输入X0，X1， Y0，Y1， K1，和M2低，并且输入
M0和M1的高。
对于M0到S2 ：
输入X1 ，Y1和K0低，并输入X0，Y0，
K1 ，M1及M2的高。
图1.动态功耗
波形
图2.动态信号波形
逻辑图
M1
3
M
4
Y
X
K
倍增器
CELL
C
S
Y1
1
M0
2
M
Y
X
K
12
倍增器
CELL
C
S
Y0
15
14
X0
K0
C0
MULTIPLIER细胞
S
L
C
M2
5
M
倍增器
CELL
C
S
Y
X
K
M
Y
X
10
K
K1
11
S0
13
倍增器
CELL
C
S
9
S1
X1
M
Y
X
K
6
C1(S3)
7
S2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14554B
3
展开图
m位为n位并行乘法器（顶视图）
和M
Y(n–1)
M(n–2)
M(n–1)
Y(n–2)
X0
X1
Y3
M2
M3
Y2
X0
X1
Y1
M0
M1
VDD
Y0
X0
X1
K0
M2
C1
S0
K1
S2
VSS S1
Y1
M0
M1
C0
Y0
X0
X1
K0
K1
Y(n–1)
Y(n–2)
X2
X3
Y3
Y2
X2
X3
Y1
Y0
X2
X3
K2
K3
X和K
Y(n–1)
Y(n–2)
X(m–2)
X(m–1)
Y3
Y2
X(m–2)
X(m–1)
Y1
Y0
X(m–2)
X(m–1)
K(m–2)
K(m–1)
S（ M + N -1）的
S（ M + N -2）的
S（ M + N -3）的
S(m+2)
S(m+1)
秒（米）
S(m–1)
S3
S1
S（米2 ）S 2
S0
S = （ X X Y） + K + M式中： x表示算术时代。
S = （ X X Y） + K + M其中：
+ means算法加。
S = S（ M + N -1）， S（ M + N -2）的
…
S2 S1 S0
X = X （米- 1）×（ M-2）
…
X 2 X 1 X 0， Y = Y （ n-1个）， Y（ n-2个）
…
Y2 Y1 Y0
k = k （ m-1个）K（米2 ）
…
K 2 K 1 K 0和M = M （ n-1个）， M（ n-2个）
…
M2 M1 M0
（二进制数） 。
输出二进制位数= M + N号
大包小包= MXN号/ 4 （对于n个奇数两种选择下一个最高甚至数m或。 ）
MC14554B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
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