MC14551B
四2通道模拟
复用器/解复用器
该MC14551B是一个数字控制模拟开关。该装置
实现了低一个四刀双掷固态开关阻抗和
非常低的截止漏电流。控制模拟信号至
完整的电源电压范围可以达到。
特点
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记号
图表
16
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
1
14551BG
AWLYWW
MC14551BCP
AWLYYWWG
在所有的控制输入三重保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
模拟电压范围(V
DD
V
EE
) = 3.0 18 V
注: V
EE
必须是
v
V
SS
线性传输特性
低噪声 - 12 nV√Cycle ,女
≥
1.0 kHz的典型
对于低R
ON
,使用HC4051 , HC4052 , HC4053或高速
CMOS器件
开关功能是先断后
无铅包可用*
1
最大额定值
参数
符号
V
DD
价值
单位
V
V
直流电源电压范围
(参考V
EE
, V
SS
≥
V
EE
)
- 0.5 + 18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
±
25
500
- 55至+ 125
- 65至+ 150
260
输入或输出电压( DC或瞬态)
(参考V
SS
为控制输入和
V
EE
对于交换机I / O)
输入电流( DC或瞬态)
每个控制引脚
通过开关电流
功耗,每包(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
V
in
, V
OUT
1
I
in
I
sw
P
D
T
A
T
英镑
T
L
mA
mA
mW
_C
_C
_C
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:塑料“P和D / DW ”
包: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
用于控制输入和V
EE
≤
(V
in
或V
OUT
)
≤
V
DD
对于交换机I / O 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
, V
EE
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
MC14551B
ALYWG
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号:
MC14551B/D
MC14551B
引脚分配
W1
X0
X1
X
Y
Y0
V
EE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
W0
W
Z
Z1
Z0
Y1
控制
开关
IN / OUT
9
15
1
2
3
6
10
11
12
控制
W
W0
W1
X0
X1
Y0
Y1
Z0
Z1
X
14
4
公
输出/输入
Y
Z
5
13
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
V
EE
= 7针
控制
0
1
ON
W0 X0 Y0 Z0
W1 X1 Y1 Z1
注意:控制输入参考V
SS
,模拟输入和
输出参考V
EE
. V
EE
必须是
v
V
SS
.
订购信息
设备
MC14551BCP
MC14551BCPG
MC14551BD
MC14551BDG
MC14551BDR2
MC14551BDR2G
MC14551BF
MC14551BFG
包
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MC14551B
电气特性
– 55_C
25_C
125_C
特征
V
DD
测试条件
符号
民
最大
民
典型值
(注2 )
最大
民
最大
单位
供应需求
(电压参考V
EE
)
电源电压
范围
静态电流每
包
5.0
10
15
V
DD
– 3.0
≥
V
SS
≥
V
EE
控制输入: V
IN =
V
SS
或V
DD
,
开关I / O : V
EE
v
V
I / O
v
V
DD
和
DV
开关
v
500毫伏(注3 )
T
A
=仅25_C (中
通道部分,
(V
in
– V
OUT
)/R
on
,是
不包括在内)。
V
DD
I
DD
3.0
18
5.0
10
20
3.0
0.005
0.010
0.015
18
5.0
10
20
3.0
18
150
300
600
V
mA
总电源电流
(动态加静态,
每包)
5.0
10
15
I
D( AV )
典型
(0.07
毫安/千赫)
F +我
DD
(0.20
毫安/千赫)
F +我
DD
(0.36
毫安/千赫)
F +我
DD
mA
控制输入
(电压参考V
SS
)
低电平输入电压
5.0
10
15
5.0
10
15
15
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
R
on
=每规格,
I
关闭
=每规格
V
in
= 0或V
DD
V
IL
3.5
7.0
11
1.5
3.0
4.0
±
0.1
3.5
7.0
11
2.25
4.50
6.75
2.75
5.50
8.25
±
0.00001
5.0
1.5
3.0
4.0
±
0.1
7.5
3.5
7.0
11
1.5
3.0
4.0
±
1.0
V
高电平输入电压
V
IH
V
输入漏电流
输入电容
I
in
C
in
mA
pF
交换机/ OUT和commons OUT / IN - W,X , Y,Z
(电压参考V
EE
)
推荐峰到
峰值电压进入或退出
交换机
推荐静态或
在整个动态电压
交换机(注3)
(图3)
输出失调电压
抗性
打开或关闭通道
V
I / O
0
V
DD
0
V
DD
0
V
DD
V
p–p
通道上
DV
开关
0
600
0
600
0
300
mV
5.0
10
15
V
in
= 0 V ,无负载
DV
开关
v
500毫伏
(注3) ,
V
in
= V
IL
或V
IH
(对照) ,和V
in
= 0到
V
DD
(转)
V
OO
R
on
800
400
220
10
250
120
80
1050
500
280
1200
520
300
mV
W
DON
之间的电阻
任意两个通道
在同一个包
关信道泄漏
电流(图8)
5.0
10
15
15
V
in
= V
IL
或V
IH
(控制)信道来
信道或任何一个
通道
关闭
DR
on
70
50
45
±
100
25
10
10
±
0.05
70
50
45
±
100
135
95
65
±
1000
W
I
关闭
nA
电容,开关I / O
电容,普通的O / I
电容,穿心
(通道关闭)
销不相邻
相邻引脚
C
I / O
C
O / I
C
I / O
10
17
0.15
0.47
pF
pF
pF
2.数据标记为“典型值”不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.对于在开关两端的电压降(DV
开关
) > 600毫伏( > 300 mV的高温) ,过度V
DD
电流可以被绘制;即
电流从开关可同时含有V
DD
并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响,除非
最大额定值被超过。 (请参见本数据手册的第一页。 )
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3
MC14551B
电气特性
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25 ° C,V
EE
v
V
SS
)
特征
符号
V
DD
– V
EE
VDC
民
典型值
(注4 )
最大
单位
ns
传播延迟时间
开关输入到开关输出(R
L
= 10千瓦)
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.17纳秒/ PF )C
L
+ 26.5纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.08纳秒/ PF )C
L
+ 11纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.06纳秒/ PF )C
L
+ 9.0纳秒
控制输入输出(R
L
= 10千瓦)
V
EE
= V
SS
(图4)
t
PLH
, t
PHL
5.0
10
15
t
PLH
, t
PHL
5.0
10
15
BW
10
10
350
140
100
0.07
17
875
350
250
%
兆赫
35
15
12
90
40
30
ns
二次谐波失真
R
L
= 10千瓦, F = 1千赫,V
in
= 5 V
pp
带宽(图5)
R
L
= 1千瓦,V
in
= 1/2 (V
DD
V
EE
)
pp
,
20日志(V
OUT
/ V
in
) = - 3分贝,C
L
= 50 pF的
关通道穿心衰减,如图5
R
L
= 1千瓦,V
in
= 1/2 (V
DD
V
EE
)
pp
, f
in
= 55 MHz的
声道分离度(图6)
R
L
= 1千瓦,V
in
= 1/2 (V
DD
V
EE
)
pp
, f
in
= 3兆赫
串扰,控制输入常用O / I ,图7
R1 = 1千瓦,R
L
= 10千瓦,控制吨
r
= t
f
= 20 ns的
10
10
10
– 50
– 50
75
dB
dB
mV
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
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4