摩托罗拉
半导体技术资料
MC14543B
BCD到七段
锁存器/解码器/驱动器
液晶
该MC14543B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器设计
用于与液晶读数使用，并且具有互补构造
MOS （CMOS）增强型器件。该电路提供了
一个4位的存储锁存器和功能的8421 BCD到七段
译码器和驱动器。该装置具有反转的逻辑电平的能力
输出组合。相位（博士） ，消隐（ BI）和锁存器禁止（ LD）的
输入用于反向真值表相，空白显示，并存储
BCD码分别。用于液晶（LC ）的读数，一个方波
施加到电路的博士输入和电共用底板
显示屏。该电路的输出被直接连接到
在LC读出的片段。对于其他类型的读出的，如
发光二极管（LED） ，白炽灯，气体放电和荧光
读数，连接图给出了这个数据表。
应用领域包括仪器（如计数器， DVM等）的显示驱动程序，
计算机/计算器显示驱动器，座舱显示驱动器和各种时钟，
手表和计时器使用。
锁码的存储
消隐输入
读数盲区的所有非法输入组合
直接LED（共阳极或阴极）的驱动能力
电源电压范围为3.0 V至18 V
可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗
肖特基TTL负载或两个HTL负载超过额定温度
范围
引脚对引脚置换CD4056A （带引脚7连接到VSS） 。
芯片的复杂性： 207场效应管或52个等效门
最大额定值*
（电压参考VSS）
等级
符号
VDD
VIN
IIN
TA
PD
TSTG
Iohmax
Iolmax
POHmax
POLmax
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
真值表
输入
LD BI博士* D C
X
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X X
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
输出
B A A B C D E F G
X X 0 0 0 0 0 0 0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
**
输出逆
组合
以上
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
显示
空白
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
空白
空白
空白
空白
空白
空白
**
显示
如上
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18
±
10
- 55至+ 125
500
- 65至+ 150
10
70
输入电压，所有输入
- 0.5 VDD + 0.5
每个引脚的直流输入电流
工作温度范围
功耗，每包
存储温度范围
最大连续输出驱动
电流每路输出（源或汇）
最大连续输出功率*
每路输出（源或汇）
mA
_
C
mW
X X
X X
_
C
mA
mW
* POHmax = IOH （ VOH - VDD）和POLmax = IOL （ VOL - VSS ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
X =无关
=上述组合
* =液晶读数，申请方波pH值
对于共阴极LED读数，选择pH = 0
对于共阳极LED读数，选择pH = 1
** =在以前应用在BCD代码依赖
LD = 1
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14543B
1
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
10
15
IOL
5.0
10
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
—
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
—
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
—
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
—
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 10.1
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
10.1
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
—
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
—
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 0.5伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 9.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
静态电流
（每包）， VIN = 0或VDD ，
IOUT = 0
A
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 1.6
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 3.1
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 4.7
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
在最坏情况下的输入组合指定#Noise免疫力。
噪声容限为“1”和“0”电平= 1.0V，分钟@ VDD = 5.0 V的
=
2.0 V分@ VDD = 10 V
=
2.5 V分@ VDD = 15 V
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + 3.5× 10-3 （ CL - 50 ） VDDF
其中： IT是
A
（每包） ， CL为pF ， VDD在V和f单位为kHz的输入频率。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
MC14543B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间
tTLH = （ 3.0纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tTLH = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tTLH = （ 1.1纳秒/ PF ） CL + 10纳秒
符号
tTLH
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
TPLH
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
TSU
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
350
450
500
40
30
20
250
100
80
125
50
40
505
205
155
1650
660
495
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
—
—
—
605
250
185
1210
500
370
ns
民
—
—
—
—
—
—
典型值
100
50
40
100
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
ns
单位
ns
输出下降时间
TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
关断延迟时间
tPLH的= （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 520纳秒
tPLH的= （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 217纳秒
tPLH的= （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 160纳秒
导通延迟时间
的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 420纳秒
的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 172纳秒
的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 130纳秒
建立时间
TTHL
ns
保持时间
th
ns
锁存器禁用脉冲宽度（频闪数据）
亿千瓦时
ns
*给出的公式是只典型特征。
逻辑图
BI 7
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
A 5
9 a
10 b
B 3
11 c
12 d
C 2
13 e
15 f
D 4
14 g
LD 1
第6阶段
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14543B
3
0
IOH ，源电流（ MADC ）
POHmax = 70 mWdc
VDD = 5.0伏
IOL ，灌电流（ MADC ）
24
VDD = 15 VDC
18
– 6.0
– 12
VDD = 10 VDC
12
VDD = 10 VDC
– 18
VDD = 15 VDC
– 24
– 16
VSS = 0伏
– 12
– 8.0
– 4.0
（ VOH - VDD ） ，源设备电压（VDC ）
0
6.0
VDD = 5.0伏
0
0
POLmax = 70 mWdc
VSS = 0伏
4.0
8.0
12
（ VOL - VSS ） ，接收装置电压（VDC ）
16
图1.典型的输出源
特征
图2.典型的输出灌
特征
（一）输入端D，博士和BI低，输入A ，B和LD高。
20纳秒
C
的TPH1
90%
g
50%
TTHL
90%
10%
20纳秒
50%
TPLH
10%
tTLH
VDD
VSS
VOH
VOL
（二）输入D，博士和BI低，并输入A和B高。
20纳秒
LD
输入BI和博士低，输入D和LD高。
中f相对于系统时钟。
连接到相应的CL负载所有输出。
20纳秒
A， B和C
10%
20纳秒
90%
50%
1
2f
占空比为50％
VDD
VSS
g
TSU
C
50%
90%
10%
50%
VSS
th
50%
VDD
VSS
VOH
VOL
VDD
（c）数据DCBA选通入锁存器
LD
50%
亿千瓦时
VDD
VSS
任何输出
VOH
VOL
图3.动态功耗
信号波形
图4.动态信号波形
MC14543B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
QQ：2881677436 复制
