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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14539B
双4通道数据
选择器/多路复用器
该MC14539B数据选择器/多路复用器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。该电路由每四个输入端的两个部分。
从每节一个输入被选中的地址输入A和B. A
在选通输入端的“高”将导致输出保持为“低” 。
该设备发现信号复用功能的主要应用。它
允许由N-线I线复用,并且还可以执行并行 - 用于─
串行转换。选通输入允许正线正线级联。
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
14
2
1
6
5
4
3
A
B
ST
X0
X1
X2
X3
_
C
_
C
焊接温度( 8秒焊接)
Z
7
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
真值表
地址
输入
B
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X3
Y3
X
X
X
X
X
X
X
0
1
数据输入
X2
Y2
X
X
X
X
X
0
1
X
X
X1
Y1
X
X
X
0
1
X
X
X
X
X0
Y0
X
0
1
X
X
X
X
X
X
ST , ST '
1
0
0
0
0
0
0
0
0
输出
Z,W
0
0
1
0
1
0
1
0
1
15
10
11
12
13
A
B
ST ?
Y0
Y1
Y2
Y3
W
9
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
X =无关
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14539B
1
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
“1”电平
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
输入电流
输入电容
( VIN = 0 )
静态电流
(每包)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
VIL
2.25
4.50
6.75
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = ( 0.85
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 1.70
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 2.60
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.002 。
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过,
必须采取预防措施,以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序,以这种高阻抗
电路。对于正确的操作, Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, VSS或VDD ) 。未使用的输出必须
悬空。
MC14539B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
符号
tTLH ,
TTHL
VDD
5.0
10
15
典型值#
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
传播延迟时间
X,Y输入到输出
tPLH的,的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 125纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 57纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 45纳秒
输入到输出
tPLH的= ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 140纳秒
tPLH的= ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 77纳秒
tPLH的= ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 60纳秒
的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 160纳秒
的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 82纳秒
的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 65纳秒
选通输入到输出
tPLH的,的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 60纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 42纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 35纳秒
tPLH的,
的TPH1
5.0
10
15
TPLH
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
225
110
85
245
115
90
145
75
60
450
220
170
490
230
180
290
150
120
ns
210
90
70
420
180
140
ns
ns
tPLH的,
的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
脉冲
发电机
A
B
ST
X0
X1
X2
X3
ST ?
Y0
Y1
Y2
Y3
20纳秒
Z
输入
CL
产量
(试验1)
W
20纳秒
产量
(试验2和3)
TPLH
tTLH
TTHL
的TPH1
TTHL
VSS
的TPH1
tTLH
TPLH
输入电路连接tTLH , TTHL ,的TPH1 , tPLH的
TEST
1
2
3
频闪
GND
P.G.
GND
A
GND
GND
P.G.
X0
P.G.
VDD
VDD
图1. AC测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14539B
3
VDD
500
F
ID
0.01
F
陶瓷的
脉冲
发电机
A
B
ST
X0
X1
X2
X3
ST ?
Y0
Y1
Y2
Y3
Z
20纳秒
90%
50%
10%
占空比为50%
20纳秒
VDD
VSS
CL
VIN
W
CL
VSS
图2.功耗测试电路和波形
逻辑图
B
A
2
14
X0
6
ST
1
引脚分配
ST
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
ST ?
A
Y3
Y2
Y1
Y0
W
X1
5
7
4
Z
B
X3
X2
X1
X2
X3
3
X0
Z
Y0
10
VSS
Y1
11
9
W
Y2
12
15
ST ?
Y3
13
MC14539B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14539B
5
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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MC14539B
MOTOROLA/摩托罗拉
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