MC14532B
8位优先编码器
的MC14532B用互补型MOS （CMOS）构成
增强型器件。优先级的主要功能
编码器是用于与激活的输入提供一个二进制地址
最高优先级。 8个数据输入（D0直通D7）和一个使能输入
(E
IN）
提供。五个输出可用，三是输出地址
（ Q0通Q2 ） ，一组选择（ GS ）和一个使能输出（E
OUT
).
特点
http://onsemi.com
记号
图表
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
等级
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
符号
V
DD
V
in
,
V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
MC14532BCP
AWLYYWWG
14532BG
AWLYWW
1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
A
WL
YY, Y
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
D4
D5
D6
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
E
OUT
GS
D3
D2
D1
D0
Q0
真值表
输入
E
in
0
1
1
1
1
1
D7
X
0
1
0
0
0
D6
X
0
X
1
0
0
D5
X
0
X
X
1
0
D4
X
0
X
X
X
1
D3
X
0
X
X
X
X
D2
X
0
X
X
X
X
D1
X
0
X
X
X
X
D0
X
0
X
X
X
X
GS
0
0
1
1
1
1
Q2
0
0
1
1
1
1
产量
Q1
0
0
1
1
0
0
Q0
0
0
1
0
1
0
E
OUT
0
1
0
0
0
0
D7
E
in
Q2
Q1
V
SS
1
0
0
0
0
1
X
X
X
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
X
X
1
0
1
0
0
订购信息
1
0
0
0
0
0
0
1
X
1
0
0
1
0
请参阅包装详细的订购和发货信息
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
尺寸部分本数据手册的第2页。
X =无关
*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 6牧师
出版订单号：
MC14532B/D
MC14532B
订购信息
设备
MC14532BCP
MC14532BCPG
MC14532BD
MC14532BDG
MC14532BDR2
MC14532BDR2G
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
55_C
25_C
125_C
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
–3.0
– 0.64
–1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
–2.4
– 0.51
–1.3
–3.4
0.51
1.3
3.4
–4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
–1.7
– 0.36
–0.9
–2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
特征
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
符号
V
OL
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
V
OH
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
I
T
I
T
= (1.74
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.65
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.73
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.005 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
http://onsemi.com
2
MC14532B
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C ）（注5）
特征
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
205
110
80
175
90
65
280
140
100
300
170
110
280
140
100
最大
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间 - é
in
到E
OUT
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 120纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 77纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 55纳秒
传播延迟时间 - é
in
以GS
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 90纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
57纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 40纳秒
传播延迟时间 - é
in
以Q
n
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 195纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 107纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
传播延迟时间 - D
n
以Q
n
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 265纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 137纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 85纳秒
传播延迟时间 - D
n
以GS
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 195纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 107纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
200
100
80
410
220
160
ns
350
180
130
ns
560
280
200
ns
600
340
220
ns
560
280
200
t
PLH
,
t
PHL
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
PHL
,
t
PLH
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
OUT
E
in
D0
D1
开关
矩阵
D2
D3
D4
D5
D6
D7
外
动力
供应
V
GS
= V
DD
V
DS
= V
OUT
灌电流
D0 D7直通
X
X
X
X
X
E
in
0
0
0
0
0
V
GS
=
–
V
DD
V
DS
= V
OUT
–
V
DD
源出电流
D0通D6
0
0
0
0
0
D7
0
1
1
1
1
E
in
1
1
1
1
1
脉冲
发电机
(f
o
)
E
OUT
Q0
Q1
Q2
GS
I
D
500
mF
V
DD
I
D
0.01
mF
E
in
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
V
SS
GS
C
L
E
OUT
Q0
Q1
Q2
C
L
C
L
C
L
C
L
产量
下
TEST
E
OUT
Q0
Q1
Q2
GS
图1.典型的库源
电流特性
图2.典型功耗测试电路
http://onsemi.com
3
MC14532B
逻辑方程
E
OUT
= E
in
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Q0 = E
in
(D1
D2
D4
D6 + D3
D4
D6 + D5
D6 + D7)
10
Q1 = E
in
(D2
D4
D5 + D3
D4
D5 + D6 + D7)
Q2 = E
in
(D4 + D5 + D6 + D7)
GS = E
in
(D0 + D1 + D2 + D3 + D4 + 05 + D6 + D7)
11
D0
D1
9
Q0
D2
12
D3
13
D4
1
7
2
Q1
D5
D6
3
D7
4
E
in
5
6
Q2
14
GS
15
E
OUT
图4.逻辑图
（正逻辑）
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
