摩托罗拉
半导体技术资料
MC14529B
双4通道模拟
数据选择器
该MC14529B模拟数据选择器是一个双4声道或单
根据所输入的编码8路设备。该装置适用于
数字以及模拟应用程序，其中包括各种一的- 4和
一的八个数据选择器的功能。由于该设备具有双向
模拟特性它也可以用来作为双二进制到一个1 -的-4或
二进制1 - 8解码器。
数据路径是双向的
三态输出
线性“开”电阻
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
- 0.5 + 18.0
±
10
500
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TL
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
- 65至+ 150
260
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
_
C
框图
三态输出使能
频闪X 1
6
7
2
3
4
5
A
B
X0
X1
X2
X3
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
真值表
（ X =无关）
STX
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
STY
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
Z
X0
X1
X2
X3
X0
X1
X2
X3
Y0
Y1
Y2
Y3
高
阻抗
W
Y0
Y1
Y2
Y3
双路4通道模式
2个输出
Z
9
单8通道模式
1输出
（ Z和W连接在一起）
14
13
12
11
频闪 15
Y0
Y1
Y2
Y3
W
10
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14529B
1
电气特性
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
特征
符号
VDD
测试条件
民
最大
民
典型值＃
最大
民
最大
单位
供应需求
（参考电压为VEE ）
电源电压
范围
静态电流每
包
VDD
国际直拨电话
—
5.0
10
15
VDD = 3.0
≥
VSS
≥
VEE
控制输入： VIN =
VSS或VDD ，
开关I / O ： VSS
VI / O
VDD和
V
开关
500毫伏**
3.0
—
—
—
18
1.0
1.0
2.0
3.0
—
—
—
—
0.005
0.010
0.015
18
1.0
1.0
2.0
3.0
—
—
—
18
60
60
120
V
A
v
v
v
总电源电流
（动态加
静态，每包
ID（ AV ）
5.0
10
15
TA = 25
_
只有C（中
通道部分，
（ Vin - Vout）外部/罗恩，是
不包括在内）。
典型
(0.07
μA /千赫）
F + IDD
(0.20
μA /千赫）
F + IDD
(0.36
μA /千赫）
F + IDD
A
控制输入 - INHIBIT ， A，B
（电压参考VSS）
低电平输入电压
VIL
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
罗恩=每规格，
IOFF每个规格=
罗恩=每规格，
IOFF每个规格=
输入电压= 0或Vdd的
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
1.5
3.0
4.0
—
—
—
±
0.1
—
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
2.25
4.50
6.75
2.75
5.50
8.25
±
0.00001
5.0
1.5
3.0
4.0
—
—
—
±
0.1
7.5
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
1.5
3.0
4.0
—
—
—
±
1.0
—
V
高电平输入电压
VIH
V
输入漏电流
输入电容
IIN
CIN
A
pF
交换机/ OUT和commons OUT / IN - W，Z
（参考电压为VEE ）
推荐峰到
峰值电压转换成或
出开关
推荐静态或
动态电压
通过交换机**
（图5）
输出失调电压
抗性
VI / O
—
打开或关闭通道
0
VDD
0
—
VDD
0
VDD
VP-P
V
开关
—
通道上
0
600
0
—
600
0
300
mV
VOO
罗恩
—
10
15
VIN = 0 V ，空载
V
开关
500 mV的** ，
VIN = VIL或VIH
（控制）和VIN =
0 VDD （开关）
v
—
—
—
—
400
240
—
—
—
10
120
80
—
480
270
—
—
—
—
560
350
V
ΔON
之间的电阻
任意两个通道
在同一个包
关信道泄漏
电流（图10）
R
on
10
15
15
VIN = VIL或VIH
（控制）信道来
信道或任何一个
通道
抑制= VDD
抑制= VDD
销不相邻
相邻引脚
—
—
—
—
±
100
—
—
—
15
10
±
0.05
—
—
±
100
—
—
—
—
—
±
1000
IOFF
nA
电容，开关I / O
电容，普通的O / I
电容，穿心
（通道关闭）
CI / O
CO / I
CI / O
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
20
0.15
0.47
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
pF
pF
pF
#Data标有“典型值”不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**对于电压降的开关（ ΔVswitch ） > 600毫伏（ > 300 mV的高温） ，过度VDD电流可以得出;即
电流从开关可同时含有VDD和切换输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大
收视率都超过了。 （请参见本数据手册的第一页。 ）
MC14529B
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
SWTCHING特性
（ TA = 25
_
C)
特征
输入电压Vout的传输延迟时间
（ CL = 50 pF的， RL = 1.0千欧）
传播延迟时间，以控制
输出， VIN = VDD或VSS
（ CL = 50 pF的， RL = 1.0千欧）
串扰，控制到输出
（ CL = 50 pF的， RL = 1.0千欧
狂胜= 10千欧）
控制输入脉冲频率
（ CL = 50 pF的， RL = 1.0千欧）
噪声电压
（ F = 100赫兹）
科幻gure
7
符号
tPLH的，的TPH1
VSS
0.0
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
正弦波失真
（ VIN = 1.77伏RMS
中心@ 0.0伏直流电，
RL = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
关道泄漏电流
（ VIN = + 5.0伏，输出电压= - 5.0 V直流）
（ VIN = - 5.0伏，输出电压= + 5.0伏）
（ VIN = + 7.5伏，输出电压= - 7.5 V直流）
（ VIN = - 7.5伏，输出电压= + 7.5伏）
插入损耗
（ VIN = 1.77伏
RMS中心@ 0.0伏直流电，
F = 1.0兆赫）
Iloss = 20 LOG10 （ VOUT / VIN ）
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
带宽（ - 3 dB为单位）
（ VIN = 1.77伏
中心@ 0.0伏RMS）
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
馈通和串扰
20 LOG10 （ VOUT / VIN ） = - 50分贝
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
—
—
– 5.0
5.0
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
20
10
8.0
140
70
50
5.0
5.0
5.0
5.0
10
12
24
25
30
12
12
15
0.36
最大
40
20
15
400
160
120
—
—
2.5
6.2
8.3
—
—
—
—
—
—
—
%
兆赫
单位
ns
8
tPLZ ， tPZL ，
tPHZ ， tPZH
—
0.0
ns
9
0.0
mV
10
鳍
0.0
11, 12
—
0.0
内华达州/
回循环
—
IOFF
– 5.0
– 5.0
– 7.5
– 7.5
5.0
5.0
7.5
7.5
5.0
—
—
—
—
nA
±
0.001
±
0.001
±
0.0015
±
0.0015
±
125
±
125
±
250
±
250
dB
13
—
– 5.0
—
—
—
—
—
BW
– 5.0
5.0
2.0
0.8
0.25
0.01
—
—
—
—
兆赫
—
—
—
—
—
—
– 5.0
5.0
—
—
—
—
35
28
27
26
—
—
—
—
兆赫
850
100
12
1.5
—
—
—
—
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14529B
3
VDD
STX
STY
A
B
X3
Y3
Z
W
VSS
引脚2 ，3，4 ，12，13和14是处于打开状态。
OUT
VSS
VSS = 0.0 V
VDD
VIN
V
VIL ： VC是从VSS上升，直到VC = VIL 。
VIL ：
在VC = VIL ： IS =
±
10
A
与VIN = VSS时，VOUT = VDD
VIL ：
VIN = VDD时，VOUT = VSS 。
VIH ：当VC = VIH VDD时，开关处于ON和RON
VIH ：
特定网络阳离子得到满足。
IS
1k
VN
图1.输出电压
测试电路
图2.噪声抗扰度
测试电路
VDD
STX = STY = VDD
ID
VDD
脉冲
发电机
OUT
10 k
fc
A0, A1
VSS
VIN
VIN
VSS
RL
VDD
OUT
PD = VDD ×内径
图3.静态功耗
测试电路
图4. RON特性
测试电路
典型RON与输入电压
250
R ON “ON”电阻（欧姆）
R ON “ON”电阻（欧姆）
VDD = 5 V
VSS = -5V
250
VDD = 10 V
VSS = 0 V
VDD = 15 V
VSS = 0 V
200
200
150
VDD = 7.5 V
VSS = -7.5 V
100
150
100
50
50
0
–10
–5
0
5
10
0
0
5
10
15
20
25
输入电压，输入电压（VDC ）
输入电压，输入电压（VDC ）
图5中。
图6 。
MC14529B
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
QQ：2880707522 复制
