【摩托罗拉半导体技术资料MC14519B4位和/或选择或四双通道数据选择器或四核异？ NOR"】,IC型号MC14519BD,MC14519BD PDF资料,MC14519BD经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14519B

4位和/或选择或

四双通道数据选择器

或四核异？ NOR"门

的MC14519B与MOS P沟道和N沟道构造

增强型器件在一个单片结构。这些补充

MOS逻辑门发现的主要用途，其中低功耗和/或高

抗噪声能力是需要的。

该器件提供了一个封装三种功能;一个4位和/或

选择，一个四双通道数据选择器，或四异或非门。

在所有输入端保护二极管

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

插入式替换为CD4019在大多数应用中

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

逻辑图

控制

输入

A

B

X0

Y0

X1

数据

输入

Y1

X2

Y2

9

14

6

7

4

5

2

3

13 Z3

12 Z2

11 Z1

10 Z0

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

真值表

控制输入

A

0

1

B

0

1

0

1

产量

Zn

0

Yn

Xn

xn

Yn

注： XN

YN意味着XN

（异或非） YN

X3 15

Y3

1

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14519B

1

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

价值

单位

V

- 0.5 + 18.0

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TSTG

TL

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

- 65至+ 150

260

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

焊接温度（ 8秒焊接）

mA

mW

引脚分配

Y3

X2

Y2

X1

Y1

X0

Y0

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

X3

B

Z3

Z2

Z1

Z0

A

_

C

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

3.5

7.0

11

民

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

典型值＃

0

最大

民

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

—

1.5

3.0

4.0

—

0.05

—

1.5

3.0

4.0

—

0.05

—

1.5

3.0

4.0

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

VOH

4.95

9.95

14.95

—

4.95

9.95

14.95

—

3.5

7.0

11

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

5.0

10

15

2.25

4.50

6.75

2.75

5.50

8.25

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

4.95

9.95

14.95

—

3.5

7.0

11

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

VDC

VIL

VDC

—

MADC

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

SINK

IIN

CIN

国际直拨电话

±

0.1

—

5.0

10

20

±

0.1

7.5

5.0

10

20

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 1.2

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.4

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.6

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.004 。

MC14519B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

传播延迟时间

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 165纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 82

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 65纳秒

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

5.0

10

15

5.0

10

15

民

—

典型值＃

100

50

40

250

115

90

最大

200

100

80

500

225

165

单位

ns

tPLH的，

的TPH1

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD +

VDD

脉冲

发电机

VIN

A

B

X0

Y0

X1

Y1

X2

Y2

X3

Y3

VSS

Z3

CL

Z2

CL

Z1

CL

VIN

90%

10%

占空比为50％

Z0

CL

20纳秒

VDD

VSS

国际空间站

500

F

图1.动态功耗测试电路和波形

VDD

20纳秒

脉冲

发电机

V

DD的Z0

B

X0

Z1

Y0

X1

Y1

Z2

X2

Y2

X3

Y3 V Z3

SS

CL

输出

CL

TPLH

CL

产量

50%

VOL

产量

输入

的TPH1

90%

50%

10%

TTHL

tTLH

的TPH1

VOH

90%

50%

10%

TPLH

20纳秒

VDD

VSS

VOH

VOL

图2.开关时间测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14519B

3

典型电路应用

数据寄存器选择比较

数据

时钟A

复位的

4位寄存器

Q1

Q2 Q3 Q4

MC14015B

双4位寄存器

4位寄存器B

Q1

Q2 Q3 Q4

数据B

时钟B

复位B

对照A

控制B

A

B

X0

X1

Z0

X3

Y0 Y1 Y2

MC14519B

及/或选择/ EXCL NOR

Z1

Z2

X2

Y3

Z3

倒置

MC14070B

四

异或

Q0

Q1

Q2

Q3

换算表

操作码

A

0

1

0

1

B

0

1

INV

0

1

0

1

0

1

0

1

Q0

0

1

X0

Y0

X0

Y0

X1

Q1

0

1

X1

Y1

X2

产量

Q2

0

1

X2

Y2

X3

Q3

0

1

X3

Y3

功能

抑制，全部为零

抑制，所有的人

对照A

控制A和反转

控制B

控制B和反转

异或非

异或

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14519B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

0.25 (0.010)

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14519B

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14519B

4位和/或选择或

四双通道数据选择器

或四核异？ NOR"门

的MC14519B与MOS P沟道和N沟道构造

增强型器件在一个单片结构。这些补充

MOS逻辑门发现的主要用途，其中低功耗和/或高

抗噪声能力是需要的。

该器件提供了一个封装三种功能;一个4位和/或

选择，一个四双通道数据选择器，或四异或非门。

在所有输入端保护二极管

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

插入式替换为CD4019在大多数应用中

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

塑料

陶瓷的

SOIC

逻辑图

控制

输入

A

B

X0

Y0

X1

数据

输入

Y1

X2

Y2

9

14

6

7

4

5

2

3

13 Z3

12 Z2

11 Z1

10 Z0

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

真值表

控制输入

A

0

1

B

0

1

0

1

产量

Zn

0

Yn

Xn

xn

Yn

注： XN

YN意味着XN

（异或非） YN

X3 15

Y3

1

VDD = 16 PIN

VSS = 8 PIN

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14519B

1

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

价值

单位

V

- 0.5 + 18.0

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TSTG

TL

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

±

10

500

- 65至+ 150

260

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

焊接温度（ 8秒焊接）

mA

mW

引脚分配

Y3

X2

Y2

X1

Y1

X0

Y0

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

X3

B

Z3

Z2

Z1

Z0

A

_

C

_

C

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

电气特性

（电压参考VSS）

特征

符号

VOL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

VIH

5.0

10

15

IOH

来源

5.0

10

15

IOL

5.0

10

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

0.64

1.6

4.2

—

3.5

7.0

11

民

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

典型值＃

0

最大

民

—

最大

单位

VDC

输出电压

VIN = VDD或0

“0”电平

0.05

—

1.5

3.0

4.0

—

0.05

—

1.5

3.0

4.0

—

0.05

—

1.5

3.0

4.0

“1”电平

输入电压= 0或Vdd的

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

“1”电平

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

输入电流

输入电容

（ VIN = 0 ）

静态电流

（每包）

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

VOH

4.95

9.95

14.95

—

4.95

9.95

14.95

—

3.5

7.0

11

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

0.51

1.3

3.4

—

5.0

10

15

2.25

4.50

6.75

2.75

5.50

8.25

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

4.95

9.95

14.95

—

3.5

7.0

11

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

0.36

0.9

2.4

—

VDC

VIL

VDC

—

MADC

—

±

1.0

—

150

300

600

MADC

SINK

IIN

CIN

国际直拨电话

±

0.1

—

5.0

10

20

±

0.1

7.5

5.0

10

20

μAdc

pF

μAdc

IT

IT = （ 1.2

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 2.4

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 3.6

μA /千赫）

F + IDD

μAdc

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.004 。

MC14519B

2

摩托罗拉CMOS逻辑数据

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

特征

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒

传播延迟时间

tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 165纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 82

tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 65纳秒

符号

tTLH ，

TTHL

VDD

5.0

10

15

5.0

10

15

民

—

典型值＃

100

50

40

250

115

90

最大

200

100

80

500

225

165

单位

ns

tPLH的，

的TPH1

ns

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

VDD +

VDD

脉冲

发电机

VIN

A

B

X0

Y0

X1

Y1

X2

Y2

X3

Y3

VSS

Z3

CL

Z2

CL

Z1

CL

VIN

90%

10%

占空比为50％

Z0

CL

20纳秒

VDD

VSS

国际空间站

500

F

图1.动态功耗测试电路和波形

VDD

20纳秒

脉冲

发电机

V

DD的Z0

B

X0

Z1

Y0

X1

Y1

Z2

X2

Y2

X3

Y3 V Z3

SS

CL

输出

CL

TPLH

CL

产量

50%

VOL

产量

输入

的TPH1

90%

50%

10%

TTHL

tTLH

的TPH1

VOH

90%

50%

10%

TPLH

20纳秒

VDD

VSS

VOH

VOL

图2.开关时间测试电路和波形

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14519B

3

典型电路应用

数据寄存器选择比较

数据

时钟A

复位的

4位寄存器

Q1

Q2 Q3 Q4

MC14015B

双4位寄存器

4位寄存器B

Q1

Q2 Q3 Q4

数据B

时钟B

复位B

对照A

控制B

A

B

X0

X1

Z0

X3

Y0 Y1 Y2

MC14519B

及/或选择/ EXCL NOR

Z1

Z2

X2

Y3

Z3

倒置

MC14070B

四

异或

Q0

Q1

Q2

Q3

换算表

操作码

A

0

1

0

1

B

0

1

INV

0

1

0

1

0

1

0

1

Q0

0

1

X0

Y0

X0

Y0

X1

Q1

0

1

X1

Y1

X2

产量

Q2

0

1

X2

Y2

X3

Q3

0

1

X3

Y3

功能

抑制，全部为零

抑制，所有的人

对照A

控制A和反转

控制B

控制B和反转

异或非

异或

该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，

必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗

电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS

≤

（ VIN或VOUT ）

≤

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ）。未使用的输出必须

悬空。

MC14519B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

0.25 (0.010)

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14519B

5