MC14517B
双64位静态移位
注册
该MC14517B双64位静态移位寄存器由两
相同的，独立的64位寄存器。每个寄存器有独立的时钟
和写使能输入端，以及输出的比特16 ， 32，48，和64的数据
在数据输入由时钟写入的状态，无论输入
使能输入。输出被禁用（开路）时，写使能
输入为高。在这段时间内，数据出现在数据输入的以及
16位， 32位和48位的抽头可以通过输入到该设备
应用程序的一个时钟脉冲。此功能允许要加载的寄存器
用64位的16个时钟周期，并且还允许总线的逻辑来使用。
此设备中的时间延迟电路是有用的，临时存储器存储
电路，以及其他的串行移位寄存器的应用程序。
特点
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记号
图表
16
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC14516BCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
DW后缀
CASE 751G
1
14517B
AWLYYWWG
在所有输入端保护二极管
全静态操作
输出转换发生在时钟脉冲的上升沿
极慢速输入转换率可以应用到
时钟输入
三态输出在第64位，允许使用的总线逻辑的应用
任何长度移位寄存器可满载16个时钟
脉冲
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
参数
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY ，Y =年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
引脚分配
Q16
A
Q48
A
WE
A
C
A
Q64
A
Q32
A
D
A
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
Q16
B
Q48
B
WE
B
C
B
Q64
B
Q32
B
D
B
最大额定值
（电压参考V
SS
)
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
每个封装功耗（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
订购信息
mW
°C
°C
°C
MC14517BDW
MC14517BDWG
MC14517BDWR2
MC14517BDWR2G
设备
MC14517BCP
MC14517BCPG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
航运
25单位/铁
25单位/铁
47/Rail
47/Rail
1000 /磁带和放大器;卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW ”
包： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
SOIC - 16 1000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号：
MC14517B/D
MC14517B
功能真值表
（ X =无关）
时钟
0
0
1
1
写
启用
0
1
0
1
0
1
0
1
数据
X
X
X
X
输入的数据
进入1号位
输入的数据
进入1号位
X
X
16位点击
的16位的内容
显示
高阻抗
的16位的内容
显示
高阻抗
的16位的内容
显示
在水龙头数据
进入到17位
的16位的内容
显示
高阻抗
32位点击
的32位的内容
显示
高阻抗
的32位的内容
显示
高阻抗
的32位的内容
显示
在水龙头数据
进入到33位
的32位的内容
显示
高阻抗
48位点击
48位内容
显示
高阻抗
48位内容
显示
高阻抗
48位内容
显示
在水龙头数据
进入到49位
48位内容
显示
高阻抗
64位点击
64位内容
显示
高阻抗
64位内容
显示
高阻抗
64位内容
显示
高阻抗
64位内容
显示
高阻抗
电气特性
（电压参考V
SS
)
55_C
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
V
OH
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容（V
in
= 0)
静态电流（每包）
V
IL
VDC
来源
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流（注3，注4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
三态泄漏电流
I
T
I
T
= (4.2
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (8.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (13.7
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
I
TL
15
±
0.1
±
0.0001
±
0.1
±
3.0
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.004 。
http://onsemi.com
2
MC14517B
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
符号
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
t
WH
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
0
10
15
150
75
35
400
200
110
380
180
100
民
330
125
100
典型值
（注6 ）
100
50
40
475
210
140
170
75
60
3.0
6.7
8.3
见（注7 ）
– 40
– 15
0
75
25
10
170
65
50
160
55
40
ns
最大
200
100
80
770
300
215
1.5
4.0
5.3
ns
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.65纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 390纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 177纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 115纳秒
时钟脉冲宽度
t
TLH
, t
THL
t
PLH
, t
PHL
ns
时钟脉冲频率
f
cl
兆赫
时钟脉冲的上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
数据时钟的建立时间
t
su
数据时钟保持时间
t
h
ns
写使能时钟建立时间
t
su
ns
写使能时钟发布时间
t
REL
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
7.当移位寄存器的部分进行级联的最大上升时间和下降时钟输入的时间应等于或小于上升和下降
时间的数据输出，驱动数据输入端，与输出驱动级的传播延迟。
V
DD
C
L
C
L
C
L
C
L
D
C
WE
Q16 Q32 Q48 Q64
V
SS
50
mF
I
D
C
L
C
L
C
L
C
L
D
重复波形
f
o
V
DD
C
V
SS
V
DD
D
(f = 1/2 f
o
)
V
SS
C
D
C
WE
Q16 Q32 Q48 Q64
图1.功耗测试电路和波形
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3
QQ：2880707522 复制
