MC14516B
二进制加/减计数器
的MC14516B同步向上/向下二进制计数器是
用的MOS P沟道和N沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。
这个计数器可以通过应用所期望的值，在二进制中预设，
到预置输入端（ P0，P1 ，P2，P3 ）中，然后使所述预设
使能（ PE）高。计数的方向是通过将受控
高（最多计算）或低（为减计数）到
UP / DOWN输入。计数器的状态上的积极变化
时钟输入的过渡。
级联可以通过进位输出连接到完成
携带在下一阶段的同时，时钟并联每个计数器。该
输出（ Q0，Q1 ，Q2，Q3 ），可被复位到低状态通过施加高
到复位（R）端子。
此CMOS计数器发现的主要用途在上/下和区别
计数。其他应用包括： （ 1）频率合成器
应用中的低功耗和/或高噪声抗扰度
是期望的， （2）模拟 - 数字和数字 - 模拟转换，
（3 ）大小和符号生成。
特点
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记号
图表
16
MC14516BCP
AWLYYWWG
1
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
14516BG
AWLYWW
1
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高速
逻辑边缘超频设计 - 伯爵出现在正向
时钟边缘
单引脚复位
异步预置启用操作
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基负载超过额定温度范围
无铅包可用*
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
1
MC14516B
ALYWG
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
该器件包含保护电路，以
不受损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免
超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正确
操作时， V
in
和V
OUT
应限制到
范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的
逻辑电压电平（例如，无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW ”
包： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 启示录7
出版订单号：
MC14516B/D
MC14516B
引脚分配
PE
Q3
P3
P0
携带
Q0
完成
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
C
Q2
P2
P1
Q1
U / D
R
1
5
9
10
15
4
12
13
3
框图
PE
携带
RESET
上/下
时钟
P0
P1
P2
P3
携带
OUT
V
DD
= 16 PIN
V
SS
= 8 PIN
7
Q3
2
Q2
14
Q1
11
Q0
6
真值表
携带
1
0
0
X
X
上/下
X
1
0
X
X
可以预设
0
0
0
1
X
RESET
0
0
0
0
1
X
X
时钟
X
行动
无计数
计数
倒计时
预设
RESET
X =无关
注：向上计数时，进位输出信号通常是高是低，只有当通过Q3 Q0高，携带低。当
倒计时，贯彻低，只有当Q0通过Q3和携带低。
订购信息
设备
MC14516BCP
MC14516BCPG
MC14516BD
MC14516BDG
MC14516BDR2
MC14516BDR2G
MC14516BF
MC14516BFG
MC14516BFEL
MC14516BFELG
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
50单位/铁
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MC14516B
电气特性
（电压参考V
SS
)
55_C
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
I
DD
I
DD
I
DD
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
V
OH
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容（V
in
= 0)
静态电流（每包）
V
IL
VDC
来源
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流（注3，注4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
I
T
I
T
= (0.58
毫安/千赫）
f +
I
T
= (1.20
毫安/千赫）
f +
I
T
= (1.70
毫安/千赫）
f +
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。
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3
MC14516B
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
所有类型
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
最大
200
100
80
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间
时钟到Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
时钟贯彻
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
开展能实施
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
预设或重置为Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 230纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
预设或重置为贯彻
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
复位脉冲宽度
t
PLH
,
t
PHL
ns
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
380
200
160
350
170
140
650
230
180
260
120
100
0
20
20
500
200
150
– 70
– 10
0
– 40
– 30
– 25
480
420
420
200
100
80
315
130
100
315
130
100
180
80
60
315
130
100
550
225
150
190
100
80
200
100
75
3.0
6.0
8.0
325
115
90
130
60
50
– 60
– 20
0
250
100
75
– 160
– 60
– 40
– 120
– 70
– 50
240
210
210
100
50
40
630
260
200
ns
630
260
200
ns
360
160
120
ns
630
360
200
ns
1100
450
300
1.5
3.0
4.0
15
5
4
ms
ns
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
w
时钟脉冲宽度
t
WH
ns
时钟脉冲频率
f
cl
兆赫
预设或复位移走时间
预置或复位信号必须为低电平前的
正向的时钟的转换。
时钟的上升和下降时间
t
REM
ns
t
TLH
,
t
THL
t
su
建立时间
携带时钟
保持时间
时钟携带
建立时间
向上/向下时钟
保持时间
时钟上/下
建立时间
PN到PE
保持时间
PE至Pn
预设启用脉冲宽度
ns
t
h
ns
t
su
ns
t
h
ns
t
su
ns
t
h
ns
t
WH
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
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4
QQ：2881677436 复制
