MC14514B ， MC14515B
4位透明锁存器/
4至16线译码器
的MC14514B和MC14515B是一个4到16的两个输出选项
线译码器与锁存输入。该MC14514B （输出高电平有效
选项）代表一个逻辑“1”时所选择的输出，而
在MC14515B （输出低电平有效选项）代表一个逻辑“0”的
选定的输出。闩锁是R-S型触发器夹持所述
最后输入的数据呈现之前，从“1”到“0”的选通信号的过渡。
这些高和低4位锁存器/ 4至16线译码器的选项是
与N沟道和P沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。该锁存器R- S型
触发器和数据是在选通信接纳后的信号事件
输入，解码，并在输出端呈现。
这些互补电路找到解码的主要用途
应用中的低功耗和/或高噪声抗扰度
是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
24
1
PDIP24
P后缀
CASE 709
1
MC145xxBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载的额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
每个封装功耗（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
1
SOIC24
DW后缀
CASE 751E
24
MC145xxB
AWLYYWWG
1
xx
A
WL
YY
WW
G
= 14或15的
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
mW
°C
°C
°C
ST
D1
D2
S7
S6
S5
S4
S3
S1
S2
S0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD
INH
D4
D3
S10
S11
S8
S9
S14
S15
S12
S13
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：塑料“P和D / DW ”
包： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号：
MC14514B/D
MC14514B ， MC14515B
框图
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
11
9
10
8
7
6
5
4
18
17
20
19
14
13
16
15
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
DECODE真值表
（频闪= 1 ） *
数据输入
选定的输出
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
MC14514 =逻辑“ 1 ”
MC14515 =逻辑“ 0 ”
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
所有输出= 0时， MC14514
所有输出= 1 ， MC14515
V
DD
= 24 PIN
V
SS
= 12 PIN
数据1
数据2
数据3
数据4
频闪
2
3
21
22
1
透明
LATCH
A
B
C
D
4到16个
解码器
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
D
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
C
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
抑制
23
X =无关
*频闪= 0时，数据被锁存
订购信息
设备
MC14514BCP
MC14514BCPG
MC14514BDW
MC14514BDWR2
MC14514BDWR2G
MC14515BCP
MC14515BCPG
MC14515BDW
MC14515BDWR2
MC14515BDWR2G
包
PDIP24
PDIP24
（无铅）
SOIC24
SOIC24
SOIC24
（无铅）
PDIP24
PDIP24
（无铅）
SOIC24
SOIC24
SOIC24
（无铅）
1000 /磁带&卷轴
15单位/铁
30单位/铁
1000 /磁带&卷轴
15单位/铁
30单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MC14514B ， MC14515B
电气特性
（电压参考V
SS
)
55_C
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
0.51
1.3
3.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MADC
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
（注2 ）
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
V
OH
VDC
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容（V
in
= 0)
静态电流（每包）
V
IL
VDC
来源
SINK
I
in
C
in
I
DD
MADC
pF
MADC
总电源电流（注3，注4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
I
TL
I
T
= (1.35
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.70
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (4.05
毫安/千赫）
F +我
DD
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：我
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF，
V = (V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
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3
MC14514B ， MC14515B
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
所有类型
典型值
（注6 ）
180
90
65
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
– 100
– 40
– 30
175
50
38
特征
符号
t
TLH
5.0
10
15
t
THL
5.0
10
15
t
PLH
,
t
PHL
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
保持时间选通数据
t
h
5.0
10
15
5.0
10
15
250
100
75
– 20
0
10
350
100
75
200
100
80
ns
1100
450
300
ns
800
300
200
ns
ns
360
180
130
ns
V
DD
民
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间;数据选通至S
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.86纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
禁止传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 315纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 117纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
建立时间数据选通
t
PLH
,
t
PHL
t
su
选通脉冲宽度
t
WH
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
V
DS
频闪
抑制
对于MC14514B
1.对于P沟道：禁止= V
SS
1.
和D1D4构成
1.
二进制码为“输出
1.
在测试“ 。
2.对于N沟道：禁止= V
DD
D1
D2
D3
D4
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
V
SS
对于MC14515B
1.对于P沟道：禁止= V
DD
2.对于N沟道：禁止= V
SS
2.
和D1D4构成的二进制
2.
为代码“下测试输出”。
I
D
外
电源
图1.排放特性测试电路
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
4位透明
锁存器/ 4至16线译码器
的MC14514B和MC14515B是一个4到16线的两个输出选项
解码器锁存输入。该MC14514B （输出高电平有效的选项）
提出了一个逻辑“1”时所选择的输出，而MC14515B （输出
有源低选项）代表一个逻辑“0” ，在选定的输出。锁存器
是R-S型触发器其中保持之前所呈现的最后一个输入数据
从“1”到“0”频闪过渡。这些高和低4位的选择锁存器/ 4
至16线译码器与N沟道和P沟道构成
增强型器件在一个单片结构。该锁存器
R-S型触发器和数据的选通脉冲被接纳后，入射的信号
输入，解码，并在输出端呈现。
这些互补电路查找解码应用的主要用途
其中，低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
MC14514B
MC14515B
L结尾
陶瓷的
CASE 623
P后缀
塑料
CASE 709
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
500
- 65至+ 150
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
输入或输出电压（ DC或瞬态）
0.5 VDD + 0.5
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
DW后缀
SOIC
CASE 751E
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBDW
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
TL
焊接温度（ 8秒焊接）
260
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
DECODE真值表
（频闪= 1 ） *
数据输入
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
D
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
C
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
选定的输出
MC14514 =逻辑“ 1 ”
MC14515 =逻辑“ 0 ”
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
所有输出= 0时， MC14514
所有输出= 1 ， MC14515
框图
VDD = 24 PIN
VSS = 12 PIN
数据1
数据2
数据3
数据4
频闪
2
3
21
22
A
B
透明
C
LATCH
D
4到16个
解码器
1
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
11
9
10
8
7
6
5
4
18
17
20
19
14
13
16
15
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
ABCD
X =无关
*频闪= 0时，数据被锁存
抑制
REV 3
1/94
23
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14514B MC14515B
385
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
ITL
IT = （ 1.35
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.70
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 4.05
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，
必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗
电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ） 。未使用的输出必须
悬空。
MC14514B MC14515B
386
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
所有类型
典型值＃
180
90
65
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
– 100
– 40
– 30
175
50
38
符号
tTLH
VDD
5.0
10
15
TTHL
5.0
10
15
tPLH的，
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
th
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
100
75
– 20
0
10
350
100
75
200
100
80
ns
1100
450
300
ns
800
300
200
ns
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
民
—
—
—
最大
360
180
130
ns
单位
ns
输出上升时间
tTLH = （ 3.0纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tTLH = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tTLH = （ 1.1纳秒/ PF ） CL + 10纳秒
输出下降时间
TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
传播延迟时间;数据选通至S
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 465纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.86纳秒/ PF ） CL + 192纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 125纳秒
禁止传播延迟时间
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 315纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 117纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
建立时间
数据选通
tPLH的，
的TPH1
TSU
保持时间
选通数据
选通脉冲宽度
亿千瓦时
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
VDS
频闪
抑制
对于MC14514B
1.对于P沟道：禁止VSS =
1.
和D1D4构成
1.
二进制码为“输出
1.
在测试“ 。
2.对于N沟道：禁止VDD =
D1
D2
D3
D4
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
VSS
对于MC14515B
1.对于P沟道：禁止VDD =
2.对于N沟道：禁止VSS =
2.
和D1D4构成的二进制
2.
为代码“下测试输出”。
ID
外
电源
图1.排放特性测试电路
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14514B MC14515B
387
MC14514B ， MC14515B
4位透明
锁存器/ 4至16线译码器
的MC14514B和MC14515B是一个4到16的两个输出选项
线译码器与锁存输入。该MC14514B （输出高电平有效
选项）代表一个逻辑“1”时所选择的输出，而
在MC14515B （输出低电平有效选项）代表一个逻辑“0”的
选定的输出。闩锁是R-S型触发器夹持所述
最后输入的数据呈现之前，从“1”到“0”的选通信号的过渡。
这些高和低4位锁存器/ 4至16线译码器的选项是
与N沟道和P沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。该锁存器R- S型
触发器和数据是在选通信接纳后的信号事件
输入，解码，并在输出端呈现。
这些互补电路找到解码的主要用途
应用中的低功耗和/或高噪声抗扰度
是需要的。
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24
PDIP–24
P后缀
CASE 709
1
记号
图表
MC145XXBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注1 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注2 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
SOIC–24
DW后缀
CASE 751E
24
145XXB
AWLYYWW
1
mA
mW
°C
°C
°C
XX
=具体设备守则
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC14514BCP
MC14514BDW
MC14514BDWR2
MC14515BCP
MC14515BDW
MC14515BDWR2
包
PDIP–24
SOIC–24
SOIC–24
PDIP–24
SOIC–24
SOIC–24
航运
15/Rail
30/Rail
1000 /磁带和放大器;卷轴
15/Rail
30/Rail
1000 /磁带和放大器;卷轴
1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
2.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
到范围V
SS
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14514B/D
MC14514B ， MC14515B
电气特性
（电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值
(3.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(4.) (5.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
TL
I
T
= (1.35
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.70
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (4.05
μA /千赫）
F +我
DD
μAdc
3.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
4.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
5.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
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3
MC14514B ， MC14515B
开关特性
(6.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
所有类型
典型值
(7.)
180
90
65
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
– 100
– 40
– 30
175
50
38
符号
t
TLH
V
DD
5.0
10
15
t
THL
5.0
10
15
t
PLH
,
t
PHL
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
t
h
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
100
75
– 20
0
10
350
100
75
200
100
80
ns
1100
450
300
ns
800
300
200
ns
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
民
—
—
—
最大
360
180
130
ns
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间;数据选通至S
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 465纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.86纳秒/ PF ）C
L
+ 192纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 125纳秒
禁止传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 315纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 117纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
建立时间
数据选通
t
PLH
,
t
PHL
t
su
保持时间
选通数据
选通脉冲宽度
t
WH
ns
6.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
V
DS
频闪
抑制
对于MC14514B
1.对于P沟道：禁止= V
SS
1.
和D1D4构成
1.
二进制码为“输出
1.
在测试“ 。
2.对于N沟道：禁止= V
DD
D1
D2
D3
D4
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
V
SS
对于MC14515B
1.对于P沟道：禁止= V
DD
2.对于N沟道：禁止= V
SS
2.
和D1D4构成的二进制
2.
为代码“下测试输出”。
I
D
外
电源
图1.排放特性测试电路
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
