MC14512B
8通道数据选择器
的MC14512B是与构成一个8通道数据选择器
中的MOS P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。此数据选择器认定小学
在信号复用功能的应用程序。它也可用于
数据路由,数字信号交换,信号选通,并且数
序列生成。
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在所有输入端保护二极管
单电源供电
三态输出(逻辑“1” ,逻辑“ 0 ” ,高阻抗)
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14512BCP
AWLYYWW
1
16
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注NO TAG )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
14512B
AWLYWW
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
MC14512B
AWLYWW
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
设备
MC14512BCP
MC14512BD
MC14512BDR2
MC14512BF
MC14512BFL1
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
见注1 。
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装,请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14512B/D
MC14512B
电气特性
(电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
– 55
_
C
民
—
—
—
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值
(4.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
(每包)
总电源电流
(5.) (6.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
三态泄漏电流
V
IL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
T
I
T
= (0.8
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.6
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (2.4
μA /千赫)
F +我
DD
μAdc
I
TL
15
—
±
0.1
—
±
0.0001
±
0.1
—
±
3.0
μAdc
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的:
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
其中:I
T
在
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
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3
MC14512B
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C,参见图1)
所有类型
特征
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间(图2 )
抑制,控制或数据到Z
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
t
PHL
5.0
10
15
t
PHZ
, t
PLZ
,
t
PZH
, t
PZL
5.0
10
15
330
125
85
60
35
30
650
250
170
150
100
75
ns
典型值
(8.)
100
50
40
330
125
85
最大
200
100
80
ns
650
250
170
ns
单位
ns
t
PLH
传播延迟时间(图2 )
抑制,控制或数据到Z
三态输出的延迟时间(图3 )
“1”或“0”到高Z ,并且
高Z为“1”或“0”的
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
I
D
关闭
抑制
A
B
C
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
V
SS
V
DD
Z
C
L
V
in
50%
50%
税
周期
脉冲
发电机
图1.功耗测试电路和波形
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4
MC14512B
8通道数据选择器
的MC14512B是与构成一个8通道数据选择器
中的MOS P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。此数据选择器认定小学
在信号复用功能的应用程序。它也可用于
数据路由,数字信号交换,信号选通,并且数
序列生成。
特点
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记号
图表
16
MC14512BCP
AWLYYWWG
1
在所有输入端保护二极管
单电源供电
三态输出(逻辑“1” ,逻辑“ 0 ” ,高阻抗)
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
(电压参考V
SS
)
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,每包(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
PDIP16
P后缀
CASE 648
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
14512BG
AWLYWW
1
A
WL
YY, Y
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额:塑料“P和D / DW ”
包: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年11月 - 修订版7
出版订单号:
MC14512B/D
MC14512B
真值表
C
0
0
0
0
1
1
1
1
X
X
注意:
B
0
0
1
1
0
0
1
1
X
X
X =无关
A
0
1
0
1
0
1
0
1
X
X
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
关闭
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
Z
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
0
高阻抗
引脚分配
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
DIS
Z
C
B
A
INH
X7
订购信息
设备
MC14512BCP
MC14512BCPG
MC14512BD
MC14512BDG
MC14512BDR2
MC14512BDR2G
包
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
2500 /磁带&卷轴
48单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MC14512B
电气特性
(电压参考V
SS
)
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
输入电流
输入电容(V
in
= 0)
静态电流
(每包)
总电源电流(注3 ) (注4 )
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
三态泄漏电流
来源
V
IH
5.0
10
15
I
OH
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
MAD
c
55_C
25_C
125_C
特征
符号
V
OL
民
4.95
9.95
14.95
最大
民
4.95
9.95
14.95
典型值
(注2 )
0
0
0
5.0
10
15
2.25
4.50
6.75
最大
民
4.95
9.95
14.95
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
“0”电平
V
OH
VDC
V
IL
VDC
SINK
MAD
c
MADC
pF
MADC
I
in
C
in
I
DD
I
T
I
T
= (0.8
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (1.6
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (2.4
毫安/千赫)
F +我
DD
MADC
I
TL
15
±
0.1
±
0.0001
±
0.1
±
3.0
MADC
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:我
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK其中:I
T
在
mA
(每包) ,C
L
在PF,
V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
开关特性
(注5 ) (C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C ,参见图1)
所有类型
特征
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.5纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.75纳秒/ PF )C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.55纳秒/ PF )C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间(图2 )
抑制,控制或数据到Z
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
t
PHL
5.0
10
15
t
PHZ
, t
PLZ
,
t
PZH
, t
PZL
5.0
10
15
330
125
85
60
35
30
650
250
170
150
100
75
ns
典型值
(注6 )
100
50
40
330
125
85
最大
200
100
80
ns
650
250
170
ns
单位
ns
t
PLH
传播延迟时间(图2 )
抑制,控制或数据到Z
三态输出的延迟时间(图3 )
“1”或“0”到高Z ,并且
高Z为“1”或“0”的
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
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3