【MC14511BBCD到七段锁存器/解码器/驱动器该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱】,IC型号MC14511BDWR2,MC14511BDWR2 PDF资料,MC14511BDWR2经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC14511B

BCD到七段

锁存器/解码器/驱动器

该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器是

用互补型MOS （ CMOS）的增强模式构造

设备和NPN双极性输出驱动器在一个单一的整体结构。

该电路提供了一个4比特存储锁存器的功能，一个8421

BCD到7段译码器，和一个输出驱动能力。灯

试验（ LT）消隐（ BI）和锁存使能（ LE）的输入被用来测试

显示，以关断或脉冲调制该显示器的亮度，并

存储一个BCD码，分别。它可以与七段使用

发光二极管（LED），白炽灯，荧光灯，气体放，

或液晶读数直接或间接的影响。

应用领域包括仪器（如柜台， DVM等）的展示

驱动程序，计算机/计算器显示驱动器，座舱显示驱动器和

各种时钟，手表，和定时器的用途。

http://onsemi.com

记号

图表

16

PDIP–16

P后缀

CASE 648

MC14511BCP

AWLYYWW

1

16

SOIC–16

后缀

CASE 751B

1

16

SOIC–16

DW后缀

CASE 751G

1

16

SOEIAJ–16

后缀f

CASE 966

1

A

=大会地点

WL或L =晶圆地段

YY或Y =年

WW或W =工作周

MC14511B

AWLYWW

14511B

AWLYWW

低逻辑电路功耗

高电流源输出（高达25 mA）的

锁码的存储

消隐输入

灯测试提供

读数盲区的所有非法输入组合

灯光强度调制能力

时间分享（复用）设施

电源电压范围为3.0 V至18 V

可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗

肖特基TTL负载或两个HTL负载超过额定温度

范围

芯片的复杂性： 216场效应管或54个等效门

所有输入三重保护二极管

最大额定值

（电压参考V

SS

)

(2.)

符号

V

DD

V

in

I

P

D

T

A

T

英镑

I

OHMAX

P

OHMAX

参数

直流电源电压范围

输入电压范围内，所有输入

DC每个输入引脚漏电流

功耗，

每包

(3.)

工作温度范围

存储温度范围

最大输出驱动电流

（来源）每路输出

最大连续输出

功率（来源）每路输出

(4.)

价值

- 0.5至18.0

- 0.5 V

DD

+ 0.5

10

500

- 55 + 125

- 65 + 150

25

50

单位

V

mA

mW

°C

mA

AWLYYWW

订购信息

设备

MC14511BCP

MC14511BD

MC14511BDW

MC14511BDWR2

MC14511BF

MC14511BFEL

包

PDIP–16

SOIC–16

SOEIAJ–16

航运

2000/Box

48/Rail

47/Rail

1000 /磁带和放大器;卷轴

见注1 。

2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。

3.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

4. P

OHMAX

= I

OH

(V

DD

– V

OH

)

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1.对于订购信息的EIAJ版

的SOIC封装，请联系您当地的

安森美半导体的代表。

1

2000年3月 - 第3版

出版订单号：

MC14511B/D

MC14511B

该器件包含保护电路，以防止损伤的投入，由于高静电压或电场。然而，建议

正常的预防措施，以避免应用程序超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高的任何电压。一

(V

in

或V

OUT

)

V

DD

.

破坏性的高电流模式下，如果可能会出现V

in

和V

OUT

不限制到范围V

SS

由于该电路的采购能力，损害可能发生的设备若V

DD

被施加，并且在输出端被短路到V

SS

并且是在一个

逻辑1 （见最大额定值）。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，无论是V

SS

或V

DD

).

v

引脚分配

B

C

LT

BI

LE

D

A

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

f

g

a

b

c

d

e

d

f

a

g

b

c

显示

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

真值表

LE BI LT

X X 0

X 0 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

1

1 1

输入

D

C

X

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

X

B

X

0

1

0

1

0

1

0

1

X

A

X

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

X

a

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

b

1

0

1

0

1

0

c

1

0

1

0

d

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

*

输出

e

f

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

g

1

0

1

0

1

0

显示

8

空白

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

空白

*

X =无关

*取决于BCD码以前应用在LE = 0

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2

MC14511B

电气特性

（电压参考V

SS

)

特征

符号

V

OL

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

V

IH

5.0

10

15

V

OH

来源

5.0

4.1

—

3.9

—

3.4

—

9.1

—

9.0

—

8.6

—

14.1

—

14

—

13.6

—

0.64

1.6

4.2

—

±

0.1

—

5.0

10

20

4.1

—

3.9

—

3.4

—

9.1

—

9.0

—

8.6

—

14.1

—

14

—

13.6

—

0.51

1.3

3.4

—

4.57

4.24

4.12

3.94

3.70

3.54

9.58

9.26

9.17

9.04

8.90

8.70

14.59

14.27

14.18

14.07

13.95

13.70

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

—

±

0.1

7.5

5.0

10

20

4.1

—

3.5

—

3.0

—

9.1

—

8.6

—

8.2

—

14.1

—

13.6

—

13.2

—

0.36

0.9

2.4

—

±

1.0

—

150

300

600

μAdc

pF

μAdc

VDC

3.5

7.0

11

—

3.5

7.0

11

2.75

5.50

8.25

—

3.5

7.0

11

—

VDC

民

—

– 55

_

C

25

_

C

125

_

C

最大

民

—

典型值

(5.)

0

最大

民

—

最大

单位

VDC

输出电压

V

in

= V

DD

或0

“0”电平

0.05

—

1.5

3.0

4.0

0.05

—

1.5

3.0

4.0

0.05

—

1.5

3.0

4.0

VDC

“1”电平

V

in

= 0或V

DD

输入电压＃

“0”电平

(V

O

= 3.8或0.5伏）

(V

O

= 8.8或1.0伏）

(V

O

= 13.8或1.5伏）

“1”电平

(V

O

= 0.5或3.8伏）

(V

O

= 1.0或8.8伏）

(V

O

= 1.5或13.8伏）

输出驱动电压

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

输出驱动电流

(V

OL

= 0.4 V)

(V

OL

= 0.5 V)

(V

OL

= 1.5 V)

输入电流

输入电容

静态电流

（每包）V

in

= 0或V

DD

,

I

OUT

= 0

A

总电源电流

(6.) (7.)

（动态加静态，

每包）

(C

L

= 50 pF的所有输出，全

缓冲切换）

I

OL

SINK

5.0

10

15

I

in

C

in

I

DD

15

—

5.0

10

15

5.0

10

15

V

IL

—

2.25

4.50

6.75

—

V

OH

4.1

9.1

14.1

4.1

9.1

14.1

4.57

9.58

14.59

4.1

9.1

14.1

VDC

10

15

VDC

MADC

I

T

I

T

= (1.9

μA /千赫）

F +我

DD

I

T

= (3.8

μA /千赫）

F +我

DD

I

T

= (5.7

μA /千赫）

F +我

DD

μAdc

在最坏情况下的输入组合指定5.抗干扰能力。

噪声容限为“1”和“0”电平=

1.0伏分@ V

DD

= 5.0伏

2.0伏分@ V

DD

= 10 VDC

2.5伏分@ V

DD

± 15 VDC

6.给出的公式只在25的典型特征

_

C.

7.计算总电源电流在负载以外50 pF的：

I

T

(C

L

) = I

T

（ 50 pF的） + 3.5 ×10

–3

(C

L

– 50) V

DD

f

其中：I

T

在

A

（每包），C

L

在PF， V

DD

在伏之间，而f单位为kHz的输入频率。

http://onsemi.com

3

MC14511B

开关特性

(8.)

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25

_

C)

特征

符号

t

TLH

V

DD

VDC

5.0

10

15

t

THL

5.0

10

15

t

PLH

5.0

10

15

t

PHL

5.0

10

15

5.0

I0

15

t

PHL

5.0

10

15

5.0

10

15

t

PHL

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

100

40

30

60

40

30

520

220

130

640

250

175

720

290

200

600

200

150

485

200

160

313

125

90

313

125

90

—

260

110

65

1280

500

350

1440

580

400

ns

750

300

220

970

400

320

ns

625

250

180

625

250

180

—

ns

—

125

75

65

250

150

130

ns

民

—

典型值

40

30

25

最大

80

60

50

ns

单位

ns

输出上升时间

t

TLH

= （ 0.40纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

t

TLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 17.5纳秒

t

TLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 15纳秒

输出下降时间

t

THL

= （ 1.5纳秒/ PF ）C

L

+ 50纳秒

t

THL

= （ 0.75纳秒/ PF ）C

L

+ 37.5纳秒

t

THL

= （ 0.55纳秒/ PF ）C

L

+ 37.5纳秒

数据传输延迟时间

t

PLH

= （ 0.40纳秒/ PF ）C

L

+ 620纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 237.5纳秒

t

PLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 165纳秒

t

PHL

= （ 1.3纳秒/ PF ）C

L

+ 655纳秒

t

PHL

= （ 0.60纳秒/ PF ）C

L

+ 260纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 182.5纳秒

空白的传播延迟时间

t

PLH

= （ 0.30纳秒/ PF ）C

L

+ 585纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 187.5纳秒

t

PLH

= （ 0.15纳秒/ PF ）C

L

+ 142.5纳秒

t

PHL

= （ 0.85纳秒/ PF ）C

L

+ 442.5纳秒

t

PHL

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 177.5纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 142.5纳秒

灯测试传输延迟时间

t

PLH

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 290.5纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 112.5纳秒

t

PLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 80纳秒

t

PHL

= （ 1.3纳秒/ PF ）C

L

+ 248纳秒

t

PHL

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 102.5纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 72.5纳秒

建立时间

t

PLH

t

PLH

t

su

保持时间

t

h

ns

锁存使能脉冲宽度

t

WL

ns

8.给出的公式是只典型特征。

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4

MC14511B

输入LE低，输入D， BI和LT高。

中f相对于系统时钟。

连接到相应的C所有输出

L

负载。

20纳秒

A， B和C

90%

50%

1

2f

20纳秒

V

DD

10%

V

SS

V

OH

V

OL

占空比为50％

任何输出

50%

图1.动态功耗信号波形

20纳秒

输入的C

t

PLH

输出g

50%

10%

t

TLH

t

THL

90%

50%

10%

t

PHL

90%

20纳秒

V

DD

V

SS

V

OH

V

OL

（一）输入D和LE低，输入A ， B， BI与LT高。

20纳秒

90%

50%

t

h

t

su

V

DD

输入的C

50%

V

SS

V

OH

输出g

V

OL

V

DD

V

SS

LE

10%

（二）输入D低，输入A ， B， BI和LT高。

20纳秒

LE

90%

50%

10%

t

WL

20纳秒

V

DD

V

SS

（c）数据DCBA选通入锁存器。

图2.动态信号波形

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5

MC14511B

BCD至七段

锁存器/解码器/驱动器

该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器是

用互补型MOS （ CMOS）的增强模式构造

设备和NPN双极性输出驱动器在一个单一的整体结构。

该电路提供了一个4比特存储锁存器的功能，一个8421

BCD到7段译码器，和一个输出驱动能力。灯

试验（ LT）消隐（ BI）和锁存使能（ LE）的输入被用来测试

显示，以关断或脉冲调制该显示器的亮度，并

存储一个BCD码，分别。它可以与七段使用

发光二极管（LED），白炽灯，荧光灯，气体放，

或液晶读数直接或间接的影响。

应用领域包括仪器（如柜台， DVM等）的展示

驱动程序，计算机/计算器显示驱动器，座舱显示驱动器和

各种时钟，手表，和定时器的用途。

特点

http://onsemi.com

记号

图表

16

PDIP16

P后缀

CASE 648

16

MC14511BCP

AWLYYWWG

1

16

14511BG

AWLYWW

1

16

14511B

AWLYYWWG

低逻辑电路功耗

高电流源输出（高达25 mA）的

锁码的存储

消隐输入

灯测试提供

读数盲区的所有非法输入组合

灯光强度调制能力

时间分享（复用）设施

电源电压范围为3.0 V至18 V

可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗

肖特基TTL负载，或者两个HTL负载超过额定温度

范围

芯片的复杂性： 216场效应管或54个等效门

所有输入三重保护二极管

无铅包可用*

最大额定值

（电压参考V

SS

）（注1 ）

符号

V

DD

V

in

I

P

D

T

A

T

英镑

I

OHMAX

P

OHMAX

参数

直流电源电压范围

输入电压范围内，所有输入

DC每个输入引脚漏电流

功耗，

每包（注2 ）

工作温度范围

存储温度范围

最大输出驱动电流

（来源）每路输出

最大连续输出功率

（来源）每路输出（注3 ）

价值

0.5

至18.0

0.5

到V

DD

+ 0.5

10

500

55

+125

65

+150

25

50

单位

V

mA

mW

°C

mA

SO16

后缀

CASE 751B

SO16

DW后缀

CASE 751G

1

16

MC14511B

ALYWG

1

SOEIAJ16

后缀f

CASE 966

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

G

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第7页。

*有关我们的无铅策略的更多信息

和焊接的详细信息，请下载

安森美半导体焊接与安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。

2.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C

3. P

OHMAX

= I

OH

(V

DD

V

OH

)

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年9月，

启8

1

出版订单号：

MC14511B/D

MC14511B

该器件包含保护电路，以防止损伤的投入，由于高静电压或电场。

然而，应当注意，正常的采取预防措施，以避免应用超过最大额定电压更高的任何电压的

该高阻抗电路。如果V A破坏性的高电流模式可能会发生

in

和V

OUT

不限制到范围

V

SS

v

(V

in

或V

OUT

)

v

V

DD

.

由于该电路的采购能力，损害可能发生的设备若V

DD

被施加，并且在输出端被短路

到V

SS

而且在逻辑1 （见最大额定值）。

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，无论是V

SS

或V

DD

).

引脚分配

B

C

LT

BI

LE

D

A

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

f

g

a

b

c

d

e

d

f

a

g

b

c

显示

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

真值表

LE BI LT

X X 0

X 0 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

0

1 1

1

1 1

输入

D

C

X

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

X

B

X

0

1

0

1

0

1

0

1

X

A

X

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

X

a

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

b

1

0

1

0

1

0

c

1

0

1

0

1

0

d

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

*

输出

e

f

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

g

1

0

1

0

1

0

显示

8

空白

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

空白

*

X =无关

*取决于BCD码以前应用在LE = 0

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2

MC14511B

电气特性

（电压参考V

SS

)

V

DD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

55°C

25°C

125°C

特征

符号

V

OL

VDC

民

4.1

9.1

14.1

3.5

7.0

11

4.1

3.9

3.4

9.1

9.0

8.6

14.1

14

13.6

0.64

1.6

4.2

最大

民

4.1

9.1

14.1

3.5

7.0

11

4.1

3.9

3.4

9.1

9.0

8.6

14.1

14

13.6

0.51

1.3

3.4

典型值

（注4 ）

0

4.57

9.58

14.59

2.25

4.50

6.75

2.75

5.50

8.25

4.57

4.24

4.12

3.94

3.70

3.54

9.58

9.26

9.17

9.04

8.90

8.70

14.59

14.27

14.18

14.07

13.95

13.70

0.88

2.25

8.8

±

0.00001

5.0

0.005

0.010

0.015

最大

民

4.1

9.1

14.1

3.5

7.0

11

4.1

3.5

3.0

9.1

8.6

8.2

14.1

13.6

13.2

0.36

0.9

2.4

最大

单位

VDC

输出电压

V

in

= V

DD

或0

V

in

= 0或V

DD

“0”电平

0.05

1.5

3.0

4.0

±

0.1

5.0

10

20

0.05

1.5

3.0

4.0

±

0.1

7.5

5.0

10

20

0.05

1.5

3.0

4.0

±

1.0

150

300

600

“1”电平

V

OH

VDC

输入电压＃

“0”电平

(V

O

= 3.8或0.5伏）

(V

O

= 8.8或1.0伏）

(V

O

= 13.8或1.5伏）

(V

O

= 0.5或3.8伏）

(V

O

= 1.0或8.8伏）

(V

O

= 1.5或13.8伏）

输出驱动电压

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

(I

OH

= 0 mA时）

(I

OH

= 5.0 mA）的

(I

OH

= 10 mA）的

(I

OH

= 15 mA）的

(I

OH

= 20 mA）的

(I

OH

= 25 mA）的

输出驱动电流

(V

OL

= 0.4 V)

(V

OL

= 0.5 V)

(V

OL

= 1.5 V)

输入电流

输入电容

静态电流

（每包）V

in

= 0或V

DD

,

I

OUT

= 0

mA

总电源电流（注5 & 6 ）

（动态加静态，

每包）

(C

L

= 50 pF的所有输出，全

缓冲切换）

SINK

I

OL

“1”电平

V

IL

VDC

V

IH

VDC

来源

V

OH

VDC

10

VDC

15

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

MADC

I

in

C

in

I

DD

MADC

pF

MADC

I

T

I

T

= (1.9

毫安/千赫）

F +我

DD

I

T

= (3.8

毫安/千赫）

F +我

DD

I

T

= (5.7

毫安/千赫）

F +我

DD

MADC

在最坏情况下的输入组合指定4.抗干扰能力。

噪声容限为“1”和“0”电平=

1.0伏分@ V

DD

= 5.0伏

2.0伏分@ V

DD

= 10 VDC

2.5伏分@ V

DD

± 15 VDC

5.给定的公式仅用于在25℃下的典型特征。

6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：

I

T

(C

L

) = I

T

（ 50 pF的） + 3.5 ×10

–3

(C

L

– 50) V

DD

f

其中：I

T

在

mA

（每包），C

L

在PF， V

DD

在伏之间，而f单位为kHz的输入频率。

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3

MC14511B

开关特性

（注7 ）

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25°C)

特征

符号

t

TLH

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

民

100

40

30

60

40

30

520

220

130

典型值

40

30

25

最大

80

60

50

单位

ns

输出上升时间

t

TLH

= （ 0.40纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

t

TLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 17.5纳秒

t

TLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 15纳秒

输出下降时间

t

THL

= （ 1.5纳秒/ PF ）C

L

+ 50纳秒

t

THL

= （ 0.75纳秒/ PF ）C

L

+ 37.5纳秒

t

THL

= （ 0.55纳秒/ PF ）C

L

+ 37.5纳秒

数据传输延迟时间

t

PLH

= （ 0.40纳秒/ PF ）C

L

+ 620纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 237.5纳秒

t

PLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 165纳秒

t

PHL

= （ 1.3纳秒/ PF ）C

L

+ 655纳秒

t

PHL

= （ 0.60纳秒/ PF ）C

L

+ 260纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 182.5纳秒

空白的传播延迟时间

t

PLH

= （ 0.30纳秒/ PF ）C

L

+ 585纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 187.5纳秒

t

PLH

= （ 0.15纳秒/ PF ）C

L

+ 142.5纳秒

t

PHL

= （ 0.85纳秒/ PF ）C

L

+ 442.5纳秒

t

PHL

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 177.5纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 142.5纳秒

灯测试传输延迟时间

t

PLH

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 290.5纳秒

t

PLH

= （ 0.25纳秒/ PF ）C

L

+ 112.5纳秒

t

PLH

= （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

+ 80纳秒

t

PHL

= （ 1.3纳秒/ PF ）C

L

+ 248纳秒

t

PHL

= （ 0.45纳秒/ PF ）C

L

+ 102.5纳秒

t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 72.5纳秒

建立时间

t

THL

125

75

65

640

250

175

720

290

200

600

200

150

485

200

160

313

125

90

313

125

90

260

110

65

250

150

130

1280

500

350

1440

580

400

750

300

220

970

400

320

625

250

180

625

250

180

ns

t

PLH

ns

t

PHL

t

PLH

t

PHL

t

PLH

t

PHL

t

su

保持时间

t

h

ns

锁存使能脉冲宽度

t

WL

ns

7.给出的公式仅用于典型特征。

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4

MC14511B

输入LE低，输入D， BI和LT高。

中f相对于系统时钟。

连接到相应的C所有输出

L

负载。

20纳秒

A， B和C

90%

50%

1

2f

20纳秒

V

DD

10%

V

SS

V

OH

V

OL

占空比为50％

任何输出

50%

图1.动态功耗信号波形

20纳秒

输入的C

t

PLH

输出g

50%

10%

t

TLH

t

THL

V

OL

输出g

V

OL

90%

50%

10%

t

PHL

90%

20纳秒

V

DD

V

SS

V

OH

输入的C

50%

V

SS

V

OH

90%

50%

t

h

t

su

V

DD

V

DD

V

SS

LE

10%

（一）输入端D和LE低，并

输入A，B ， BI和LT高。

（二）输入D低，

输入A，B ， BI和LT高。

20纳秒

LE

90%

50%

10%

t

WL

20纳秒

V

DD

V

SS

（c）数据DCBA选通入锁存器。

图2.动态信号波形

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5