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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14511B
BCD到七段
锁存器/解码器/驱动器
该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器是
与互补型MOS ( CMOS )增强型器件构成
并在一个单一的整体结构的NPN双极性输出驱动器。该电路
提供了一个4比特存储锁存器的功能,一个8421 BCD到7
段的解码器,和一个输出驱动能力。灯测试( LT ) ,消隐
(BI)和锁存使能( LE)的输入被用来测试显示,以关断或
脉冲调制的显示器的亮度,并存储一个BCD码,
分别。它可以与七段发光二极管被使用
(发光二极管) ,白炽灯,荧光灯,气体放,或液晶读数
无论是直接还是间接的。
应用领域包括仪器(如柜台, DVM等)的显示驱动程序,
计算机/计算器显示驱动器,座舱显示驱动器和各种时钟,
手表和计时器使用。
低逻辑电路功耗
高电流源输出(高达25 mA)的
锁码的存储
消隐输入
灯测试提供
读数盲区的所有非法输入组合
灯光强度调制能力
时间分享(复用)设施
电源电压范围为3.0 V至18 V
可驱动两个低功耗TTL负载,一个低功耗
肖特基TTL负载或两个HTL负载超过额定温度
范围
芯片的复杂性: 216场效应管或54个等效门
所有输入三重保护二极管
最大额定值*
(电压参考VSS)
等级
符号
VDD
VIN
I
TA
PD
TSTG
Iohmax
POHmax
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
DW后缀
SOIC
CASE 751G
订购信息
MC14XXXBCP
塑料
MC14XXXBCL
陶瓷的
MC14XXXBDW
SOIC
MC14XXXBD
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
引脚分配
B
C
LT
BI
LE
D
A
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
f
g
a
b
c
d
e
e
d
f
a
g
b
c
价值
单位
V
V
mA
- 0.5 + 18
输入电压,所有输入
DC每个输入引脚漏电流
工作温度范围
每个封装功耗
存储温度范围
最大输出驱动电流
(来源)每路输出
最大连续输出功率
(来源)每个输出
- 0.5 VDD + 0.5
10
- 55至+ 125
500
- 65至+ 150
25
50
显示
_
C
mW
0
1
输入
LE BI LT
X
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
D
X
X
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
C
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
B
X
X
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A
X
X
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
a
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
b
1
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
c
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
2
3
4
5
6
7
8
9
_
C
mA
mW
真值表
输出
d
1
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
e
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
f
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
g
1
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
显示
8
空白
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
空白
空白
空白
空白
空白
空白
*
POHmax = IOH ( VDD - VOH )
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
1 1 1
X
X
X
X
*
X =无关
*取决于BCD码以前应用在LE = 0
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14511B
361
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
VOH
来源
5.0
4.1
3.9
3.4
9.1
9.0
8.6
14.1
14
13.6
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
4.1
3.9
3.4
9.1
9.0
8.6
14.1
14
13.6
0.51
1.3
3.4
4.57
4.24
4.12
3.94
3.70
3.54
9.58
9.26
9.17
9.04
8.90
8.70
14.59
14.27
14.18
14.07
13.95
13.70
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
4.1
3.5
3.0
9.1
8.6
8.2
14.1
13.6
13.2
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
μAdc
pF
μAdc
VDC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
VDC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压#
“0”电平
( VO = 3.8或0.5伏)
( VO = 8.8或1.0伏)
( VO = 13.8或1.5伏)
“1”电平
( VO = 0.5或3.8伏)
( VO = 1.0或8.8伏)
( VO = 1.5或13.8伏)
输出驱动电压
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
输出驱动电流
( VOL = 0.4 V)
( VOL = 0.5 V)
(VOL = 1.5V)
输入电流
输入电容
静态电流
(每包), VIN = 0或VDD ,
IOUT = 0
A
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
IOL
SINK
5.0
10
15
IIN
CIN
国际直拨电话
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIL
2.25
4.50
6.75
VOH
4.1
9.1
14.1
4.1
9.1
14.1
4.57
9.58
14.59
4.1
9.1
14.1
VDC
VDC
10
15
VDC
MADC
IT
IT = ( 1.9
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 3.8
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 5.7
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
在最坏情况下的输入组合指定#Noise免疫力。
噪声容限为“1”和“0”电平=
1.0伏分钟@ VDD = 5.0伏
2.0伏分钟@ VDD = 10 VDC
2.5伏分钟@ VDD = 15 VDC
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + 3.5× 10-3 ( CL - 50 ) VDDF
其中: IT是
A
(每包) , CL为pF , VDD为Vdc ,而f单位为kHz的输入频率。
MC14511B
362
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
TTHL
5.0
10
15
TPLH
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
I0
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
100
40
30
60
40
30
520
220
130
640
250
175
720
290
200
600
200
150
485
200
160
313
125
90
313
125
90
260
110
65
1280
500
350
1440
580
400
ns
750
300
220
970
400
320
ns
625
250
180
625
250
180
ns
125
75
65
250
150
130
ns
典型值
40
30
25
最大
80
60
50
ns
单位
ns
输出上升时间
tTLH = ( 0.40纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
tTLH = ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 17.5纳秒
tTLH = ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 15纳秒
输出下降时间
TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 50纳秒
TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 37.5纳秒
TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 37.5纳秒
数据传输延迟时间
tPLH的= ( 0.40纳秒/ PF ) CL + 620纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 237.5纳秒
tPLH的= ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 165纳秒
的TPH1 = ( 1.3纳秒/ PF ) CL + 655纳秒
的TPH1 = ( 0.60纳秒/ PF ) CL + 260纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 182.5纳秒
空白的传播延迟时间
tPLH的= ( 0.30纳秒/ PF ) CL + 585纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 187.5纳秒
tPLH的= ( 0.15纳秒/ PF ) CL + 142.5纳秒
的TPH1 = ( 0.85纳秒/ PF ) CL + 442.5纳秒
的TPH1 = ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 177.5纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 142.5纳秒
灯测试传输延迟时间
tPLH的= ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 290.5纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 112.5纳秒
tPLH的= ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 80纳秒
的TPH1 = ( 1.3纳秒/ PF ) CL + 248纳秒
的TPH1 = ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 102.5纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 72.5纳秒
建立时间
TPLH
TPLH
TSU
保持时间
th
ns
锁存使能脉冲宽度
TWL
ns
*给出的公式是只典型特征。
该器件包含保护电路,防止损坏,由于高静电压或电场的投入;然而
以往,它是表示通常采取预防措施,以避免应用任何电压高于最大额定电压至该
高阻抗电路。如果VIN和VOUT没有约束的范围VSS可能会出现破坏性的高电流模式
( VIN或
VOUT )
VDD 。
由于该电路的采购能力,损害可以如果VDD施加发生在设备上,并在输出端被短路到
VSS ,而且在逻辑1 (见最大额定值) 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, VSS或VDD ) 。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14511B
363
输入LE低,输入D, BI和LT高。
中f相对于系统时钟。
连接到相应的CL负载所有输出。
20纳秒
A, B和C
90%
50%
1
2f
20纳秒
VDD
10%
VSS
VOH
VOL
占空比为50%
任何输出
50%
图1.动态功耗信号波形
20纳秒
输入的C
TPLH
输出g
50%
10%
tTLH
TTHL
90%
50%
10%
的TPH1
90%
20纳秒
VDD
VSS
VOH
VOL
(一)输入D和LE低,输入A , B, BI与LT高。
20纳秒
90%
50%
th
TSU
VDD
输入的C
50%
VSS
VOH
输出g
VOL
VDD
VSS
LE
10%
(二)输入D低,输入A , B, BI和LT高。
20纳秒
LE
90%
50%
10%
TWL
20纳秒
VDD
VSS
(c)数据DCBA选通入锁存器。
图2.动态信号波形
MC14511B
364
摩托罗拉CMOS逻辑数据
连接各种显示读数
发光二极管( LED)的READOUT
VDD
VDD
常见
阴极数码管
常见
阳极LED
1.7 V
1.7 V
VSS
VSS
白炽灯READOUT
VDD
VDD
荧光READOUT
VDD
**
直接
(亮度低)
长丝
供应
VSS
VSS
VSS或适当
电压低于VSS 。
(注意:最大工作电压= 18.0 V)
气体放电READOUT
适当
电压
液晶( LCD) READOUT
激励
(方波,
VSS至VDD )
VDD
VDD
MC14070B 1/4
VSS
**灯丝预暖电阻建议,以减少纤维
热冲击和提高的有效耐寒性
灯丝。
VSS
LCD直接驱动直流不推荐用于生活
LCD读数。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14511B
365
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14511B
BCD到七段
锁存器/解码器/驱动器
该MC14511B BCD到七段锁存器/解码器/驱动器是
与互补型MOS ( CMOS )增强型器件构成
并在一个单一的整体结构的NPN双极性输出驱动器。该电路
提供了一个4比特存储锁存器的功能,一个8421 BCD到7
段的解码器,和一个输出驱动能力。灯测试( LT ) ,消隐
(BI)和锁存使能( LE)的输入被用来测试显示,以关断或
脉冲调制的显示器的亮度,并存储一个BCD码,
分别。它可以与七段发光二极管被使用
(发光二极管) ,白炽灯,荧光灯,气体放,或液晶读数
无论是直接还是间接的。
应用领域包括仪器(如柜台, DVM等)的显示驱动程序,
计算机/计算器显示驱动器,座舱显示驱动器和各种时钟,
手表和计时器使用。
低逻辑电路功耗
高电流源输出(高达25 mA)的
锁码的存储
消隐输入
灯测试提供
读数盲区的所有非法输入组合
灯光强度调制能力
时间分享(复用)设施
电源电压范围为3.0 V至18 V
可驱动两个低功耗TTL负载,一个低功耗
肖特基TTL负载或两个HTL负载超过额定温度
范围
芯片的复杂性: 216场效应管或54个等效门
所有输入三重保护二极管
最大额定值*
(电压参考VSS)
等级
符号
VDD
VIN
I
TA
PD
TSTG
Iohmax
POHmax
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
DW后缀
SOIC
CASE 751G
订购信息
MC14XXXBCP
塑料
MC14XXXBCL
陶瓷的
MC14XXXBDW
SOIC
MC14XXXBD
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
引脚分配
B
C
LT
BI
LE
D
A
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
f
g
a
b
c
d
e
e
d
f
a
g
b
c
价值
单位
V
V
mA
- 0.5 + 18
输入电压,所有输入
DC每个输入引脚漏电流
工作温度范围
每个封装功耗
存储温度范围
最大输出驱动电流
(来源)每路输出
最大连续输出功率
(来源)每个输出
- 0.5 VDD + 0.5
10
- 55至+ 125
500
- 65至+ 150
25
50
显示
_
C
mW
0
1
输入
LE BI LT
X
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
D
X
X
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
C
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
B
X
X
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A
X
X
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
a
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
b
1
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
c
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
2
3
4
5
6
7
8
9
_
C
mA
mW
真值表
输出
d
1
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
e
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
f
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
g
1
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
显示
8
空白
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
空白
空白
空白
空白
空白
空白
*
POHmax = IOH ( VDD - VOH )
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
1 1 1
X
X
X
X
*
X =无关
*取决于BCD码以前应用在LE = 0
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14511B
361
电气特性
(电压参考VSS)
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
VOH
来源
5.0
4.1
3.9
3.4
9.1
9.0
8.6
14.1
14
13.6
0.64
1.6
4.2
±
0.1
5.0
10
20
4.1
3.9
3.4
9.1
9.0
8.6
14.1
14
13.6
0.51
1.3
3.4
4.57
4.24
4.12
3.94
3.70
3.54
9.58
9.26
9.17
9.04
8.90
8.70
14.59
14.27
14.18
14.07
13.95
13.70
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
±
0.1
7.5
5.0
10
20
4.1
3.5
3.0
9.1
8.6
8.2
14.1
13.6
13.2
0.36
0.9
2.4
±
1.0
150
300
600
μAdc
pF
μAdc
VDC
3.5
7.0
11
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
3.5
7.0
11
VDC
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
典型值#
0
0
0
最大
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压#
“0”电平
( VO = 3.8或0.5伏)
( VO = 8.8或1.0伏)
( VO = 13.8或1.5伏)
“1”电平
( VO = 0.5或3.8伏)
( VO = 1.0或8.8伏)
( VO = 1.5或13.8伏)
输出驱动电压
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
( IOH = 0 mA时)
( IOH = 5.0 mA)的
( IOH = 10 mA)的
( IOH = 15 mA)的
( IOH = 20 mA)的
( IOH = 25 mA)的
输出驱动电流
( VOL = 0.4 V)
( VOL = 0.5 V)
(VOL = 1.5V)
输入电流
输入电容
静态电流
(每包), VIN = 0或VDD ,
IOUT = 0
A
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
IOL
SINK
5.0
10
15
IIN
CIN
国际直拨电话
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIL
2.25
4.50
6.75
VOH
4.1
9.1
14.1
4.1
9.1
14.1
4.57
9.58
14.59
4.1
9.1
14.1
VDC
VDC
10
15
VDC
MADC
IT
IT = ( 1.9
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 3.8
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 5.7
μA /千赫)
F + IDD
μAdc
在最坏情况下的输入组合指定#Noise免疫力。
噪声容限为“1”和“0”电平=
1.0伏分钟@ VDD = 5.0伏
2.0伏分钟@ VDD = 10 VDC
2.5伏分钟@ VDD = 15 VDC
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + 3.5× 10-3 ( CL - 50 ) VDDF
其中: IT是
A
(每包) , CL为pF , VDD为Vdc ,而f单位为kHz的输入频率。
MC14511B
362
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
TTHL
5.0
10
15
TPLH
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
I0
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
100
40
30
60
40
30
520
220
130
640
250
175
720
290
200
600
200
150
485
200
160
313
125
90
313
125
90
260
110
65
1280
500
350
1440
580
400
ns
750
300
220
970
400
320
ns
625
250
180
625
250
180
ns
125
75
65
250
150
130
ns
典型值
40
30
25
最大
80
60
50
ns
单位
ns
输出上升时间
tTLH = ( 0.40纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
tTLH = ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 17.5纳秒
tTLH = ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 15纳秒
输出下降时间
TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 50纳秒
TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 37.5纳秒
TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 37.5纳秒
数据传输延迟时间
tPLH的= ( 0.40纳秒/ PF ) CL + 620纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 237.5纳秒
tPLH的= ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 165纳秒
的TPH1 = ( 1.3纳秒/ PF ) CL + 655纳秒
的TPH1 = ( 0.60纳秒/ PF ) CL + 260纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 182.5纳秒
空白的传播延迟时间
tPLH的= ( 0.30纳秒/ PF ) CL + 585纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 187.5纳秒
tPLH的= ( 0.15纳秒/ PF ) CL + 142.5纳秒
的TPH1 = ( 0.85纳秒/ PF ) CL + 442.5纳秒
的TPH1 = ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 177.5纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 142.5纳秒
灯测试传输延迟时间
tPLH的= ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 290.5纳秒
tPLH的= ( 0.25纳秒/ PF ) CL + 112.5纳秒
tPLH的= ( 0.20纳秒/ PF ) CL + 80纳秒
的TPH1 = ( 1.3纳秒/ PF ) CL + 248纳秒
的TPH1 = ( 0.45纳秒/ PF ) CL + 102.5纳秒
的TPH1 = ( 0.35纳秒/ PF ) CL + 72.5纳秒
建立时间
TPLH
TPLH
TSU
保持时间
th
ns
锁存使能脉冲宽度
TWL
ns
*给出的公式是只典型特征。
该器件包含保护电路,防止损坏,由于高静电压或电场的投入;然而
以往,它是表示通常采取预防措施,以避免应用任何电压高于最大额定电压至该
高阻抗电路。如果VIN和VOUT没有约束的范围VSS可能会出现破坏性的高电流模式
( VIN或
VOUT )
VDD 。
由于该电路的采购能力,损害可以如果VDD施加发生在设备上,并在输出端被短路到
VSS ,而且在逻辑1 (见最大额定值) 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, VSS或VDD ) 。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14511B
363
输入LE低,输入D, BI和LT高。
中f相对于系统时钟。
连接到相应的CL负载所有输出。
20纳秒
A, B和C
90%
50%
1
2f
20纳秒
VDD
10%
VSS
VOH
VOL
占空比为50%
任何输出
50%
图1.动态功耗信号波形
20纳秒
输入的C
TPLH
输出g
50%
10%
tTLH
TTHL
90%
50%
10%
的TPH1
90%
20纳秒
VDD
VSS
VOH
VOL
(一)输入D和LE低,输入A , B, BI与LT高。
20纳秒
90%
50%
th
TSU
VDD
输入的C
50%
VSS
VOH
输出g
VOL
VDD
VSS
LE
10%
(二)输入D低,输入A , B, BI和LT高。
20纳秒
LE
90%
50%
10%
TWL
20纳秒
VDD
VSS
(c)数据DCBA选通入锁存器。
图2.动态信号波形
MC14511B
364
摩托罗拉CMOS逻辑数据
连接各种显示读数
发光二极管( LED)的READOUT
VDD
VDD
常见
阴极数码管
常见
阳极LED
1.7 V
1.7 V
VSS
VSS
白炽灯READOUT
VDD
VDD
荧光READOUT
VDD
**
直接
(亮度低)
长丝
供应
VSS
VSS
VSS或适当
电压低于VSS 。
(注意:最大工作电压= 18.0 V)
气体放电READOUT
适当
电压
液晶( LCD) READOUT
激励
(方波,
VSS至VDD )
VDD
VDD
MC14070B 1/4
VSS
**灯丝预暖电阻建议,以减少纤维
热冲击和提高的有效耐寒性
灯丝。
VSS
LCD直接驱动直流不推荐用于生活
LCD读数。
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14511B
365
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