MC14504B
十六进制电平转换为TTL到
CMOS或CMOS至CMOS
的MC14504B是采用CMOS六角非反相电平移位器
技术。电平移位器将转向TTL信号，以CMOS逻辑
对于任何CMOS电平的5和15伏之间的电源电压。控制
输入还允许从CMOS到CMOS接口在同一逻辑电平
另一个逻辑电平：无论是向上或向下电平转换为
通过电源电平选择V完成
DD
和V
CC
。该
V
CC
级别设置，而V的输入信号电平
DD
选择输出
电压电平。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC14504BCP
AWLYYWWG
1
从低转化为高电压或DOWN转换
从高至低电压
输入阈值可以转移为TTL兼容
没有顺序要求的电源或输入的上电
或关机
3至18伏直流操作V
DD
和V
CC
二极管保护输入到V
SS
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
参数
直流电源电压范围
直流电源电压范围
输入电压范围
（ DC或瞬态）
输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
14504BG
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
14
504B
ALYW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
CC
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
MC14504B
ALYWG
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号：
MC14504B/D
MC14504B
引脚分配
V
CC
A
OUT
A
in
B
OUT
B
in
C
OUT
C
in
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
F
OUT
F
in
模式
E
OUT
E
in
D
OUT
D
in
模式
TTL / CMOS
模式选择
输入
水平
移
产量
V
CC
V
DD
逻辑图
模式选择
1 (V
CC
)
0 (V
SS
)
包的1/6所示。
输入逻辑
水平
TTL
CMOS
输出逻辑
水平
CMOS
CMOS
订购信息
设备
MC14504BCP
MC14504BCPG
MC14504BD
MC14504BDG
MC14504BDR2
MC14504BDR2G
MC14504BDT
MC14504BDTR2
MC14504BF
MC14504BFEL
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
96单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
50单位/铁
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
（电压参考V
SS
)
静态电流
（每包）
TTL -CMOS模式
静态电流
（每包）
TTL -CMOS模式
静态电流
（每包）
CMOS ， CMOS模式
输入电容（V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“1”电平
(V
OH
= 9.0伏）， TTL -CMOS
(V
OH
= 13.5伏）， TTL -CMOS
(V
OH
= 9.0伏）， CMOS -CMOS
(V
OH
= 13.5伏） CMOS -CMOS
(V
OH
= 13.5伏） CMOS -CMOS
输入电压
“0”电平
(V
OL
= 1.0伏）， TTL -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， TTL -CMOS
(V
OL
= 1.0伏）， CMOS -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， CMOS -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， CMOS -CMOS
输出电压
V
in
= 0 V
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= V
CC
特征
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
I
DD
or
I
CC
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
CC
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
in
V
CC
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
5.0
5.0
10
http://onsemi.com
MC14504B
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
10
15
15
10
15
10
15
15
3
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
2.0
2.0
3.6
3.6
7.1
55_C
±
0.1
0.05
0.10
0.20
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
5.0
5.0
0.5
1.0
2.0
0.8
0.8
1.5
1.5
3.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
2.0
2.0
3.5
3.5
7.0
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
1.5
1.5
2.75
2.75
5.5
1.3
1.3
2.25
2.25
4.5
5.0
5.0
10
15
0
0
0
2.5
2.5
2.5
±
0.1
0.05
0.10
0.20
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
5.0
5.0
0.5
1.0
2.0
7.5
0.8
0.8
1.5
1.5
3.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
2.0
2.0
3.5
3.5
7.0
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
6.0
6.0
6.0
3.8
7.5
15
1.5
3.0
6.0
0.8
0.8
1.4
1.5
2.9
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
0
5
10
15
V
DD
，电源电压（VDC ）
20
3.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
输出上升时间和下降时间
传输延迟，从低到高
传输延时，高至低
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
图3.经营范围CMOS到CMOS模式
VDD ，电源电压（VDC ）
VDD ，电源电压（VDC ）
5
10
15
V
DD
，电源电压（VDC ）
图1.输入切换点CMOS到CMOS模式
10
15
20
0
5
0
VSP ，输入切换点电压（VDC ）
VSP ，输入切换点电压（VDC ）
1
2
3
4
5
6
7
0
0
特征
5
10
15
V
CC
，电源电压（VDC ）
t
TLH
, t
THL
符号
t
PLH
t
PHL
V
CC
= 10 V
V
CC
= 5 V
20
CMOS - CMOS
V
CC
＆ GT ; V
DD
CMOS - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
CMOS - CMOS
V
CC
＆ GT ; V
DD
CMOS - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
20
换档模式
http://onsemi.com
TTL - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
TTL - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
MC14504B
所有
4
图4.经营范围TTL和CMOS模式
图2.输入切换点TTL和CMOS模式
V
CC
VDC
5.0
5.0
10
10
15
15
5.0
5.0
10
10
15
15
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
V
DD
VDC
10
15
15
5.0
5.0
10
5.0
10
15
10
15
15
5.0
5.0
10
10
15
10
15
民
范围
典型值
（注3）
V
CC
= 5 V
170
170
100
275
275
145
100
50
40
120
120
70
185
185
175
170
160
140
140
最大
340
340
200
550
550
290
200
100
80
240
240
140
370
370
350
340
320
280
280
单位
ns
ns
ns
0
5
10
15
V
CC
，电源电压（VDC ）
20
MC14504B
包装尺寸
PDIP16
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE牛逼
A
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
B
1
8
F
S
C
L
T
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
民
最大
0.740 0.770
0.250 0.270
0.145 0.175
0.015 0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008 0.015
0.110 0.130
0.295 0.305
0
_
10
_
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
18.80 19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
SOIC16
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
A
16
9
B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
G
F
K
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
M
D
16 PL
M
J
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
http://onsemi.com
5
MC14504B
十六进制电平转换为TTL到
CMOS或CMOS至CMOS
的MC14504B是采用CMOS六角非反相电平移位器
技术。电平移位器将转向TTL信号，以CMOS逻辑
对于任何CMOS电平的5和15伏之间的电源电压。控制
输入还允许从CMOS到CMOS接口在同一逻辑电平
另一个逻辑电平：无论是向上或向下电平转换为
通过电源电平选择V完成
DD
和V
CC
。该
V
CC
级别设置，而V的输入信号电平
DD
选择输出
电压电平。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14504BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
14
504B
ALYW
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
MC14504B
AWLYWW
14504B
AWLYWW
从低转化为高电压或DOWN转换
从高至低电压
输入阈值可以转移为TTL兼容
没有顺序要求的电源或输入的上电
或关机
3至18伏直流操作V
DD
和V
CC
二极管保护输入到V
SS
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
CC
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
直流电源电压范围
输入电压范围
（ DC或瞬态）
输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5至18.0
- 0.5至18.0
单位
V
V
V
订购信息
设备
MC14504BCP
MC14504BD
MC14504BDR2
MC14504BDT
MC14504BF
MC14504BFEL
包
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14504B/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
（电压参考V
SS
)
静态电流
（每包）
TTL -CMOS模式
静态电流
（每包）
TTL -CMOS模式
静态电流
（每包）
CMOS ， CMOS模式
输入电容（V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“1”电平
(V
OH
= 9.0伏）， TTL -CMOS
(V
OH
= 13.5伏）， TTL -CMOS
(V
OH
= 9.0伏）， CMOS -CMOS
(V
OH
= 13.5伏） CMOS -CMOS
(V
OH
= 13.5伏） CMOS -CMOS
输入电压
“0”电平
(V
OL
= 1.0伏）， TTL -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， TTL -CMOS
(V
OL
= 1.0伏）， CMOS -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， CMOS -CMOS
(V
OL
= 1.5伏）， CMOS -CMOS
输出电压
V
in
= 0 V
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= V
CC
特征
“0”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
I
DD
or
I
CC
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
CC
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
V
CC
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
5.0
5.0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
http://onsemi.com
MC14504B
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
10
15
15
10
15
10
15
15
—
3
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
2.0
2.0
3.6
3.6
7.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.10
0.20
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
5.0
5.0
0.5
1.0
2.0
0.8
0.8
1.5
1.5
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
2.0
2.0
3.5
3.5
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
典型值
(4.)
0.0005
0.0010
0.0015
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25
_
C
1.5
1.5
2.75
2.75
5.5
1.3
1.3
2.25
2.25
4.5
0.88
2.25
8.8
5.0
5.0
10
15
0
0
0
2.5
2.5
2.5
±
0.1
0.05
0.10
0.20
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
5.0
5.0
0.5
1.0
2.0
7.5
0.8
0.8
1.5
1.5
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
2.0
2.0
3.5
3.5
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
6.0
6.0
6.0
3.8
7.5
15
1.5
3.0
6.0
0.8
0.8
1.4
1.5
2.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
5.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
输出上升时间和下降时间
传输延迟，从低到高
传输延时，高至低
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
t
TLH
, t
THL
符号
t
PLH
t
PHL
CMOS - CMOS
V
CC
＆ GT ; V
DD
CMOS - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
CMOS - CMOS
V
CC
＆ GT ; V
DD
CMOS - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
换档模式
http://onsemi.com
TTL - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
TTL - CMOS
V
DD
＆ GT ; V
CC
MC14504B
所有
4
V
CC
VDC
5.0
5.0
10
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
10
15
15
10
15
15
—
—
—
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
5.0
10
5.0
5.0
10
10
15
15
10
15
10
15
15
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(5.)
范围
100
50
40
275
275
145
170
170
100
170
160
185
185
175
120
120
70
140
140
最大
200
100
80
550
550
290
340
340
200
340
320
370
370
350
240
240
140
280
280
单位
ns
ns
ns
QQ：2880707522 复制
