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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14194B
4位双向通用
移位寄存器
的MC14194B能够在操作的一个4位的静态移位寄存器
并行加载,串行左移,连续右移,或保持模式。该
异步复位输入,当处于较低水平,将覆盖所有其他投入,
重置所有阶段,并强制所有输出低电平。当Reset为逻辑1电平,
这两个模式控制输入, S0和S1 ,控制的工作模式为
在真值表所示。串行和并行操作被触发
时钟输入的正向跳变。并行数据,数据移位,
和模式控制输入必须指定安装稳定和保持
之前和正向时钟转换后次。
同步右/左串行操作
同步并行加载
异步保持(做什么)模式
为LS194的引脚等效功能引脚
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
_
C
焊接温度( 8秒焊接)
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑图
3
DP0
S1 10
S0
DSR
9
2
7
DSL
4
DP1
5
6
DP2
DP3
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
DQ
CR
时钟11
RESET 1
Q0
15
REV 3
1/94
Q
CR
Q
CR
Q
CR
Q1
14
Q2
13
Q3
12
MC14194B
1995
摩托罗拉公司
284
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.002 。
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
该器件包含保护电路,以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是,必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作, Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平(例如, VSS或VDD) 。未使用的输出必须悬空。
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
– 55
_
C
0.05
0.05
0.05
最大
±
0.1
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
IT = ( 0.95
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 1.90
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 2.90
μA /千赫)
F + IDD
3.5
7.0
11
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值#
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
DSR
VSS
DP1
DP0
DSL
DP3
DP2
R
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
8
7
6
5
4
3
2
1
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
10
12
13
14
15
16
11
9
引脚分配
0.05
0.05
0.05
最大
±
1.0
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MC14194B
285
S0
S1
C
Q3
Q2
Q1
VDD
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
Q0
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
复位移走时间
保持时间
数据时钟
建立时间
数据时钟
时钟脉冲的上升时间和下降时间
时钟脉冲频率
(右移或左模式)
复位脉冲宽度
重置为Q
的TPH1 = ( 0.9纳秒/ PF ) CL + 305纳秒
的TPH1 = ( 0.36纳秒/ PF ) CL + 122纳秒
的TPH1 = ( 0.26纳秒/ PF ) CL + 97纳秒
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
时钟到Q
tPLH的,的TPH1 = ( 0.9纳秒/ PF ) CL + 230纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.36纳秒/ PF ) CL + 92纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.26纳秒/ PF ) CL + 72纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.35纳秒/ PF ) CL + 32纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.6纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.4纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
MC14194B
286
模式控制( S)到时钟
模式控制( S)到时钟
X =无关
tn + 1时=时钟的下一个正跳变之后的状态。
并行
右移
左移
HOLD
特征
操作
模式
S1
1
1
0
0
1
1
0
S0
1
1
1
1
0
0
0
输入
(复位= 1)
DSR
X
X
X
X
X
1
0
真值表
tTLH , TTHL
tTLH , TTHL
tPLH的,的TPH1
符号
的TPH1
TREM
亿千瓦时
亿千瓦时
TSU
整箱
th
DSL
X
X
X
X
X
1
0
DP0–3
X
X
X
X
X
1
0
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
Q1
Q1
Q0
Q0
1
0
1
0
300
110
80
180
50
35
200
75
55
180
70
50
280
110
85
10
20
40
0
0
0
Q0
Q0
Q2
Q2
Q1
Q1
1
0
输出
( @ tn + 1时)
摩托罗拉CMOS逻辑数据
Q1
Q1
Q3
Q3
Q2
Q2
1
0
典型值#
– 8.0
0
9.0
– 40
– 27
– 20
100
36
27
140
55
40
350
140
110
275
110
85
100
50
40
3.6
9.0
12
90
25
10
90
35
26
150
55
40
Q2
Q2
Q3
Q3
1
0
1
0
最大
700
280
220
550
220
170
200
100
80
1.8
4.5
6.0
15
5
4
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
并行加载
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
脉冲
发电机
串联负载
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
脉冲
发电机
注:交换DSR与DSL和S0与
S1为测试左移。
20纳秒
DPN
DSR
DSL
20纳秒
90%
50%
10%
TSU
时钟
50%
太瓦时( CL )
TPLH
Qn
90%
50%
10%
tTLH
1/fcl
的TPH1
th
TSU
VDD
th
VSS
VDD
VSS
VOH
VOL
TTHL
的TPH1
50%
TWL
TREM
VDD
VSS
RESET
图1.开关时间测试电路和波形
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
500
F
Qn
DSR
20纳秒
时钟
90%
50%
1/f
20纳秒
VDD
10%
VSS
VDD
VSS
VOH
VOL
脉冲
发电机
ID
图2.动态功耗测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14194B
287
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
MC14194B
288
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14194B
4位双向通用
移位寄存器
的MC14194B能够在操作的一个4位的静态移位寄存器
并行加载,串行左移,连续右移,或保持模式。该
异步复位输入,当处于较低水平,将覆盖所有其他投入,
重置所有阶段,并强制所有输出低电平。当Reset为逻辑1电平,
这两个模式控制输入, S0和S1 ,控制的工作模式为
在真值表所示。串行和并行操作被触发
时钟输入的正向跳变。并行数据,数据移位,
和模式控制输入必须指定安装稳定和保持
之前和正向时钟转换后次。
同步右/左串行操作
同步并行加载
异步保持(做什么)模式
为LS194的引脚等效功能引脚
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
IIN,电流输出
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
_
C
焊接温度( 8秒焊接)
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑图
3
DP0
S1 10
S0
DSR
9
2
7
DSL
4
DP1
5
6
DP2
DP3
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
DQ
CR
时钟11
RESET 1
Q0
15
REV 3
1/94
Q
CR
Q
CR
Q
CR
Q1
14
Q2
13
Q3
12
MC14194B
1995
摩托罗拉公司
284
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.002 。
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
该器件包含保护电路,以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是,必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作, Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平(例如, VSS或VDD) 。未使用的输出必须悬空。
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
– 55
_
C
0.05
0.05
0.05
最大
±
0.1
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
IT = ( 0.95
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 1.90
μA /千赫)
F + IDD
IT = ( 2.90
μA /千赫)
F + IDD
3.5
7.0
11
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值#
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
DSR
VSS
DP1
DP0
DSL
DP3
DP2
R
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
8
7
6
5
4
3
2
1
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
10
12
13
14
15
16
11
9
引脚分配
0.05
0.05
0.05
最大
±
1.0
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MC14194B
285
S0
S1
C
Q3
Q2
Q1
VDD
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
Q0
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
复位移走时间
保持时间
数据时钟
建立时间
数据时钟
时钟脉冲的上升时间和下降时间
时钟脉冲频率
(右移或左模式)
复位脉冲宽度
重置为Q
的TPH1 = ( 0.9纳秒/ PF ) CL + 305纳秒
的TPH1 = ( 0.36纳秒/ PF ) CL + 122纳秒
的TPH1 = ( 0.26纳秒/ PF ) CL + 97纳秒
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
时钟到Q
tPLH的,的TPH1 = ( 0.9纳秒/ PF ) CL + 230纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.36纳秒/ PF ) CL + 92纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.26纳秒/ PF ) CL + 72纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.35纳秒/ PF ) CL + 32纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.6纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.4纳秒/ PF ) CL + 20纳秒
MC14194B
286
模式控制( S)到时钟
模式控制( S)到时钟
X =无关
tn + 1时=时钟的下一个正跳变之后的状态。
并行
右移
左移
HOLD
特征
操作
模式
S1
1
1
0
0
1
1
0
S0
1
1
1
1
0
0
0
输入
(复位= 1)
DSR
X
X
X
X
X
1
0
真值表
tTLH , TTHL
tTLH , TTHL
tPLH的,的TPH1
符号
的TPH1
TREM
亿千瓦时
亿千瓦时
TSU
整箱
th
DSL
X
X
X
X
X
1
0
DP0–3
X
X
X
X
X
1
0
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
Q1
Q1
Q0
Q0
1
0
1
0
300
110
80
180
50
35
200
75
55
180
70
50
280
110
85
10
20
40
0
0
0
Q0
Q0
Q2
Q2
Q1
Q1
1
0
输出
( @ tn + 1时)
摩托罗拉CMOS逻辑数据
Q1
Q1
Q3
Q3
Q2
Q2
1
0
典型值#
– 8.0
0
9.0
– 40
– 27
– 20
100
36
27
140
55
40
350
140
110
275
110
85
100
50
40
3.6
9.0
12
90
25
10
90
35
26
150
55
40
Q2
Q2
Q3
Q3
1
0
1
0
最大
700
280
220
550
220
170
200
100
80
1.8
4.5
6.0
15
5
4
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
并行加载
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
脉冲
发电机
串联负载
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
脉冲
发电机
注:交换DSR与DSL和S0与
S1为测试左移。
20纳秒
DPN
DSR
DSL
20纳秒
90%
50%
10%
TSU
时钟
50%
太瓦时( CL )
TPLH
Qn
90%
50%
10%
tTLH
1/fcl
的TPH1
th
TSU
VDD
th
VSS
VDD
VSS
VOH
VOL
TTHL
的TPH1
50%
TWL
TREM
VDD
VSS
RESET
图1.开关时间测试电路和波形
VDD
16
3
4
5
6
11
2
7
9
10
1
DP0
DP1
DP2
DP3
时钟
DSR
DSL
S0
S1
R
8
Q0
15
CL
Q1
14
CL
Q2
13
CL
Q3
12
CL
VSS
500
F
Qn
DSR
20纳秒
时钟
90%
50%
1/f
20纳秒
VDD
10%
VSS
VDD
VSS
VOH
VOL
脉冲
发电机
ID
图2.动态功耗测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14194B
287
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
MC14194B
288
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    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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