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MC14099B
8位可寻址锁存器
的MC14099B是一个8位可寻址锁存器。数据被输入到
当相应的锁存器地址(通过地址引脚串行形式
A0,A1, A2)与写入禁止处于低状态。对于MC14099B
输入是一个单向的只写端口。
该数据是在八个锁存器的输出端呈现平行
独立写禁止的状态,写/读或芯片
启用。
主复位功能可在两个部分。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC14099BCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
DW后缀
CASE 751G
1
16
14099BG
AWLYYWW
串行数据输入
并行输出
主复位
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
MC14099B引脚对引脚兼容CD4099B
无铅包可用*
最大额定值
(电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,每包
(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
MC14099B
ALYWG
mA
mW
°C
°C
°C
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号:
MC14099B/D
MC14099B
引脚分配
Q7
RESET
数据
关闭
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
写禁止
数据
A0
A1
A2
RESET
5
6
解码器
7
V
DD
= 16
V
SS
= 8
MC14099B
4
3
8
9
10
11
12
8
13
锁存器14
15
1
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
2
订购信息
设备
MC14099BCP
MC14099BCPG
MC14099BDW
MC14099BDWG
MC14099BDWR2
MC14099BDWR2G
MC14099BFEL
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC -16 WB
SOIC -16 WB
(无铅)
SOIC -16 WB
SOIC -16 WB
(无铅)
SOEIAJ16
航运
500单位/铁
500单位/铁
47单位/铁
47单位/铁
1000单位/带卷&
1000单位/带卷&
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
电气特性
(电压参考V
SS
)
总电源电流(注3 & 4 )
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
MC14599B - 数据(引脚3 )
(V
in
= 0)
输入电容(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
I
OL
C
in
C
in
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.004 。
http://onsemi.com
MC14099B
55_C
3
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
I
T
= (1.5
毫安/千赫)
f +
I
T
= (3.0
毫安/千赫)
f +
I
T
= (4.5
毫安/千赫)
f +
±
0.00001
典型值
(注2 )
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.005
0.010
0.015
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
15
0
0
0
±
0.1
I
DD
I
DD
I
DD
22.5
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(注5 )
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C)
拆除时间
写禁止到地址
成立时间
地址写入禁用
保持时间
写禁止到数据
成立时间
数据写禁止
写禁止
脉冲宽度
RESET
传播延迟时间, MC14599B只
芯片使能,写入/读取到数据
传播延迟时间
数据输出Q
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.35纳秒/ PF )C
L
+ 32纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.6纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.4纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
地址到数据
CE到输出Q(仅MC14599B )
重置输出Q
写禁止以输出Q
特征
http://onsemi.com
符号
MC14099B
t
PHL
,
t
PLH
t
PHL
,
t
PLH
t
TLH
,
t
THL
t
瓦特(H)的
t
瓦特(L)的
t
REM
t
su
t
su
t
h
4
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
100
80
40
150
75
50
100
50
35
320
160
120
150
75
50
0
0
0
典型值
(注6 )
– 80
– 40
– 40
160
80
60
200
90
75
200
80
65
225
100
75
175
80
65
200
80
60
200
75
50
100
50
40
45
30
10
75
40
25
50
25
20
75
40
25
最大
400
180
150
400
160
130
450
200
150
350
160
130
400
160
120
400
150
100
200
100
80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14099B
功能图
RESET 2
9 Q0
数据3
4
关闭
TO
其他
锁存器
A0 5
每个锁存器
SELECT
10 Q1
11 Q2
12 Q3
A1 6
地址
解码器
其它锁存器
13 Q4
14 Q5
15 Q6
1 Q7
A2 7
( M.S.B. )
真值表
关闭
0
0
1
RESET
0
1
0
讨论
LATCH
数据
数据
Q
n
*
未解决
锁存器
Q
n
*
RESET
Q
n
*
RESET
{
注意事项:
为了避免在锁存器中无意的数据的变化,写
禁用必须在对过渡活跃(高)
地址输入端A0,A1和A2 。
1
1
RESET
*Q
n
是锁存以前的状态。
复位到零状态。
http://onsemi.com
5
MC14099B
8位可寻址锁存器
的MC14099B是一个8位可寻址锁存器。数据被输入到
当相应的锁存器地址(通过地址引脚串行形式
A0,A1, A2)与写入禁止处于低状态。对于MC14099B
输入是一个单向的只写端口。
该数据是在八个锁存器的输出端呈现平行
独立写禁止的状态,写/读或芯片
启用。
主复位功能可在两个部分。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14099BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
DW后缀
CASE 751G
1
14099B
串行数据输入
并行输出
主复位
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
MC14099B引脚对引脚兼容CD4099B
AWLYYWW
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注3 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
16
MC14099B
AWLYWW
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
设备
MC14099BCP
MC14099BDW
MC14099BDWR2
MC14099BF
MC14099BFEL
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
2350/Box
1000 /磁带和放大器;卷轴
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装,请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14099B/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的:
其中:I
T
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.004 。
电气特性
(电压参考V
SS
)
总电源电流
(5.) (6.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
MC14599B - 数据(引脚3 )
(V
in
= 0)
输入电容(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
V
in
= 0或V
DD
特征
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
数据
关闭
A0
RESET
V
SS
Q7
A2
A1
引脚分配
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
8
7
6
5
4
3
2
1
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
12
13
14
15
16
10
11
9
Q6
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
V
DD
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
MC14099B
– 55
_
C
2
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
写禁止
数据
RESET
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
A0
A1
A2
I
T
= (1.5
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (3.0
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (4.5
μA /千赫)
F +我
DD
5
6
解码器
7
MC14099B
±
0.00001
V
DD
= 16
V
SS
= 8
典型值
(4.)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
15
0
0
0
2
8
4
3
9
10
11
12
8
13
锁存器14
15
1
±
0.1
22.5
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
3.5
7.0
11
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C)
拆除时间
写禁止到地址
成立时间
地址写入禁用
保持时间
写禁止到数据
成立时间
数据写禁止
写禁止
脉冲宽度
RESET
传播延迟时间, MC14599B只
芯片使能,写入/读取到数据
传播延迟时间
数据输出Q
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.35纳秒/ PF )C
L
+ 32纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.6纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.4纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
地址到数据
CE到输出Q(仅MC14599B )
重置输出Q
写禁止以输出Q
特征
http://onsemi.com
符号
MC14099B
t
PHL
,
t
PLH
t
PHL
,
t
PLH
t
TLH
,
t
THL
t
瓦特(H)的
t
瓦特(L)的
t
REM
t
su
t
su
t
h
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
100
80
40
150
75
50
100
50
35
320
160
120
150
75
50
0
0
0
典型值
(8.)
– 80
– 40
– 40
160
80
60
200
90
75
200
80
65
225
100
75
175
80
65
200
80
60
200
75
50
100
50
40
45
30
10
75
40
25
50
25
20
75
40
25
最大
400
180
150
400
160
130
450
200
150
350
160
130
400
160
120
400
150
100
200
100
80
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14099B
MC14099B
功能图
RESET 2
9 Q0
数据3
4
关闭
TO
其他
锁存器
每个锁存器
SELECT
10 Q1
11 Q2
12 Q3
A0 5
A1 6
地址
解码器
其它锁存器
13 Q4
14 Q5
A2 7
( M.S.B. )
15 Q6
1 Q7
真值表
关闭
0
0
1
1
RESET
0
1
0
1
讨论
LATCH
数据
数据
Q
n
*
RESET
未解决
锁存器
Q
n
*
RESET
{
Q
n
*
RESET
注意事项:
为了避免在锁存器中无意的数据的变化,写
禁用必须在对过渡活跃(高)
地址输入端A0,A1和A2 。
*Q
n
是锁存以前的状态。
复位到零状态。
http://onsemi.com
4
MC14099B
开关波形
V
DD
数据或
写禁止
50%
V
SS
t
PLH
90%
50%
10%
t
TLH
t
THL
关闭
50%
V
SS
t
su
V
DD
RESET
50%
V
SS
t
PHL
数据
50%
V
SS
t
h
V
DD
t
PHL
地址
50%
V
SS
t
su
t
瓦特(L)的
t
REM
V
DD
V
DD
输出Q
t
瓦特(H)的
输出Q
http://onsemi.com
5
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