【MC14094B8级移位/存储寄存器具有三态输出的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁】,IC型号MC14094BCP,MC14094BCP PDF资料,MC14094BCP经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC14094B

8级移位/存储寄存器

具有三态输出

的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁存

对于每个阶段，从每个锁存三态输出。

数据被移位在正时钟转变和从所述移

第七阶段，两个串行输出。在Q

S

输出数据是用于在使用中

高速级联系统。在Q

S

输出数据被移位的

以下用于低速级联负时钟跳变

系统。

从移位寄存器的每一级的数据被锁存，负

在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁而

频闪高。

八个数据锁存器的输出通过三态缓冲器控制

其被放置在高阻抗状态，由一个逻辑低电平上

输出使能。

特点

http://onsemi.com

记号

图表

PDIP16

P后缀

CASE 648

16

MC14094BCP

AWLYYWWG

1

16

SOIC16

后缀

CASE 751B

1

14094BG

AWLYWW

三态输出

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

输入二极管保护

数据锁存器

双输出的数据输出的正面和

负时钟转换

有用的串行到并行数据转换

引脚对引脚兼容CD4094B

无铅包可用*

16

TSSOP16

DT后缀

CASE 948F

1

14

094B

ALYW

16

SOEIAJ16

后缀f

CASE 966

单位

V

mA

mW

°C

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

G

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

=无铅指标

1

MC14094B

ALYWG

最大额定值

（电压参考V

SS

)

符号

V

DD

V

in

, V

OUT

I

in

, I

OUT

P

D

T

A

T

英镑

T

L

参数

直流电源电压范围

输入或输出电压范围

（ DC或瞬态）

输入或输出电流

每个引脚（ DC或瞬态）

功耗，每包

（注1 ）

环境温度范围

存储温度范围

焊接温度

（ 8秒焊接）

价值

-0.5至18.0

-0.5到V

DD

+ 0.5

±

10

500

-55到+125

-65到+150

260

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

1.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C

该器件包含保护电路，以防止由于高伤害

静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免

任何电压的应用中高于最大额定电压至该

高阻抗电路。为了正常工作，V

in

和V

OUT

应受限制

到范围V

SS

v

(V

in

或V

OUT

)

v

V

DD

.

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平

（例如，任一V

SS

或V

DD

）。未使用的输出必须悬空。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

*有关我们的无铅策略的更多信息

和焊接的详细信息，请下载

安森美半导体焊接与安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

1

2005年8月 - 修订版6

出版订单号：

MC14094B/D

MC14094B

引脚分配

频闪

数据

时钟

Q1

Q2

Q3

Q4

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

产量

启用

Q5

Q6

Q7

Q8

Q′

S

Q

S

真值表

产量

启用

0

1

Z =高阻抗

并行输出

频闪

X

0

1

数据

X

0

1

Q1

Z

无升跌。

0

1

无升跌。

Q

N

Z

无升跌。

Q

N

1

Q

N

1

无升跌。

串行输出

Q

S

*

Q7

无升跌。

Q7

无升跌。

Q′

S

无升跌。

Q7

无升跌。

Q7

时钟

X =无关

*在正时钟边沿，在第7个移位寄存器级的信息被转移到Q8和Q

S

.

订购信息

设备

MC14094BCP

MC14094BCPG

MC14094BD

MC14094BDG

MC14094BDR2

MC14094BDR2G

MC14094BDTR2

MC14094BF

MC14094BFG

MC14094BFEL

MC14094BFELG

包

PDIP16

（无铅）

SOIC16

（无铅）

SOIC16

（无铅）

TSSOP16*

SOEIAJ16

（无铅）

SOEIAJ16

（无铅）

航运

500单位/铁

48单位/铁

2500单位/磁带&卷轴

50单位/铁

2000单位/带卷&

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

*这个包本身是无铅。

http://onsemi.com

2

2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

3.给出的公式是只在25_C的典型特征。

4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：

其中：I

T

在

mA

（每包），C

L

在PF， V = （V

DD

– V

SS

）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。

电气特性

（电压参考V

SS

)

三态输出漏电流

总电源电流

(3) (4)

（动态加静态，

每包）

(C

L

= 50 pF的所有输出，全

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

(V

in

= 0)

输入电流

输出驱动电流

(V

OH

= 2.5伏）

(V

OH

= 4.6伏）

(V

OH

= 9.5伏）

(V

OH

= 13.5伏）

输入电压

“0”电平

(V

O

= 4.5或0.5伏）

(V

O

= 9.0或1.0伏）

(V

O

= 13.5或1.5伏）

输出电压

V

in

= V

DD

或0

(V

OL

= 0.4伏）

(V

OL

= 0.5伏）

(V

OL

= 1.5伏）

(V

O

= 0.5或4.5伏）

(V

O

= 1.0或9.0伏）

(V

O

= 1.5或13.5伏）

V

in

= 0或V

DD

特征

I

T

(C

L

) = I

T

（ 50 pF的） + （C

L

- 50 ） VFK

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

V

OH

V

OL

I

OH

V

IH

I

DD

I

OL

C

in

V

IL

I

TL

I

in

I

T

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

http://onsemi.com

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

MC14094B

55_C

3

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

1.5

3.0

4.0

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

I

T

= (4.1

毫安/千赫）

F +我

DD

I

T

= (14

毫安/千赫）

F +我

DD

I

T

= (140

毫安/千赫）

F +我

DD

±

0.00001

±

0.0001

典型值

(2)

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.005

0.010

0.015

25_C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

10

15

0

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

7.5

1.5

3.0

4.0

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

125_C

±

3.0

±

1.0

0.05

最大

150

300

600

1.5

3.0

4.0

MADC

单位

VDC

mA

pF

5.给出的公式是只在25_C的典型特征。

6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性

(5)

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25_C)

选通脉冲宽度

时钟脉冲频率

时钟的上升和下降时间

时钟脉冲宽度，高

保持时间

时钟到数据

建立时间

到时钟数据

传播延迟时间

时钟串行输出QS

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 305纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 107纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ） C L + 82纳秒

输出上升时间和下降时间

t

TLH

, t

THL

= （ 1.35纳秒/ PF ）C

L

+ 33纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.6纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.4纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

输出使能输出

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 95纳秒

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 57纳秒

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 42纳秒

选通并行输出

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 245纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ） C L + 127纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 87纳秒

时钟并行输出

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 375纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 177纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 122纳秒

时钟串行输出Q 'S

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 350纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 149纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 62纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 180纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 77纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 57纳秒

特征

http://onsemi.com

符号

MC14094B

t

PHZ

,

t

PZL

t

PLH

,

t

PHL

t

TLH

,

t

THL

t

PLZ

,

t

PZH

t

R（ CL ）

t

F（ CL ）

t

WH

t

WL

t

su

f

cl

t

h

4

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5

10

15

民

200

80

70

200

100

83

125

55

35

0

20

典型值

(6)

– 40

– 10

0

100

40

35

100

50

40

225

95

70

140

75

55

290

145

100

420

195

135

230

110

75

350

125

95

100

50

40

2.5

5.0

6.0

60

30

20

1.25

2.5

3.0

最大

450

190

140

280

150

110

580

290

200

840

390

270

460

220

150

600

250

190

200

100

80

15

5.0

4.0

兆赫

单位

ns

ms

MC14094B

三态测试电路

对于T

PHZ

和T

PZH

V

SS

对于T

PLZ

和T

PZL

V

DD

O.E.

数据

ST

时钟

1k

产量

50 pF的

框图

寄存器级1

时钟

2

时钟

锁存器1

频闪

三态缓冲器1

V

DD

4

Q1

*

串行

DATA IN

时钟

频闪频闪

时钟

15

时钟

频闪

*

产量

启用

2

3

4

5

6

7

寄存器级2

寄存器级3

寄存器级4

寄存器级5

寄存器级6

寄存器级7

闩锁2

LATCH 3

LATCH 4

LATCH 5

LATCH 6

LATCH 7

3-STATE BUFFER 2

三态缓冲器3

3-STATE BUFFER 4

3-STATE BUFFER 5

3-STATE BUFFER 6

3-STATE BUFFER 7

5

6

7

14

13

12

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

8

寄存器级8

时钟

LATCH 8

频闪频闪

时钟

3-STATE BUFFER 8

11

Q8

10

时钟

Q′

S

3

时钟

1

*

时钟

频闪

*输入保护二极管

时钟

频闪

*

时钟

9

Q

S

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

MC14094B

8级移位/存储寄存器

三态输出

的MC14094B结合一个8级的移位寄存器与一个数据锁存器

各阶段以及从每个锁存三态输出。

数据被移位在正时钟转变和从所述移

第七阶段，两个串行输出。 QS的输出数据是用于在使用中

高速级联系统。在Q输出数据移入的

以下为低速级联系统中使用负时钟跳变。

从移位寄存器的每一级的数据被锁存，负

在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁，同时选通

为高。

八大数据锁存器输出由三态缓冲器控制

它由一个逻辑低的输出被置于高阻抗状态

启用。

三态输出

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

输入二极管保护

数据锁存器

双输出的数据输出上的正负时钟

TRANSITIONS

有用的串行到并行数据转换

引脚对引脚兼容CD4094B

最大额定值*

（电压参考VSS）

符号

VDD

参数

直流电源电压

MC14XXXBCP

MC14XXXBCL

MC14XXXBD

L结尾

陶瓷的

CASE 620

P后缀

塑料

CASE 648

后缀

SOIC

CASE 751B

订购信息

塑料

陶瓷的

SOIC

TA = - 55 °至125°C的所有软件包。

价值

单位

V

- 0.5 + 18.0

±

10

500

VIN，VOUT

IIN，电流输出

PD

TL

输入或输出电压（ DC或瞬态）

- 0.5 VDD + 0.5

输入或输出电流（ DC或瞬态）

每个引脚

功耗，每包

储存温度

mA

mW

TSTG

- 65至+ 150

260

引脚分配

频闪

数据

时钟

Q1

Q2

Q3

Q4

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VDD

产量

启用

Q5

Q6

Q7

Q8

Q的

QS

_

C

_

C

焊接温度（ 8秒焊接）

*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/

_

c从100

_

C至125

_

C

产量

启用

0

1

并行输出

频闪

X

0

1

数据

X

0

1

Q1

Z

无升跌。

0

1

无升跌。

QN

Z

无升跌。

QN–1

无升跌。

串行输出

QS *

Q7

无升跌。

Q7

无升跌。

Q的

无升跌。

Q7

无升跌。

Q7

时钟

该器件包含保护电路，

警惕损害，由于高静

电压或电场。然而，预

注意事项必须注意避免应用

超过最大额定电压较高的任何电压

年龄这个高阻抗电路。为了正确

操作中， Vin和Vout的应受限制

到的范围内的VSS

（ VIN或VOUT ）

VDD 。

未使用的输入必须始终连接到一个

适当的逻辑电平（例如，是VSS

或VDD ）。未使用的输出必须悬空。

v

Z =高阻抗

X =无关

*在正时钟边沿，在第7个移位寄存器级的信息传送给

Q8和QS 。

REV 3

1/94

摩托罗拉CMOS逻辑数据

摩托罗拉公司1995年

MC14094B

1

**给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

计算总电源电流在负载以外50 pF的：

IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK

其中： IT是

A

（每包）， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.001 。

电气特性

（电压参考VSS）

三态输出漏电流

总电源电流**

（动态加静态，

每包）

（所有输出CL = 50 pF的，所有的

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

（ VIN = 0 ）

输入电流

输出驱动电流

（ VOH = 2.5伏）

（ VOH = 4.6伏）

（ VOH = 9.5伏）

（ VOH = 13.5伏）

输入电压

“0”电平

（ VO = 4.5或0.5伏）

（ VO = 9.0或1.0伏）

（ VO = 13.5或1.5伏）

输出电压

VIN = VDD或0

MC14094B

2

（ VO = 0.5或4.5伏）

（ VO = 1.0或9.0伏）

（ VO = 1.5或13.5伏）

输入电压= 0或Vdd的

（ VOL = 0.4 V直流）

（ VOL = 0.5 V直流）

（ VOL = 1.5 V直流）

特征

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

VOH

VOL

IOH

国际直拨电话

VIH

IOL

CIN

VIL

ITL

IIN

IT

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

—

– 55

_

C

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

1.5

3.0

4.0

—

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

—

±

0.00001

±

0.0001

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

典型值＃

0.005

0.010

0.015

25

_

C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

10

15

0

IT = （ 4.1

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 14

μA /千赫）

F + IDD

IT = （ 140

μA /千赫）

F + IDD

摩托罗拉CMOS逻辑数据

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

7.5

1.5

3.0

4.0

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

—

125

_

C

±

3.0

±

1.0

0.05

最大

150

300

600

1.5

3.0

4.0

—

MADC

μAdc

单位

VDC

A

pF

*给出的公式只在25的典型特征

_

C.

#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性*

（ CL = 50 pF的， TA = 25

_

C)

选通脉冲宽度

时钟脉冲频率

时钟的上升和下降时间

时钟脉冲宽度，高

保持时间

时钟到数据

建立时间

到时钟数据

传播延迟时间

时钟串行输出QS

tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 305纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 107纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） C L + 82纳秒

输出上升时间和下降时间

tTLH ， TTHL = （ 1.35纳秒/ PF ） CL + 33纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.6纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

tTLH ， TTHL = （ 0.4纳秒/ PF ） CL + 20纳秒

摩托罗拉CMOS逻辑数据

输出使能输出

tPHZ ， tPZL = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 95纳秒

tPHZ ， tPZL = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 57纳秒

tPHZ ， tPZL = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 42纳秒

tPLZ ， tPZH = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 180纳秒

tPLZ ， tPZH = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 77纳秒

tPLZ ， tPZH = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 57纳秒

选通并行输出

tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 245纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） C L + 127纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 87纳秒

时钟并行输出

tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 375纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.35纳秒/ PF ） CL + 177纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 122纳秒

时钟串行输出Q 'S

tPLH的，的TPH1 = （ 0.90纳秒/ PF ） CL + 350纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.36纳秒/ PF ） CL + 149纳秒

tPLH的，的TPH1 = （ 0.26纳秒/ PF ） CL + 62纳秒

特征

时钟

数据

O.E.

ST

FOR tPHZ与tPZH

VSS

三态测试电路

符号

tPHZ ，

tPZL

tPLH的，

的TPH1

tTLH ，

TTHL

tPLZ ，

tpZH

TR （CL ）

TF （CL ）

亿千瓦时

TWL

TSU

整箱

th

1k

50 pF的

FOR tPLZ与tPZL

VDD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5

10

15

产量

民

200

80

70

200

100

83

125

55

35

0

20

—

典型值＃

– 40

– 10

0

100

40

35

100

50

40

225

95

70

140

75

55

290

145

100

420

195

135

230

110

75

350

125

95

100

50

40

2.5

5.0

6.0

60

30

20

—

1.25

2.5

3.0

最大

450

190

140

280

150

110

580

290

200

840

390

270

460

220

150

600

250

190

200

100

80

15

5.0

4.0

—

MC14094B

3

兆赫

单位

s

ns

框图

寄存器级1

时钟

2

时钟

锁存器1

频闪

三态缓冲器1

VDD

*

串行

DATA IN

时钟

频闪频闪

4

Q1

时钟

15

时钟

频闪

*

2

产量

启用

3

4

5

6

7

寄存器级2

寄存器级3

寄存器级4

寄存器级5

寄存器级6

寄存器级7

闩锁2

LATCH 3

LATCH 4

LATCH 5

LATCH 6

LATCH 7

3-STATE BUFFER 2

三态缓冲器3

3-STATE BUFFER 4

3-STATE BUFFER 5

3-STATE BUFFER 6

3-STATE BUFFER 7

5

6

7

14

13

12

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

8

寄存器级8

时钟

LATCH 8

频闪频闪

时钟

3-STATE BUFFER 8

11

Q8

10

3

Q的

*

时钟

1

*

频闪

*输入保护二极管

时钟

9

QS

动态时序图

亿千瓦时

tr

50%

th

50%

90%

10%

TSU

2

tf

3

时钟

DATA IN

TWL

1

频闪

15

产量

启用

TPLH

50%

的TPH1

90%

10%

TTHL

TPLH

50%

TPLH

tPHZ

90%

10%

的TPH1

50%

tpZH

tPLZ

50%

tPZL

90%

10%

N

Q1

Q7

tTLH

90%

10%

9

QS

的TPH1

50%

10

Q的

50%

MC14094B

4

摩托罗拉CMOS逻辑数据

外形尺寸

L结尾

陶瓷DIP封装

CASE 620-10

ISSUE V

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L TO领先时中心

平行地形成。

4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）

WHERE领先进入陶瓷

体。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

M

N

英寸

民

最大

0.750

0.785

0.240

0.295

–––

0.200

0.015

0.020

0.050 BSC

0.055

0.065

0.100 BSC

0.008

0.015

0.125

0.170

0.300 BSC

0

_

15

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

19.05

19.93

6.10

7.49

–––

5.08

0.39

0.50

1.27 BSC

1.40

1.65

2.54 BSC

0.21

0.38

3.18

4.31

7.62 BSC

0

_

15

_

0.51

1.01

–B–

1

8

C

L

–T–

座位

飞机

N

E

F

D

G

16 PL

K

M

J

16 PL

0.25 (0.010)

M

T B

S

0.25 (0.010)

T A

S

P后缀

塑料DIP封装

CASE 648-08

ISSUE

–A–

16

9

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸L为中央导线时的

平行地形成。

4.尺寸B不包括塑模毛边。

5.圆角可选。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

M

S

英寸

民

最大

0.740

0.770

0.250

0.270

0.145

0.175

0.015

0.021

0.040

0.70

0.100 BSC

0.050 BSC

0.008

0.015

0.110

0.130

0.295

0.305

0

_

10

_

0.020

0.040

MILLIMETERS

民

最大

18.80

19.55

6.35

6.85

3.69

4.44

0.39

0.53

1.02

1.77

2.54 BSC

1.27 BSC

0.21

0.38

2.80

3.30

7.50

7.74

0

_

10

_

0.51

1.01

B

1

8

F

S

C

L

–T–

H

G

D

16 PL

座位

飞机

K

J

T A

M

0.25 (0.010)

M

摩托罗拉CMOS逻辑数据

MC14094B

5

MC14094B

8级移位/存储寄存器

三态输出

的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁存

对于每个阶段，并且从每个锁存器的三态输出。

数据被移位在正时钟转变和从所述移

第七阶段，两个串行输出。在Q

S

输出数据是用于在使用中

高速级联系统。在Q'

S

输出数据被移位的

以下用于低速级联负时钟跳变

系统。

从移位寄存器的每一级的数据被锁存，负

在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁而

频闪高。

八大数据锁存器输出由三态控制

缓冲器其中通过一个逻辑低被放置在高阻抗状态

在输出使能。

http://onsemi.com

记号

图表

16

PDIP–16

P后缀

CASE 648

MC14094BCP

AWLYYWW

1

16

SOIC–16

后缀

CASE 751B

1

16

TSSOP–16

DT后缀

CASE 948F

1

16

SOEIAJ–16

后缀f

CASE 966

1

A

=大会地点

WL或L =晶圆地段

YY或Y =年

WW或W =工作周

MC14094B

AWLYWW

14

094B

ALYW

14094B

AWLYWW

三态输出

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围

输入二极管保护

数据锁存器

双输出的数据输出的正面和

负时钟转换

有用的串行到并行数据转换

引脚对引脚兼容CD4094B

最大额定值

（电压参考V

SS

）（注2 ）

符号

V

DD

V

in

, V

OUT

I

in

, I

OUT

P

D

T

A

T

英镑

T

L

参数

直流电源电压范围

输入或输出电压范围

（ DC或瞬态）

输入或输出电流

每个引脚（ DC或瞬态）

功耗，

每包（注3 ）

环境温度范围

存储温度范围

焊接温度

（ 8秒焊接）

价值

- 0.5至18.0

- 0.5 V

DD

+ 0.5

±

10

500

- 55 + 125

- 65 + 150

260

单位

V

mA

mW

订购信息

°C

设备

MC14094BCP

MC14094BD

MC14094BDR2

MC14094BDT

MC14094BDTR2

MC14094BF

包

PDIP–16

SOIC–16

TSSOP–16

SOEIAJ–16

航运

2000/Box

48/Rail

2500 /磁带&卷轴

96/Rail

2500 /磁带&卷轴

见注1 。

2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。

3.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

该器件包含保护电路，以防止由于高伤害

静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免

任何电压的应用中高于最大额定电压至该

高阻抗电路。为了正常工作，V

in

和V

OUT

应受限制

到范围V

SS

(V

in

或V

OUT

)

V

DD

.

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，

无论是V

SS

或V

DD

）。未使用的输出必须悬空。

v

1.对于订购信息的EIAJ版

SOIC封装，请联系您当地的开

安森美半导体的代表。

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1

2000年3月 - 第3版

出版订单号：

MC14094B/D

MC14094B

引脚分配

频闪

数据

时钟

Q1

Q2

Q3

Q4

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

产量

启用

Q5

Q6

Q7

Q8

Q′

S

Q

S

时钟

产量

启用

0

1

并行输出

频闪

X

0

1

数据

X

0

1

Q1

Z

无升跌。

0

1

无升跌。

Q

N

Z

无升跌。

Q

N

–1

Q

N

–1

无升跌。

串行输出

Q

S

*

Q7

无升跌。

Q7

无升跌。

Q′

S

无升跌。

Q7

无升跌。

Q7

Z =高阻抗

X =无关

*在正时钟边沿，在第7个移位寄存器级的信息被转移到Q8和Q

S

.

http://onsemi.com

2

4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

5.给出的公式只在25的典型特征

_

C.

6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：

其中：I

T

在

A

（每包），C

L

在PF， V = （V

DD

– V

SS

）在伏，女为kHz输入频率， K = 0.001 。

电气特性

（电压参考V

SS

)

三态输出漏电流

总电源电流

(5.) (6.)

（动态加静态，

每包）

(C

L

= 50 pF的所有输出，全

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

(V

in

= 0)

输入电流

输出驱动电流

(V

OH

= 2.5伏）

(V

OH

= 4.6伏）

(V

OH

= 9.5伏）

(V

OH

= 13.5伏）

输入电压

“0”电平

(V

O

= 4.5或0.5伏）

(V

O

= 9.0或1.0伏）

(V

O

= 13.5或1.5伏）

输出电压

V

in

= V

DD

或0

(V

OL

= 0.4伏）

(V

OL

= 0.5伏）

(V

OL

= 1.5伏）

(V

O

= 0.5或4.5伏）

(V

O

= 1.0或9.0伏）

(V

O

= 1.5或13.5伏）

V

in

= 0或V

DD

特征

I

T

(C

L

) = I

T

（ 50 pF的） + （C

L

- 50 ） VFK

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

V

OH

V

OL

I

OH

V

IH

I

DD

C

in

I

OL

V

IL

I

TL

I

in

I

T

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

http://onsemi.com

– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

—

MC14094B

– 55

_

C

3

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

1.5

3.0

4.0

—

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

I

T

= (4.1

μA /千赫）

F +我

DD

I

T

= (14

μA /千赫）

F +我

DD

I

T

= (140

μA /千赫）

F +我

DD

—

±

0.00001

±

0.0001

典型值

(4.)

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.005

0.010

0.015

25

_

C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

10

15

0

±

0.1

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

7.5

1.5

3.0

4.0

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

—

125

_

C

±

3.0

±

1.0

0.05

最大

150

300

600

1.5

3.0

4.0

—

MADC

μAdc

单位

VDC

A

pF

7.给出的公式只在25的典型特征

_

C.

8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性

(7.)

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25

_

C)

选通脉冲宽度

时钟脉冲频率

时钟的上升和下降时间

时钟脉冲宽度，高

保持时间

时钟到数据

建立时间

到时钟数据

传播延迟时间

时钟串行输出QS

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 305纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 107纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ） C L + 82纳秒

输出上升时间和下降时间

t

TLH

, t

THL

= （ 1.35纳秒/ PF ）C

L

+ 33纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.6纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.4纳秒/ PF ）C

L

+ 20纳秒

输出使能输出

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 95纳秒

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 57纳秒

t

PHZ

, t

PZL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 42纳秒

选通并行输出

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 245纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ） C L + 127纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 87纳秒

时钟并行输出

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 375纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.35纳秒/ PF ）C

L

+ 177纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 122纳秒

时钟串行输出Q 'S

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 350纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 149纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 62纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.90纳秒/ PF ）C

L

+ 180纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.36纳秒/ PF ）C

L

+ 77纳秒

t

PLZ

, t

PZH

= （ 0.26纳秒/ PF ）C

L

+ 57纳秒

特征

http://onsemi.com

符号

MC14094B

t

PHZ

,

t

PZL

t

PLH

,

t

PHL

t

TLH

,

t

THL

t

PLZ

,

t

PZH

t

R（ CL ）

t

F（ CL ）

t

WH

t

WL

t

su

f

cl

t

h

4

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5

10

15

民

200

80

70

200

100

83

125

55

35

0

20

—

典型值

(8.)

– 40

– 10

0

100

40

35

100

50

40

225

95

70

140

75

55

290

145

100

420

195

135

230

110

75

350

125

95

100

50

40

2.5

5.0

6.0

60

30

20

—

1.25

2.5

3.0

最大

450

190

140

280

150

110

580

290

200

840

390

270

460

220

150

600

250

190

200

100

80

15

5.0

4.0

—

兆赫

单位

s

ns

MC14094B

三态测试电路

对于T

PHZ

和T

PZH

V

SS

对于T

PLZ

和T

PZL

V

DD

O.E.

数据

ST

时钟

1k

产量

50 pF的

框图

寄存器级1

时钟

2

时钟

锁存器1

频闪

三态缓冲器1

V

DD

*

串行

DATA IN

时钟

频闪频闪

4

Q1

时钟

15

时钟

频闪

*

2

产量

启用

3

4

5

6

7

寄存器级2

寄存器级3

寄存器级4

寄存器级5

寄存器级6

寄存器级7

闩锁2

LATCH 3

LATCH 4

LATCH 5

LATCH 6

LATCH 7

3-STATE BUFFER 2

三态缓冲器3

3-STATE BUFFER 4

3-STATE BUFFER 5

3-STATE BUFFER 6

3-STATE BUFFER 7

5

6

7

14

13

12

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

8

寄存器级8

时钟

LATCH 8

频闪频闪

时钟

3-STATE BUFFER 8

11

Q8

10

3

Q′

S

*

时钟

1

*

频闪

*输入保护二极管

时钟

9

Q

S

http://onsemi.com

5