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MC14094B
8级移位/存储寄存器
三态输出
的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁存
对于每个阶段,并且从每个锁存器的三态输出。
数据被移位在正时钟转变和从所述移
第七阶段,两个串行输出。在Q
S
输出数据是用于在使用中
高速级联系统。在Q'
S
输出数据被移位的
以下用于低速级联负时钟跳变
系统。
从移位寄存器的每一级的数据被锁存,负
在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁而
频闪高。
八大数据锁存器输出由三态控制
缓冲器其中通过一个逻辑低被放置在高阻抗状态
在输出使能。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14094BCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
16
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
MC14094B
AWLYWW
14
094B
ALYW
14094B
AWLYWW
三态输出
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
输入二极管保护
数据锁存器
双输出的数据输出的正面和
负时钟转换
有用的串行到并行数据转换
引脚对引脚兼容CD4094B
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注3 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
订购信息
°C
°C
°C
设备
MC14094BCP
MC14094BD
MC14094BDR2
MC14094BDT
MC14094BDTR2
MC14094BF
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
TSSOP–16
SOEIAJ–16
航运
2000/Box
48/Rail
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
SOIC封装,请联系您当地的开
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14094B/D
MC14094B
引脚分配
频闪
数据
时钟
Q1
Q2
Q3
Q4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
产量
启用
Q5
Q6
Q7
Q8
Q′
S
Q
S
时钟
产量
启用
0
0
1
1
1
1
并行输出
频闪
X
X
0
1
1
1
数据
X
X
X
0
1
1
Q1
Z
Z
无升跌。
0
1
无升跌。
Q
N
Z
Z
无升跌。
Q
N
–1
Q
N
–1
无升跌。
串行输出
Q
S
*
Q7
无升跌。
Q7
Q7
Q7
无升跌。
Q′
S
无升跌。
Q7
无升跌。
无升跌。
无升跌。
Q7
Z =高阻抗
X =无关
*在正时钟边沿,在第7个移位寄存器级的信息被转移到Q8和Q
S
.
http://onsemi.com
2
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的:
其中:I
T
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
电气特性
(电压参考V
SS
)
三态输出漏电流
总电源电流
(5.) (6.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
V
in
= 0或V
DD
特征
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
TL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
MC14094B
– 55
_
C
3
±
0.1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
I
T
= (4.1
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (14
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (140
μA /千赫)
F +我
DD
±
0.00001
±
0.0001
典型值
(4.)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
±
3.0
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
A
pF
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C)
选通脉冲宽度
时钟脉冲频率
时钟的上升和下降时间
时钟脉冲宽度,高
保持时间
时钟到数据
建立时间
到时钟数据
传播延迟时间
时钟串行输出QS
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 305纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 107纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF ) C L + 82纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.35纳秒/ PF )C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.6纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.4纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
输出使能输出
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 95纳秒
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 57纳秒
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 42纳秒
选通并行输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 245纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF ) C L + 127纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 87纳秒
时钟并行输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 375纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.35纳秒/ PF )C
L
+ 177纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 122纳秒
时钟串行输出Q 'S
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 350纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 149纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 62纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 180纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 77纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 57纳秒
特征
http://onsemi.com
符号
MC14094B
t
PHZ
,
t
PZL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
PLZ
,
t
PZH
t
R( CL )
t
F( CL )
t
WH
t
WL
t
su
f
cl
t
h
4
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5
10
15
200
80
70
200
100
83
125
55
35
0
20
20
典型值
(8.)
– 40
– 10
0
100
40
35
100
50
40
225
95
70
140
75
55
290
145
100
420
195
135
230
110
75
350
125
95
100
50
40
2.5
5.0
6.0
60
30
20
1.25
2.5
3.0
最大
450
190
140
280
150
110
580
290
200
840
390
270
460
220
150
600
250
190
200
100
80
15
5.0
4.0
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC14094B
三态测试电路
对于T
PHZ
和T
PZH
V
SS
对于T
PLZ
和T
PZL
V
DD
O.E.
数据
ST
时钟
1k
产量
50 pF的
框图
寄存器级1
时钟
2
时钟
锁存器1
频闪
三态缓冲器1
V
DD
*
串行
DATA IN
时钟
时钟
频闪频闪
4
Q1
时钟
15
时钟
频闪
*
2
产量
启用
3
4
5
6
7
寄存器级2
寄存器级3
寄存器级4
寄存器级5
寄存器级6
寄存器级7
闩锁2
LATCH 3
LATCH 4
LATCH 5
LATCH 6
LATCH 7
3-STATE BUFFER 2
三态缓冲器3
3-STATE BUFFER 4
3-STATE BUFFER 5
3-STATE BUFFER 6
3-STATE BUFFER 7
5
6
7
14
13
12
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8
寄存器级8
时钟
时钟
LATCH 8
频闪频闪
时钟
3-STATE BUFFER 8
11
Q8
10
3
Q′
S
*
时钟
时钟
时钟
时钟
时钟
1
*
频闪
频闪
频闪
*输入保护二极管
时钟
9
Q
S
http://onsemi.com
5
MC14094B
8级移位/存储寄存器
具有三态输出
的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁存
对于每个阶段,从每个锁存三态输出。
数据被移位在正时钟转变和从所述移
第七阶段,两个串行输出。在Q
S
输出数据是用于在使用中
高速级联系统。在Q
S
输出数据被移位的
以下用于低速级联负时钟跳变
系统。
从移位寄存器的每一级的数据被锁存,负
在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁而
频闪高。
八个数据锁存器的输出通过三态缓冲器控制
其被放置在高阻抗状态,由一个逻辑低电平上
输出使能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC14094BCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
14094BG
AWLYWW
三态输出
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
输入二极管保护
数据锁存器
双输出的数据输出的正面和
负时钟转换
有用的串行到并行数据转换
引脚对引脚兼容CD4094B
无铅包可用*
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
14
094B
ALYW
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
1
MC14094B
ALYWG
最大额定值
(电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,每包
(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号:
MC14094B/D
MC14094B
引脚分配
频闪
数据
时钟
Q1
Q2
Q3
Q4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
产量
启用
Q5
Q6
Q7
Q8
Q′
S
Q
S
真值表
产量
启用
0
0
1
1
1
1
Z =高阻抗
并行输出
频闪
X
X
0
1
1
1
数据
X
X
X
0
1
1
Q1
Z
Z
无升跌。
0
1
无升跌。
Q
N
Z
Z
无升跌。
Q
N
1
Q
N
1
无升跌。
串行输出
Q
S
*
Q7
无升跌。
Q7
Q7
Q7
无升跌。
Q′
S
无升跌。
Q7
无升跌。
无升跌。
无升跌。
Q7
时钟
X =无关
*在正时钟边沿,在第7个移位寄存器级的信息被转移到Q8和Q
S
.
订购信息
设备
MC14094BCP
MC14094BCPG
MC14094BD
MC14094BDG
MC14094BDR2
MC14094BDR2G
MC14094BDTR2
MC14094BF
MC14094BFG
MC14094BFEL
MC14094BFELG
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000单位/带卷&
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:
其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏,女为kHz输入频率, K = 0.001 。
电气特性
(电压参考V
SS
)
三态输出漏电流
总电源电流
(3) (4)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 4.6伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏)
(V
O
= 9.0或1.0伏)
(V
O
= 13.5或1.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5或4.5伏)
(V
O
= 1.0或9.0伏)
(V
O
= 1.5或13.5伏)
V
in
= 0或V
DD
特征
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
TL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
MC14094B
55_C
3
±
0.1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
I
T
= (4.1
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (14
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (140
毫安/千赫)
F +我
DD
±
0.00001
±
0.0001
典型值
(2)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.005
0.010
0.015
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125_C
±
3.0
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
pF
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
(5)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C)
选通脉冲宽度
时钟脉冲频率
时钟的上升和下降时间
时钟脉冲宽度,高
保持时间
时钟到数据
建立时间
到时钟数据
传播延迟时间
时钟串行输出QS
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 305纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 107纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF ) C L + 82纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= ( 1.35纳秒/ PF )C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.6纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= ( 0.4纳秒/ PF )C
L
+ 20纳秒
输出使能输出
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 95纳秒
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 57纳秒
t
PHZ
, t
PZL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 42纳秒
选通并行输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 245纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF ) C L + 127纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 87纳秒
时钟并行输出
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 375纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.35纳秒/ PF )C
L
+ 177纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 122纳秒
时钟串行输出Q 'S
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 350纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 149纳秒
t
PLH
, t
PHL
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 62纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.90纳秒/ PF )C
L
+ 180纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.36纳秒/ PF )C
L
+ 77纳秒
t
PLZ
, t
PZH
= ( 0.26纳秒/ PF )C
L
+ 57纳秒
特征
http://onsemi.com
符号
MC14094B
t
PHZ
,
t
PZL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
PLZ
,
t
PZH
t
R( CL )
t
F( CL )
t
WH
t
WL
t
su
f
cl
t
h
4
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5
10
15
200
80
70
200
100
83
125
55
35
0
20
20
典型值
(6)
– 40
– 10
0
100
40
35
100
50
40
225
95
70
140
75
55
290
145
100
420
195
135
230
110
75
350
125
95
100
50
40
2.5
5.0
6.0
60
30
20
1.25
2.5
3.0
最大
450
190
140
280
150
110
580
290
200
840
390
270
460
220
150
600
250
190
200
100
80
15
5.0
4.0
兆赫
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
MC14094B
三态测试电路
对于T
PHZ
和T
PZH
V
SS
对于T
PLZ
和T
PZL
V
DD
O.E.
数据
ST
时钟
1k
产量
50 pF的
框图
寄存器级1
时钟
2
时钟
锁存器1
频闪
三态缓冲器1
V
DD
4
Q1
*
串行
DATA IN
时钟
时钟
频闪频闪
时钟
15
时钟
频闪
*
产量
启用
2
3
4
5
6
7
寄存器级2
寄存器级3
寄存器级4
寄存器级5
寄存器级6
寄存器级7
闩锁2
LATCH 3
LATCH 4
LATCH 5
LATCH 6
LATCH 7
3-STATE BUFFER 2
三态缓冲器3
3-STATE BUFFER 4
3-STATE BUFFER 5
3-STATE BUFFER 6
3-STATE BUFFER 7
5
6
7
14
13
12
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8
寄存器级8
时钟
时钟
LATCH 8
频闪频闪
时钟
3-STATE BUFFER 8
11
Q8
10
时钟
Q′
S
3
时钟
1
*
时钟
时钟
频闪
频闪
*输入保护二极管
时钟
频闪
*
时钟
9
Q
S
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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