MC14093B
四2输入NAND"
施密特触发器
该MC14093B施密特触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些设备发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。该MC14093B
可代替MC14011B四2输入与非门的使用
增强抗噪声能力，或为“方达”慢慢转变
波形。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
14093BG
AWLYWW
MC14093BCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入三重保护二极管
引脚对引脚兼容CD4093
可用于替代MC14011B
独立的施密特触发器在每个输入
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
14
093B
ALYW
G
G
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
MC14093B
ALYWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14093B/D
MC14093B
引脚分配
IN 1
A
IN 2
A
OUT
A
OUT
B
IN 1
B
IN 2
B
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
IN 2
D
IN 1
D
OUT
D
OUT
C
IN 2
C
在1C
逻辑图
1
2
5
6
8
9
12
13
V
DD
= 14针
V
SS
= 7针
3
4
10
11
等效电路示意
（电路的1/4所示）
订购信息
设备
MC14093BCP
MC14093BCPG
MC14093BD
MC14093BDG
MC14093BDR2
MC14093BDR2G
MC14093BDTR2
MC14093BDTR2G
MC14093BFEL
MC14093BFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000单位/带卷&
2500单位/磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.004 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
阈值电压
正向
滞后电压
总电源电流
(3) (4)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
负向
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“0”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
H
V
OL
V
T+
V
T–
I
OH
I
DD
I
OL
C
in
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
MC14093B
55_C
3
±
0.1
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
2.0
3.4
5.0
2.8
5.2
7.4
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
I
T
= (1.2
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.4
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.6
毫安/千赫）
F +我
DD
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
典型值
(2)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
1.9
3.9
5.8
2.9
5.9
8.8
1.1
1.7
2.1
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
2.8
5.2
7.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
125_C
±
1.0
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
15
30
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14093B
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(5)
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
ns
5.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
14
脉冲
发电机
产量
输入
7
V
SS
C
L
20纳秒
输入
t
PHL
产量
90%
50%
10%
t
THL
t
TLH
90%
50%
10%
t
PLH
20纳秒
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
图1.开关时间测试电路和波形
V
H
V
in
V
DD
V
in
V
SS
V
DD
V
H
V
DD
V
SS
V
DD
V
OUT
V
SS
V
OUT
V
SS
（一）施密特触发器将方达
(a)
输入缓慢上升和下降时间。
（ b）一个施密特触发器提供了最大
(b)
抗噪性闸门的应用程序。
图2.典型的施密特触发器应用
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14077B
请参阅第6-160
MC14078B ， MC14081B ， MC14082B
请参见第6-5页
MC14093B
四2输入？ NAND"
施密特触发器
的MC14093B施密特触发器与MOS P沟道构造和
N沟道在一个单一的整体结构增强型器件。
这些设备发现的主要用途，其中低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。的MC14093B可以代替的使用
MC14011B四2输入与非门，用于增强抗扰度或
“方达”慢慢改变波形。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入三重保护二极管
引脚对引脚兼容CD4093
可用于替代MC14011B
独立的施密特触发器在每个输入
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
逻辑图
1
2
5
6
8
9
12
13
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
3
_
C
_
C
4
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
10
11
等效电路示意
（电路的1/4所示）
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14093B
1
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.004 。
电气特性
（电压参考VSS）
阈值电压
正向
滞后电压
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14093B
2
输入电压= 0或Vdd的
负向
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
VH ？
VT +
VT-
IOH
国际直拨电话
IOL
CIN
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
3.6
7.1
10.8
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
2.8
5.2
7.4
2.0
3.4
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
25
_
C
0.88
2.25
8.8
1.9
3.9
5.8
2.9
5.9
8.8
1.1
1.7
2.1
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 1.2
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.4
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 3.6
μA /千赫）
F + IDD
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
15
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
传播延迟时间
输出下降时间
输出上升时间
摩托罗拉CMOS逻辑数据
VOUT
VIN
脉冲
发电机
（一）施密特触发器将方达
(a)
输入缓慢上升和下降时间。
VH
特征
输入
7
VDD
14
VSS
图1.开关时间测试电路和波形
图2.典型的施密特触发器应用
CL
VSS
VDD
VSS
VDD
产量
tPLH的，的TPH1
符号
TTHL
tTLH
VOUT
VIN
VH
VDD
VDC
（ b）一个施密特触发器提供了最大
(b)
抗噪性闸门的应用程序。
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
产量
输入
20纳秒
的TPH1
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
90%
50%
10%
TTHL
90%
50%
10%
典型值＃
125
50
40
100
50
40
100
50
40
tTLH
20纳秒
TPLH
最大
250
100
80
200
100
80
200
100
80
VOL
VOH
VSS
VDD
MC14093B
3
VSS
VDD
VSS
VDD
单位
ns
ns
ns
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750
0.785
0.245
0.280
0.155
0.200
0.015
0.020
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05
19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–A–
14
9
–B–
1
7
C
L
–T–
座位
飞机
K
F
D
14 PL
G
0.25 (0.010)
M
N
J
T A
S
14 PL
M
0.25 (0.010)
M
T B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
P后缀
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14093B
5
MC14093B
四2输入？ NAND"
施密特触发器
该MC14093B施密特触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些设备发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。该MC14093B
可代替MC14011B四2输入与非门的使用
增强抗噪声能力，或为“方达”慢慢转变
波形。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
14093B
AWLYWW
MC14093BCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入三重保护二极管
引脚对引脚兼容CD4093
可用于替代MC14011B
独立的施密特触发器在每个输入
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
14
093B
ALYW
MC14093B
AWLYWW
订购信息
设备
MC14093BCP
MC14093BD
MC14093BDR2
MC14093BDT
MC14093BDTEL
MC14093BDTR2
MC14093BF
MC14093BFEL
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
航运
2000/Box
2750/Box
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
TSSOP - 14 2000 /磁带&卷轴
TSSOP - 14 2500 /磁带&卷轴
SOEIAJ–14
SOEIAJ–14
见注1 。
见注1 。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14093B/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.004 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
阈值电压
正向
滞后电压
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
负向
特征
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
H
V
OL
V
T+
V
T–
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
MC14093B
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
3
±
0.1
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
I
T
= (1.2
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.4
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.6
μA /千赫）
F +我
DD
±
0.00001
典型值
(4.)
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25
_
C
0.88
2.25
8.8
1.9
3.9
5.8
2.9
5.9
8.8
1.1
1.7
2.1
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
0.9
2.5
4.0
2.2
4.6
6.8
0.3
1.2
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
3.6
7.1
10.8
最大
2.0
3.4
5.0
7.5
15
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.05
0.05
2.8
5.2
7.4
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14093B
开关特性
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(7.)
100
50
40
100
50
40
125
50
40
最大
200
100
80
200
100
80
250
100
80
单位
ns
输出上升时间
输出下降时间
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
ns
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
14
脉冲
发电机
产量
输入
7
V
SS
t
PHL
C
L
产量
90%
50%
10%
t
THL
t
TLH
20纳秒
输入
90%
50%
10%
t
PLH
20纳秒
V
DD
V
SS
V
OH
V
OL
图1.开关时间测试电路和波形
V
H
V
in
V
DD
V
in
V
SS
V
DD
V
H
V
DD
V
SS
V
DD
V
OUT
V
SS
V
OUT
V
SS
（一）施密特触发器将方达
(a)
输入缓慢上升和下降时间。
（ b）一个施密特触发器提供了最大
(b)
抗噪性闸门的应用程序。
图2.典型的施密特触发器应用
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
