MC14070B ， MC14077B
CMOS SSI
四异“OR ”和“或非”门
的MC14070B四异或门和MC14077B四
异或非门与MOS P沟道构造和
在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些互补MOS逻辑门发现的主要用途
其中，低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
MC14070B - 置换CD4030B和CD4070B类型
MC14077B - 置换CD4077B类型
无铅包可用*
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxB
AWLYWW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
14
MC140xxB
AWLYWW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14070B/D
MC14070B ， MC14077B
订购信息
设备
MC14070BCP
MC14070BCPG
MC14070BD
MC14070BDG
MC14070BDR2
MC14070BDR2G
MC14070BFEL
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
MC14077BCP
MC14077BCPG
MC14077BD
MC14077BDR2
MC14077BDR2G
MC14077BFEL
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
电气特性
（电压参考V
SS
)
传播延迟时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 130纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 57纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 37纳秒
输出上升和下降时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
TLH
, t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“0”电平
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
MC14070B ， MC14077B
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
175
75
55
100
50
40
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
350
150
110
200
100
80
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
4
MC14070B ， MC14077B
包装尺寸
PDIP14
P后缀
CASE 646-06
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.290
0.310
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
18.80
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.37
7.87
10
_
0.38
1.01
14
8
B
1
7
A
F
N
T
座位
飞机
L
C
K
H
G
D
14 PL
0.13 (0.005)
M
J
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
SOIC14
后缀
CASE 751A -03
ISSUE摹
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
G
C
R
X 45
_
F
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
http://onsemi.com
5
MC14070B ， MC14077B
CMOS SSI
四异“OR ”和“或非”门
的MC14070B四异或门和MC14077B四
异或非门与MOS P沟道构造和
在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些互补MOS逻辑门发现的主要用途
其中，低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
MC14070B
替代CD4030B和CD4070B类型
MC14077B
替代CD4077B类型
无铅包可用
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxBG
AWLYWW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
14
MC140xxB
ALYWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14070B/D
MC14070B ， MC14077B
订购信息
设备
MC14070BCP
MC14070BCPG
MC14070BD
MC14070BDG
MC14070BDR2
MC14070BDR2G
MC14070BFEL
MC14070BFELG
MC14077BCP
MC14077BCPG
MC14077BD
MC14077BDG
MC14077BDR2
MC14077BDR2G
MC14077BFEL
MC14077BFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
电气特性
（电压参考V
SS
)
传播延迟时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 130纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 57纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 37纳秒
输出上升和下降时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
TLH
, t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“0”电平
“0”电平
“1”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
in
I
T
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
MC14070B ， MC14077B
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
175
75
55
100
50
40
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
350
150
110
200
100
80
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
4
MC14070B ， MC14077B
CMOS SSI
四异“OR ”和“或非”门
的MC14070B四异或门和MC14077B四
异或非门与MOS P沟道构造和
在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些互补MOS逻辑门发现的主要用途
其中，低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
MC14070B - 置换CD4030B和CD4070B类型
MC14077B - 置换CD4077B类型
无铅包可用*
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxB
AWLYWW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
14
MC140xxB
AWLYWW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14070B/D
MC14070B ， MC14077B
订购信息
设备
MC14070BCP
MC14070BCPG
MC14070BD
MC14070BDG
MC14070BDR2
MC14070BDR2G
MC14070BFEL
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
MC14077BCP
MC14077BCPG
MC14077BD
MC14077BDR2
MC14077BDR2G
MC14077BFEL
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
电气特性
（电压参考V
SS
)
传播延迟时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 130纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 57纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 37纳秒
输出上升和下降时间（注3 ）
(C
L
= 50 pF的）
t
TLH
, t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“0”电平
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
MC14070B ， MC14077B
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.5
3.0
4.0
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
175
75
55
100
50
40
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
350
150
110
200
100
80
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
4
MC14070B ， MC14077B
包装尺寸
PDIP14
P后缀
CASE 646-06
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.290
0.310
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
18.80
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.37
7.87
10
_
0.38
1.01
14
8
B
1
7
A
F
N
T
座位
飞机
L
C
K
H
G
D
14 PL
0.13 (0.005)
M
J
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
SOIC14
后缀
CASE 751A -03
ISSUE摹
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
G
C
R
X 45
_
F
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
