MC14069UB
六反相器
该MC14069UB六反相器与MOS P沟道构造
并在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些逆变器发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。每个六
逆变器是一个单级，以减少传输延迟。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
MC14069UBCP
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
14
MC14069U
AWLYWW
14
069U
ALYW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入三重保护二极管
引脚对引脚替代的CD4069UB
符合JEDEC规格UB
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
单位
V
V
mA
14069U
AWLYWW
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
设备
MC14069UBCP
MC14069UBD
MC14069UBDR2
MC14069UBDT
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
航运
2000/Box
2750/Box
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
v
v
MC14069UBDTEL TSSOP - 14 2000 /磁带&卷轴
MC14069UBDTR2 TSSOP - 14 2500 /磁带&卷轴
MC14069UBF
MC14069UBFEL
SOEIAJ–14
SOEIAJ–14
见注1 。
见注1 。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14069UB/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
传播延迟时间
(5.)
(C
L
= 50 pF的）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 17纳秒
输出上升和下降时间
(5.)
(C
L
= 50 pF的）
t
TLH
, t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每门） （C
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0
特征
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
“1”电平
“0”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
Symbo
l
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
MC14069UB
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
3
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
I
T
= (0.3
μA /千赫）
F +我
DD
/6
I
T
= (0.6
μA /千赫）
F +我
DD
/6
I
T
= (0.9
μA /千赫）
F +我
DD
/6
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
典型值
(4.)
0.0005
0.0010
0.0015
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
100
50
40
5.0
5.0
10
15
65
40
30
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
125
75
55
200
100
80
7.5
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MC14069UB
包装尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
MC14069UB
六反相器
该MC14069UB六反相器与MOS P沟道构造
并在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些逆变器发现的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。每个六
逆变器是一个单级，以减少传输延迟。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
14069UG
AWLYWW
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
14
069U
ALYWG
G
MC14069UBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入三重保护二极管
引脚对引脚替代的CD4069UB
符合JEDEC规格UB
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
MC14069UB
ALYWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
A
=大会地点
WL ，L
=晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
G
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启8
1
出版订单号：
MC14069UB/D
MC14069UB
IN 1
出1
IN 2
输出2
IN 3
OUT 3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
在6
出6
在5
5
在4
出4
图1.引脚分配
1
3
5
9
11
13
2
4
6
8
10
12
V
SS
*所有输入双二极管保护未显示
（电路的1/6所示）
V
DD
= 14针
V
SS
= 7针
输入*
V
DD
产量
图3.逻辑图
图2.电路原理图
V
DD
脉冲
发电机
14输出
输入
7
V
SS
C
L
20纳秒
输入
t
PHL
产量
t
THL
90%
50%
10%
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
t
PLH
V
SS
V
OH
V
OL
t
TLH
图4.开关时间测试电路和波形
订购信息
设备
MC14069UBCP
MC14069UBCPG
MC14069UBD
MC14069UBDG
MC14069UBDR2
MC14069UBDR2G
MC14069UBDTR2
MC14069UBDTR2G
MC14069UBFEL
MC14069UBFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000单位/带卷&
2500单位/磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/磁带&弹药盒
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
电气特性
（电压参考V
SS
)
传播延迟时间
(3)
(C
L
= 50 pF的）
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.90纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.36纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.26纳秒/ PF ）C
L
+ 17纳秒
输出上升和下降时间
(3)
(C
L
= 50 pF的）
t
TLH
, t
THL
= （ 1.35纳秒/ PF ）C
L
+ 33纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.60纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.40纳秒/ PF ）C
L
+ 20纳秒
总电源电流
(3) (4)
（动态加静态，
每门） （C
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= 0
特征
“0”电平
“0”电平
“1”电平
“1”电平
来源
SINK
Symbo
l
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
http://onsemi.com
MC14069UB
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
55_C
3
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/6
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/6
I
T
= (0.9
毫安/千赫）
F +我
DD
/6
民
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
典型值
(2)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
100
50
40
5.0
5.0
10
15
65
40
30
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
125
75
55
200
100
80
7.5
1.0
2.0
2.5
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
4.0
8.0
12.5
民
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MC14069UB
SOIC14
CASE 751A -03
ISSUE
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
G
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
焊接足迹*
7X
7.04
1
0.58
14X
14X
1.52
1.27
沥青
外形尺寸：毫米
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
