【MC14066B四路模拟开关/四核多路复用器该MC14066B包括能够四个独立开关控制数字或模拟信号】,IC型号MC14066BFG,MC14066BFG PDF资料,MC14066BFG经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC14066B

四路模拟开关/四核

多路复用器

该MC14066B包括能够四个独立开关

控制数字或模拟信号。这四双边开关

是在信号选通，斩波器，调制器，解调器和有用

CMOS逻辑实现。

的MC14066B被设计成针对引脚与兼容

MC14016B ，但现在的导通电阻要低得多。输入电压波动

一样大的整个电源电压可以通过各控制

独立的控制输入。

特点

http://onsemi.com

记号

图表

14

PDIP14

P后缀

CASE 646

1

14

SOIC14

后缀

CASE 751A

1

14

TSSOP14

DT后缀

CASE 948G

1

14

SOEIAJ14

后缀f

CASE 965

1

A

=大会地点

WL ，L

=晶圆地段

YY, Y

=年

WW ，W =工作周

G或

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

MC14066B

ALYWG

14

066B

ALYWG

G

14066BG

AWLYWW

MC14066BCP

AWLYYWWG

在所有的控制输入三重保护二极管

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

线性传输特性

低噪音

12内华达州/ √Cycle ，女

≥

1.0 kHz的典型

引脚对引脚替代的CD4016 ， CD4016 ， MC14016B

对于较低

ON

，使用HC4066高速CMOS器件

无铅包可用

最大额定值

（电压参考V

SS

)

符号

V

DD

V

in

, V

OUT

I

in

I

SW

P

D

T

A

T

英镑

T

L

参数

直流电源电压范围

输入或输出电压范围

（ DC或瞬态）

输入电流（ DC或瞬态）

每个控制引脚

通过开关电流

功耗，每包

（注1 ）

环境温度范围

存储温度范围

焊接温度

（ 8秒焊接）

价值

0.5

至18.0

0.5

到V

DD

+ 0.5

±

10

±

25

500

55

+125

65

+150

260

单位

V

mA

mW

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C

该器件包含保护电路，以防止由于高伤害

静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免

任何电压的应用中高于最大额定电压至该

高阻抗电路。为了正常工作，V

in

和V

OUT

应受限制

到范围V

SS

v

(V

in

或V

OUT

)

v

V

DD

.

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平

（例如，任一V

SS

或V

DD

）。未使用的输出必须悬空。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年10月，

启示录7

1

出版订单号：

MC14066B/D

MC14066B

引脚分配

IN 1

出1

输出2

IN 2

控制2

控制3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

V

DD

控制1

控制4

在4

出4

OUT 3

IN 3

框图

控制1

IN 1

控制2

IN 2

控制3

IN 3

控制4

在4

13

2

1

5

3

4

6

9

8

12

10

11

出4

V

DD

= 14针

V

SS

= 7针

OUT 3

输出2

出1

逻辑图和真值表

（设备的1/4所示）

IN / OUT

控制

0 = V

SS

1 = V

DD

开关

关闭

ON

逻辑图限制

V

SS

≤

V

in

≤

V

DD

V

SS

≤

V

OUT

≤

V

DD

输出/输入

电路原理图

（电路的1/4所示）

V

DD

V

DD

V

DD

V

SS

V

DD

CMOS

输入

V

DD

V

DD

V

DD

300

W

V

SS

V

SS

http://onsemi.com

2

交换机和OUT

（电压参考V

SS

)

控制输入

（电压参考V

SS

)

供应需求

（电压参考V

EE

)

2.数据标记为“典型值”不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

3.对于在开关两端的电压降（DV

开关

） > 600毫伏（ > 300 mV的高温），过度V

DD

电流可以被绘制;即

电流从开关可同时含有V

DD

并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响，除非

最大额定值被超过。（请参见本数据手册的第一页。）

电气特性

电容，穿心

（开关OFF）

电容，开关I / O

关信道泄漏

电流（图6）

DON

之间的电阻

任意两个通道

在同一个包

抗性

输出失调电压

推荐静态或

在整个动态电压

所述开关（ 3）（图1）

推荐峰到

峰值电压进入或退出

交换机

输入电容

输入漏电流

高电平输入电压

低电平输入电压

总电源电流

（动态加静态，

每包

静态电流每

包

电源电压

范围

特征

DV

开关

符号

I

D（ AV ）

DR

on

V

OO

V

DD

C

I / O

C

I / O

V

I / O

R

on

V

IH

I

DD

C

in

V

IL

I

关闭

I

in

V

DD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

控制输入：

V

in

= V

SS

或V

DD

,

开关I / O ： V

SS

v

V

I / O

v

V

DD

和

DV

开关

v

500毫伏

(3)

关闭

V

in

= V

IL

或V

IH

（控制）信道来

信道或任何一个

通道

DV

开关

v

500毫伏

(3)

,

V

in

= V

IL

或V

IH

（对照），和V

in

=

0到V

DD

（转）

V

in

= 0 V ，无负载

通道上

打开或关闭通道

V

in

= 0或V

DD

R

on

=每规格，

I

关闭

=每规格

R

on

=每规格，

I

关闭

=每规格

T

A

= 25_C唯一的

通道部分，

(V

in

– V

OUT

)/R

on

，是

不包括在内）。

测试条件

http://onsemi.com

MC14066B

3

民

3.5

7.0

11

3.0

0

55_C

典型

±

0.1

±100

0.25

0.5

1.0

最大

V

DD

800

400

220

600

1.5

3.0

4.0

70

50

45

18

民

3.5

7.0

11

3.0

0

(0.07

毫安/千赫）

F +我

DD

(0.20

毫安/千赫）

F +我

DD

(0.36

毫安/千赫）

F +我

DD

±0.00001

典型值

(2)

±

0.05

0.005

0.010

0.015

25_C

0.47

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

250

120

80

5.0

10

25

10

±

0.1

±100

1050

500

280

0.25

0.5

1.0

最大

V

DD

600

7.5

1.5

3.0

4.0

15

70

50

45

18

民

3.5

7.0

11

3.0

0

125_C

±

1000

±

1.0

1200

520

300

最大

V

DD

135

95

65

300

1.5

3.0

4.0

7.5

15

30

18

V

p–p

单位

mV

nA

mV

mA

pF

W

V

4.给出的公式是只在25_C的典型特征。

5.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

电气特性

（注

4)

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25 ° C除非另有说明。）

串扰，控制输入信号输出（图5 ）

V

SS

= - 5 VDC

(R

1

= 1千瓦，R

L

= 10千瓦，控制吨

TLH

= t

THL

= 20纳秒）

声道分离度（图4 ）

(V

in

= 5 V

pp

, R

L

= 1千瓦，女

in

= 8.0兆赫）

（交换机A ON ，开关B关）

穿心衰减（开关OFF）

V

SS

= - 5 VDC

(V

in

= 5 V

pp

, R

L

= 1千瓦，女

in

= 1.0兆赫）（图3）

带宽（开关ON）（图3）

V

SS

= - 5 VDC

(R

L

= 1千瓦， 20登录（Ⅴ

OUT

/V

in

) =

3分贝，C

L

= 50 pF的，

V

in

= 5 V

pp

)

二次谐波失真

V

SS

= - 5 VDC

(V

in

= 1.77伏，中心RMS @ 0.0伏直流电，

R

L

= 10千瓦， F = 1.0千赫）

传播延迟时间

输入到输出（R

L

= 10千瓦）

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.17纳秒/ PF ）C

L

+ 15.5纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.08纳秒/ PF ）C

L

+ 6.0纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.06纳秒/ PF ）C

L

+ 4.0纳秒

控制输出（R

L

= 1千瓦）（图2）

输出“ 1 ”为高阻

高阻抗输出“ 0 ”

高阻抗，以输出“1”的

输出“ 0 ”为高阻

特征

V

SS

= - 5 VDC

V

SS

= 0伏

http://onsemi.com

MC14066B

t

PLH

, t

PHL

符号

4

t

PZH

t

PHZ

t

PZL

t

PLZ

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

民

典型值

(5)

– 50

300

0.1

20

10

7.0

65

60

20

15

60

20

15

40

35

30

40

35

30

最大

120

40

30

120

40

30

80

70

60

80

70

60

40

20

15

mV

pp

兆赫

单位

dB

ns

%

MC14066B

订购信息

设备

MC14066BCP

MC14066BCPG

MC14066BD

MC14066BDG

MC14066BDR2

MC14066BDR2G

MC14066BDTR2

MC14066BDTR2G

MC14066BF

MC14066BFG

MC14066BFEL

MC14066BFELG

包

PDIP14

（无铅）

SOIC14

（无铅）

SOIC14

（无铅）

TSSOP14*

SOEIAJ14

（无铅）

SOEIAJ14

（无铅）

2000 /磁带&卷轴

50单位/铁

2500 /磁带&卷轴

55单位/铁

25单位/铁

航运

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

*这个包本身是无铅。

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