MC14049B ， MC14050B
六角缓冲器
该MC14049B六反相器/缓冲器和MC14050B同相
十六进制缓冲与MOS P沟道和N沟道构造
增强型器件在一个单片结构。这些
互补MOS器件找到的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。这些设备
仅使用一个电源电压V提供逻辑电平的转换
DD
.
在输入信号的高电平（V
IH
）可以超过V
DD
供应
电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL负载可以驱动
当该设备被用作CMOS到TTL / DTL转换器
(V
DD
= 5.0 V, V
OL
v
0.4 V，I
OL
≥
3.2毫安） 。
需要注意的是引脚13和16没有内部连接这些
设备;从而连接到这些端子也不会影响
电路的操作。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC140xxBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
140xxB
AWLYWW
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
V
IN
可以超过V
DD
符合JEDEC B规格
改进的ESD保护所有输入
无铅包可用*
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
价值
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+
0.5
±
10
±
45
825
740
-55到+125
-65到+150
260
°C
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mA
mW
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
16
MC140xxB
AWLYWW
14
0xxB
ALYW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围（ DC或瞬态）
输出电压范围（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）每个引脚
输出电流（ DC或瞬态）每个引脚
功耗，每包（注1 ）
（塑胶）
（ SOIC ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
T
A
T
英镑
T
L
1.温度降额：参见图3 。
该器件包含保护电路，以防止损害的投入
由于参考的V高静态电压或电场
SS
只脚。额外
必须采取预防措施，以避免任何电压的应用比更高
最大额定电压至该高阻抗电路。对于正确的操作，
范围V
SS
≤
V
in
≤
18 V和V
SS
≤
V
OUT
≤
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14049B/D
MC14049B ， MC14050B
MC14049B
3
2
4
6
10
12
15
NC = 13脚， 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
逻辑图
3
5
7
9
11
14
MC14050B
2
4
6
10
12
15
NC = 13脚， 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
引脚分配
V
DD
OUT
A
IN
A
OUT
B
IN
B
OUT
C
IN
C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
OUT
F
IN
F
NC
OUT
E
IN
E
OUT
D
IN
D
14
11
5
7
9
订购信息
设备
MC14049BCP
MC14049BCPG
MC14049BD
MC14049BDG
MC14049BDR2
MC14049BDR2G
MC14049BFEL
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOEIAJ16
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
MC14050BCP
MC14050BCPG
MC14050BD
MC14050BDR2
MC14050BDR2G
MC14050BDT
MC14050BDTR2
MC14050BFEL
MC14050BFELG
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
96单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲器开关
静态电流（每包）
输入电容（V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是仅在+ 25_C的典型特征
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：
I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
）在伏，女以kHz的输入频率和k = 0.002 。
MC14049B ， MC14050B
http://onsemi.com
4.95
9.95
14.95
– 1.6
– 1.6
– 4.7
3.75
10
30
民
3.5
7.0
11
– 55_C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
– 1.25
– 1.30
– 3.75
4.95
9.95
14.95
民
3.2
8.0
24
3.5
7.0
11
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.5
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.3
毫安/千赫）
F +我
DD
±0.00001
典型值
（注2 ）
+ 25_C
0.002
0.004
0.006
– 2.5
– 2.6
– 10
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
6.0
16
40
5.0
10
15
10
0
0
0
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
20
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 1.0
– 3.0
民
2.6
6.6
19
3.5
7.0
11
+ 125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MC14049B ， MC14050B
我OH ，输出源CURRNT （ MADC ）
10
V
GS
= 5.0伏
20
V
GS
= 10 VDC
I OL ，输出灌电流（ MADC ）
AC开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= + 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
40
20
15
80
40
30
40
20
15
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 0.7纳秒/ PF ）C
L
+ 65纳秒
t
TLH
= （ 0.25纳秒/ PF ）C
L
+ 37.5纳秒
t
TLH
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
THL
= （ 0.06纳秒/ PF ）C
L
+ 17纳秒
t
THL
= （ 0.04纳秒/ PF ）C
L
+ 13纳秒
160
80
60
60
40
30
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
= （ 0.33纳秒/ PF ）C
L
+ 63.5纳秒
t
PLH
= （ 0.19纳秒/ PF ）C
L
+ 30.5纳秒
t
PLH
= （ 0.06纳秒/ PF ）C
L
+ 27纳秒
传播延迟时间
t
PHL
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PHL
= （ 0.1纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
PHL
= （ 0.05纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
PLH
ns
140
80
60
80
40
30
t
PHL
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
MC14049B
V
DD
1
I
OH
8
V
SS
V
OH
MC14050B
V
DD
1
I
OL
8
V
SS
V
OL
MC14049B
V
DD
1
I
OL
8
V
SS
V
OL
8
V
DD
= V
OL
MC14050B
V
DD
1
I
OH
V
SS
V
OH
V
DS
= V
OH
V
DD
0
160
V
GS
± 15 VDC
120
80
V
GS
= 10 VDC
30
最大电流等级
40
V
GS
= 5.0伏
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
10
40
50
10
V
GS
± 15 VDC
最大电流等级
0
8.0
6.0
4.0
2.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
图1.典型的输出源特性
图2.典型的输出特性汇
http://onsemi.com
4
MC14049B ， MC14050B
六角缓冲器
该MC14049B六反相器/缓冲器和MC14050B同相
十六进制缓冲与MOS P沟道和N沟道构造
增强型器件在一个单片结构。这些
互补MOS器件找到的主要用途，其中低功率
耗散和/或高抗噪能力是需要的。这些设备
仅使用一个电源电压V提供逻辑电平的转换
DD
.
在输入信号的高电平（V
IH
）可以超过V
DD
供应
电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL负载可以驱动
当该设备被用作CMOS到TTL / DTL转换器
(V
DD
= 5.0 V, V
OL
v
0.4 V，I
OL
≥
3.2毫安） 。
需要注意的是引脚13和16没有内部连接这些
设备;从而连接到这些端子也不会影响
电路的操作。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP16
P后缀
CASE 648
16
MC140xxBCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
14
050B
ALYWG
G
140xxBG
AWLYWW
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
V
IN
可以超过V
DD
符合JEDEC B规格
改进的ESD保护所有输入
这些器件是无铅和符合RoHS标准
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围（ DC或瞬态）
输出电压范围（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）每个引脚
输出电流（ DC或瞬态）每个引脚
功耗，每包（注1 ）
（塑胶）
（ SOIC ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+
0.5
±
10
±
45
825
740
55
+125
65
+150
260
°C
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mA
mW
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G或
G
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
16
MC140xxB
ALYWG
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
T
A
T
英镑
T
L
（注：微球可在任一位置）
1.温度降额：参见图3 。
该器件包含保护电路，以防止损害的投入
由于参考的V高静态电压或电场
SS
只脚。额外
必须采取预防措施，以避免任何电压的应用比更高
最大额定电压至该高阻抗电路。对于正确的操作，
范围V
SS
≤
V
in
≤
18 V和V
SS
≤
V
OUT
≤
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年6月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14049B/D
MC14049B ， MC14050B
MC14049B
逻辑图
2
4
6
10
12
15
3
5
7
9
11
14
MC14050B
2
4
6
10
12
15
NC = 13脚， 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
引脚分配
V
DD
OUT
A
IN
A
OUT
B
IN
B
OUT
C
IN
C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
OUT
F
IN
F
NC
OUT
E
IN
E
OUT
D
IN
D
3
5
7
9
11
14
NC = 13脚， 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
订购信息
设备
MC14049BCPG
MC14049BDG
MC14049BDR2G
MC14049BFELG
包
PDIP16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
SOEIAJ16
（无铅）
PDIP16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
（无铅）
TSSOP16*
（无铅）
SOEIAJ16
（无铅）
航运
500单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
MC14050BCPG
MC14050BDG
MC14050BDR2G
MC14050BDTG
MC14050BDTR2G
MC14050BFELG
500单位/铁
48单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
96单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3 & 4 ）
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲器开关
静态电流（每包）
输入电容（V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
V
in
= 0
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
特征
“0”电平
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是仅在+ 25_C的典型特征
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
50 ） VFK
其中：
I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
）在伏，女以kHz的输入频率和k = 0.002 。
MC14049B ， MC14050B
http://onsemi.com
4.95
9.95
14.95
– 1.6
– 1.6
– 4.7
3.75
10
30
民
3.5
7.0
11
– 55_C
0.05
0.05
0.05
最大
±0.1
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
– 1.25
– 1.30
– 3.75
4.95
9.95
14.95
民
3.2
8.0
24
3.5
7.0
11
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.5
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.3
毫安/千赫）
F +我
DD
±0.00001
典型值
（注2 ）
+ 25_C
0.002
0.004
0.006
– 2.5
– 2.6
– 10
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
6.0
16
40
5.0
10
15
10
0
0
0
0.05
0.05
0.05
最大
±0.1
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
20
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 1.0
– 3.0
民
2.6
6.6
19
3.5
7.0
11
+ 125_C
0.05
0.05
0.05
最大
±1.0
30
60
120
1.5
3.0
4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
3
MC14049B ， MC14050B
我OH ，输出源CURRNT （ MADC ）
V
GS
= 5.0伏
- 10
- 20
V
GS
= 10 VDC
I OL ，输出灌电流（ MADC ）
AC开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= + 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
40
20
15
80
40
30
40
20
15
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 0.7纳秒/ PF ）C
L
+ 65纳秒
t
TLH
= （ 0.25纳秒/ PF ）C
L
+ 37.5纳秒
t
TLH
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
THL
= （ 0.06纳秒/ PF ）C
L
+ 17纳秒
t
THL
= （ 0.04纳秒/ PF ）C
L
+ 13纳秒
160
80
60
60
40
30
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
= （ 0.33纳秒/ PF ）C
L
+ 63.5纳秒
t
PLH
= （ 0.19纳秒/ PF ）C
L
+ 30.5纳秒
t
PLH
= （ 0.06纳秒/ PF ）C
L
+ 27纳秒
传播延迟时间
t
PHL
= （ 0.2纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PHL
= （ 0.1纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
PHL
= （ 0.05纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
PLH
ns
140
80
60
80
40
30
t
PHL
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
MC14049B
V
DD
1
I
OH
8
V
SS
V
DS
= V
OH
- V
DD
V
OH
8
V
SS
MC14050B
V
DD
1
I
OL
V
OL
8
V
SS
V
DD
= V
OL
MC14049B
V
DD
1
I
OL
V
OL
8
V
SS
MC14050B
V
DD
1
I
OH
V
OH
0
160
V
GS
± 15 VDC
120
80
V
GS
= 10 VDC
- 30
最大电流等级
40
V
GS
= 5.0伏
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
10
- 40
V
GS
± 15 VDC
最大电流等级
0
- 50
- 10
- 8.0
- 6.0
- 4.0
- 2.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
图1.典型的输出源特性
图2.典型的输出特性汇
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