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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1089页 > MC14049UBDTR2
MC14049UB
六角缓冲器
该MC14049UB六反相器/缓冲器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这种互补MOS器件的主要发现
其中,使用低功耗和/或高抗噪性
所需。只使用一个器件提供逻辑电平转换
电源电压,V
DD
。在输入信号的高电平(V
IH
)可以超过
V
DD
电源电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL
负载可以当装置被用作CMOS到TTL / DTL被驱动
转换器(V
DD
= 5.0 V, V
OL
0.4 V,I
OL
3.2毫安) 。需要注意的是引脚
13和16内部没有连接该设备上;所以
连接到这些端子也不会影响电路操作。
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP–16
P后缀
CASE 648
MC14049UBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
16
14049U
AWLYWW
v
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
符合JEDEC规格UB
V
IN
可以超过V
DD
改进的ESD保护所有输入
最大额定值
(电压参考V
SS
) (注2 )
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围
( DC或瞬态)
输出电压范围
( DC或瞬态)
输入电流
每个引脚( DC或瞬态)
输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,
每包(注3 )
塑料
SOIC
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
- 0.5至18.0
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+0.5
±
10
+45
单位
V
V
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
1
16
14
049U
ALYW
V
mA
mA
mW
SOEIAJ–16
后缀f
CASE 966
1
MC14049U
AWLYWW
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
825
740
- 55 + 125
- 65 + 150
260
°C
°C
°C
订购信息
设备
MC14049UBCP
MC14049UBD
MC14049UBDR2
MC14049UBDT
PDIP–16
SOIC–16
SOIC–16
TSSOP–16
航运
2000/Box
2400/Box
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
T
A
T
英镑
T
L
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额:
全部包:参见图4 。
该器件包含电路,以防止损坏,由于高投入
引用于V静电电压或电场
SS
脚,只。额外的预防措施
必须注意避免任何电压低于额定的最大应用更高
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,范围V
SS
V
in
18 V和V
SS
V
OUT
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
MC14049UBDTR2 TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
MC14049UBF
MC14049UBFEL
SOEIAJ–16
SOEIAJ–16
见注1 。
见注1 。
v
v
v
v
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装,请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号:
MC14049UB/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的:
其中:I
T
A
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
– V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.002 。
电气特性
(电压参考V
SS
)
总电源电流
(5.) (6.)
(动态加静态,
每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,全
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
(V
O
= 4.5伏)
(V
O
= 9.0 VDC )
(V
O
= 13.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
OUT
C
OUT
B
OUT
A
V
DD
V
SS
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5伏)
(V
O
= 1.0伏)
(V
O
= 1.5伏)
V
in
= 0或V
DD
IN
C
IN
B
IN
A
引脚分配
NC =无连接
8
7
6
5
4
3
2
1
特征
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
10
12
13
14
15
16
11
9
OUT
E
IN
D
OUT
D
IN
E
NC
IN
F
OUT
F
NC
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
逻辑图
MC14049UB
14
11
9
7
5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
4.95
9.95
14.95
– 1.6
– 1.6
– 4.7
MC14049UB
4.0
8.0
12.5
3.75
10
30
– 55
_
C
12
10
6
4
2
15
2
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
NC = 13脚, 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
– 1.25
– 1.3
– 3.75
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
3.2
8.0
24
I
T
= (1.8
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (3.5
μA /千赫)
F +我
DD
I
T
= (5.3
μA /千赫)
F +我
DD
±
0.00001
典型值
(4.)
0.002
0.004
0.006
25
_
C
– 2.5
– 2.6
– 10
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
6.0
16
40
5.0
10
15
10
0
0
0
电路原理图
(电路的1/6所示)
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
20
MC14049UB
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 1.0
– 3.0
4.0
8.0
12.5
2.6
6.6
19
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
1.0
2.0
2.5
V
DD
V
SS
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14049UB
VOUT ,输出电压(VDC )
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的,T
A
= 25
_
C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值
(8.)
100
50
40
40
20
15
80
40
30
30
15
10
最大
160
100
60
60
40
30
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= ( 0.8纳秒/ PF )C
L
+ 60纳秒
t
TLH
= ( 0.3纳秒/ PF )C
L
+ 35纳秒
t
TLH
= ( 0.27纳秒/ PF )C
L
+ 26.5纳秒
输出下降时间
t
THL
= ( 0.3纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
THL
= ( 0.12纳秒/ PF )C
L
+ 14纳秒
t
THL
= ( 0.1纳秒/ PF )C
L
+ 10纳秒
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
= ( 0.38纳秒/ PF )C
L
+ 61纳秒
t
PLH
= ( 0.20纳秒/ PF )C
L
+ 30纳秒
t
PLH
= ( 0.11纳秒/ PF )C
L
+ 24.5纳秒
传播延迟时间
t
PHL
= ( 0.38纳秒/ PF )C
L
+ 11纳秒
t
PHL
= ( 0.12纳秒/ PF )C
L
+ 9 NS
t
PHL
= ( 0.11纳秒/ PF )C
L
+ 4.5纳秒
t
PLH
ns
120
65
50
60
30
20
t
PHL
ns
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
18
15
V
DD
± 15 VDC
10
V
DD
= 10 VDC
– 55°C
5
V
DD
= 5 VDC
+125°C
5
10
V
in
,输入电压(VDC )
15
18
图1.典型的电压传输特性与温度
http://onsemi.com
3
MC14049UB
V
DD
1
I
OH
8
0
我OH ,输出源CURRNT ( MADC )
V
GS
= 5.0伏
– 10
V
SS
V
DS
= V
OH
– V
DD
160
I OL ,输出灌电流( MADC )
V
GS
± 15 VDC
V
OH
8
V
SS
V
DD
= V
OL
V
DD
1
I
OL
V
OL
120
– 20
V
GS
= 10 VDC
80
V
GS
= 10 VDC
– 30
最大电流等级
40
V
GS
= 5.0伏
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
,漏极至源极电压(VDC )
10
– 40
V
GS
± 15 VDC
最大电流等级
0
– 50
– 10
– 8.0
– 6.0
– 4.0
– 2.0
V
DS
,漏极至源极电压(VDC )
图2.典型的输出源特性
图3.典型输出灌特性
V
DD
1
脉冲
发电机
PD ,最大功耗(MW )
每包
1200
1100
1000
900
825
800
740
700
600
500
400
300
200
100
0
25
(D ) SOIC
175毫瓦( P)
120毫瓦( D)
50
75
100
125
T
A
,环境温度( ° C)
150
175
( P) PDIP
V
in
8
V
SS
C
L
V
OUT
20纳秒
输入
90%
50%
10%
t
PHL
产量
90%
50%
10%
t
THL
20纳秒
V
DD
V
SS
t
PLH
V
OH
t
TLH
V
OL
图4.环境温度降额
图5.开关时间测试电路
和波形
http://onsemi.com
4
MC14049UB
包装尺寸
–A–
16
9
PDIP–16
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
B
1
8
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
–A–
SOIC–16
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
MILLIMETERS
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
16
9
–B–
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
G
F
K
C
–T–
座位
飞机
R
X 45
_
M
D
16 PL
M
J
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
http://onsemi.com
5
MC14049UB
六角缓冲器
该MC14049UB六反相器/缓冲器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这种互补MOS器件的主要发现
其中,使用低功耗和/或高抗噪性
所需。只使用一个器件提供逻辑电平转换
电源电压,V
DD
。在输入信号的高电平(V
IH
)可以超过
V
DD
电源电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL
负载可以当装置被用作CMOS到TTL / DTL被驱动
转换器(V
DD
= 5.0 V, V
OL
v
0.4 V,I
OL
3.2毫安) 。需要注意的是引脚
13和16内部没有连接该设备上;所以
连接到这些端子也不会影响电路操作。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC14049UBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
14
049U
ALYW
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
MC14049UB
ALYW
14049U
AWLYWW
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
符合JEDEC规格UB
V
IN
可以超过V
DD
改进的ESD保护所有输入
无铅包可用*
最大额定值
(电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围
( DC或瞬态)
输出电压范围
( DC或瞬态)
输入电流
每个引脚( DC或瞬态)
输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,每包(注1 )
塑料
SOIC
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度( 8秒焊接)
价值
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
+45
单位
V
V
V
mA
mA
mW
825
740
-55到+125
-65到+150
260
°C
°C
°C
T
A
T
英镑
T
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.温度降额:全部包:参见图4 。
该器件包含电路,以防止损坏,由于高投入
引用于V静电电压或电场
SS
脚,只。额外的预防措施
必须注意避免任何电压低于额定的最大应用更高
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,范围V
SS
v
V
in
v
18 V和V
SS
v
V
OUT
v
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如,
无论是V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
出版订单号:
MC14049UB/D
电气特性
(电压参考V
SS
)
总电源电流(注3,4 )
(动态加静态,每包)
(C
L
= 50 pF的所有输出,所有缓冲区
切换)
静态电流(每包)
输入电容(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏)
(V
OH
= 9.5伏)
(V
OH
= 13.5伏)
输入电压
(V
O
= 4.5伏)
(V
O
= 9.0 VDC )
(V
O
= 13.5伏)
输出电压
V
in
= V
DD
或0
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的:
I
T
(C
L
) = I
T
( 50 pF的) + (C
L
- 50 ) VFK
图1.引脚分配
OUT
B
OUT
A
OUT
C
其中:I
T
mA
(每包) ,C
L
在PF, V = (V
DD
V
SS
)在伏中,f以kHz为输入频率,以及k = 0.002 。
V
DD
V
SS
IN
A
(V
OL
= 0.4伏)
(V
OL
= 0.5伏)
(V
OL
= 1.5伏)
(V
O
= 0.5伏)
(V
O
= 1.0伏)
(V
O
= 1.5伏)
V
in
= 0或V
DD
IN
B
IN
C
NC =无连接
8
7
6
5
4
3
2
1
特征
11
12
13
14
15
16
10
9
IN
D
OUT
D
IN
E
NC
IN
F
OUT
F
NC
OUT
E
“0”电平
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
14
11
图2.逻辑图
MC14049UB
9
7
5
3
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
http://onsemi.com
MC14049UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
12
10
6
4
2
15
2
4.95
9.95
14.95
– 1.6
– 1.6
– 4.7
4.0
8.0
12.5
3.75
10
30
55_C
NC = 13脚, 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
– 1.25
– 1.3
– 3.75
4.95
9.95
14.95
I
T
= (1.8
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (3.5
毫安/千赫)
F +我
DD
I
T
= (5.3
毫安/千赫)
F +我
DD
4.0
8.0
12.5
3.2
8.0
24
典型值
(注2 )
±
0.000
01
25_C
0.002
0.004
0.006
– 2.5
– 2.6
– 10
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
6.0
16
40
5.0
10
15
10
0
0
0
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
20
图3电路原理图
MC14049UB
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
(电路的1/6所示)
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 1.0
– 3.0
4.0
8.0
12.5
2.6
6.6
19
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
1.0
2.0
2.5
V
DD
V
SS
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14049UB
VOUT ,输出电压(VDC )
开关特性
(注5 ) (C
L
= 50 pF的,T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值
(注6 )
100
50
40
40
20
15
80
40
30
30
15
10
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= ( 0.8纳秒/ PF )C
L
+ 60纳秒
t
TLH
= ( 0.3纳秒/ PF )C
L
+ 35纳秒
t
TLH
= ( 0.27纳秒/ PF )C
L
+ 26.5纳秒
输出下降时间
t
THL
= ( 0.3纳秒/ PF )C
L
+ 25纳秒
t
THL
= ( 0.12纳秒/ PF )C
L
+ 14纳秒
t
THL
= ( 0.1纳秒/ PF )C
L
+ 10纳秒
160
100
60
60
40
30
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
= ( 0.38纳秒/ PF )C
L
+ 61纳秒
t
PLH
= ( 0.20纳秒/ PF )C
L
+ 30纳秒
t
PLH
= ( 0.11纳秒/ PF )C
L
+ 24.5纳秒
传播延迟时间
t
PHL
= ( 0.38纳秒/ PF )C
L
+ 11纳秒
t
PHL
= ( 0.12纳秒/ PF )C
L
+ 9 NS
t
PHL
= ( 0.11纳秒/ PF )C
L
+ 4.5纳秒
t
PLH
ns
120
65
50
60
30
20
t
PHL
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
订购信息
设备
MC14049UBCP
MC14049UBCPG
MC14049UBD
MC14049UBDG
MC14049UBDR2
MC14049UBDR2G
MC14049UBDT
MC14049UBDTEL
MC14049UBDTR2
MC14049UBF
MC14049UBFEL
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
航运
2000台/箱
2000台/箱
2400台/箱
2400台/箱
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500 /磁带&卷轴
见注7
见注7
7.订购的EIAJ版本的SOIC封装的信息,请联系您当地的安森美半导体的代表。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
18
15
V
DD
± 15 VDC
10
V
DD
= 10 VDC
55°C
5
V
DD
= 5 VDC
+125°C
5
10
15
V
in
,输入电压(VDC )
18
图4.典型的电压传输特性与温度
http://onsemi.com
3
MC14049UB
V
DD
1
I
OH
8
V
SS
V
OH
V
DD
1
I
OL
8
V
SS
V
OL
V
DS
= V
OH
V
DD
0
我OH ,输出源CURRNT ( MADC )
10
V
GS
= 5.0伏
160
I OL ,输出灌电流( MADC )
V
DD
= V
OL
V
GS
± 15 VDC
120
20
V
GS
= 10 VDC
80
V
GS
= 10 VDC
30
最大电流等级
40
V
GS
= 5.0伏
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
,漏极至源极电压(VDC )
10
40
50
10
V
GS
± 15 VDC
最大电流等级
0
8.0
6.0
4.0
2.0
V
DS
,漏极至源极电压(VDC )
图5.典型的输出源特性
图6.典型输出库特性
V
DD
1
1200
1100
1000
900
825
800
740
700
600
500
400
300
200
100
0
(D ) SOIC
( P) PDIP
t
PHL
175毫瓦( P)
120毫瓦( D)输出
25
50
75
100
125
150
175
90%
50%
10%
t
THL
t
TLH
脉冲
发电机
V
in
8
V
SS
C
L
V
OUT
PD ,最大功耗(MW )
每包
20纳秒
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
V
SS
t
PLH
V
OH
V
OL
T
A
,环境温度( ° C)
图7.环境温度降额
图8.开关时间测试电路
和波形
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4
MC14049UB
包装尺寸
PDIP16
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE牛逼
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
A
16
9
B
1
8
F
S
C
L
T
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740 0.770
0.250 0.270
0.145 0.175
0.015 0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008 0.015
0.110 0.130
0.295 0.305
0
_
10
_
0.020 0.040
MILLIMETERS
最大
18.80 19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
SOIC16
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
A
16
9
B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
G
F
K
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
M
D
16 PL
M
J
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
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封装
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