MC14049UB
六角缓冲器
该MC14049UB六反相器/缓冲器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这种互补MOS器件的主要发现
其中，使用低功耗和/或高抗噪性
所需。只使用一个器件提供逻辑电平转换
电源电压，V
DD
。在输入信号的高电平（V
IH
）可以超过
V
DD
电源电压逻辑电平转换。两个TTL / DTL
负载可以当装置被用作CMOS到TTL / DTL被驱动
转换器（V
DD
= 5.0 V, V
OL
v
0.4 V，I
OL
≥
3.2毫安） 。需要注意的是引脚
13和16内部没有连接该设备上;所以
连接到这些端子也不会影响电路操作。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC14049UBCP
AWLYYWW
1
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
14
049U
ALYW
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
MC14049UB
ALYW
14049U
AWLYWW
高源和漏电流
高到低电平变换器
电源电压范围为3.0 V至18 V
符合JEDEC规格UB
V
IN
可以超过V
DD
改进的ESD保护所有输入
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
V
OUT
I
in
I
OUT
P
D
参数
直流电源电压范围
输入电压范围
（ DC或瞬态）
输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入电流
每个引脚（ DC或瞬态）
输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包（注1 ）
塑料
SOIC
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+0.5
±
10
+45
单位
V
V
V
mA
mA
mW
825
740
-55到+125
-65到+150
260
°C
°C
°C
T
A
T
英镑
T
L
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.温度降额：全部包：参见图4 。
该器件包含电路，以防止损坏，由于高投入
引用于V静电电压或电场
SS
脚，只。额外的预防措施
必须注意避免任何电压低于额定的最大应用更高
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，范围V
SS
v
V
in
v
18 V和V
SS
v
V
OUT
v
V
DD
被推荐的。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
出版订单号：
MC14049UB/D
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4 ）
（动态加静态，每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，所有缓冲区
切换）
静态电流（每包）
输入电容（V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
图1.引脚分配
OUT
B
OUT
A
OUT
C
其中：I
T
在
mA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
V
DD
V
SS
IN
A
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
IN
B
IN
C
NC =无连接
8
7
6
5
4
3
2
1
特征
11
12
13
14
15
16
10
9
IN
D
OUT
D
IN
E
NC
IN
F
OUT
F
NC
OUT
E
“0”电平
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
14
11
图2.逻辑图
MC14049UB
9
7
5
3
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
http://onsemi.com
MC14049UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
12
10
6
4
2
15
2
4.95
9.95
14.95
– 1.6
– 1.6
– 4.7
4.0
8.0
12.5
3.75
10
30
民
55_C
NC = 13脚， 16
V
SS
= 8 PIN
V
DD
PIN = 1
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
– 1.25
– 1.3
– 3.75
4.95
9.95
14.95
I
T
= (1.8
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (3.5
毫安/千赫）
F +我
DD
I
T
= (5.3
毫安/千赫）
F +我
DD
4.0
8.0
12.5
民
3.2
8.0
24
典型值
（注2 ）
±
0.000
01
25_C
0.002
0.004
0.006
– 2.5
– 2.6
– 10
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
6.0
16
40
5.0
10
15
10
0
0
0
1.0
2.0
4.0
1.0
2.0
2.5
20
图3电路原理图
MC14049UB
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
（电路的1/6所示）
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 1.0
– 3.0
4.0
8.0
12.5
民
2.6
6.6
19
125_C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
1.0
2.0
2.5
V
DD
V
SS
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MC14049UB
VOUT ，输出电压（VDC ）
开关特性
（注5 ） （C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
符号
t
TLH
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
（注6 ）
100
50
40
40
20
15
80
40
30
30
15
10
最大
单位
ns
输出上升时间
t
TLH
= （ 0.8纳秒/ PF ）C
L
+ 60纳秒
t
TLH
= （ 0.3纳秒/ PF ）C
L
+ 35纳秒
t
TLH
= （ 0.27纳秒/ PF ）C
L
+ 26.5纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 0.3纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.12纳秒/ PF ）C
L
+ 14纳秒
t
THL
= （ 0.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
160
100
60
60
40
30
t
THL
ns
传播延迟时间
t
PLH
= （ 0.38纳秒/ PF ）C
L
+ 61纳秒
t
PLH
= （ 0.20纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
= （ 0.11纳秒/ PF ）C
L
+ 24.5纳秒
传播延迟时间
t
PHL
= （ 0.38纳秒/ PF ）C
L
+ 11纳秒
t
PHL
= （ 0.12纳秒/ PF ）C
L
+ 9 NS
t
PHL
= （ 0.11纳秒/ PF ）C
L
+ 4.5纳秒
t
PLH
ns
120
65
50
60
30
20
t
PHL
ns
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
订购信息
设备
MC14049UBCP
MC14049UBCPG
MC14049UBD
MC14049UBDG
MC14049UBDR2
MC14049UBDR2G
MC14049UBDT
MC14049UBDTEL
MC14049UBDTR2
MC14049UBF
MC14049UBFEL
包
PDIP16
PDIP16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
航运
2000台/箱
2000台/箱
2400台/箱
2400台/箱
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500 /磁带&卷轴
见注7
见注7
7.订购的EIAJ版本的SOIC封装的信息，请联系您当地的安森美半导体的代表。
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
18
15
V
DD
± 15 VDC
10
V
DD
= 10 VDC
55°C
5
V
DD
= 5 VDC
+125°C
5
10
15
V
in
，输入电压（VDC ）
18
图4.典型的电压传输特性与温度
http://onsemi.com
3
MC14049UB
包装尺寸
PDIP16
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE牛逼
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L与引线中心
形成时平行。
4.尺寸b不包括
塑模的毛边。
5.圆角可选。
A
16
9
B
1
8
F
S
C
L
T
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
民
最大
0.740 0.770
0.250 0.270
0.145 0.175
0.015 0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008 0.015
0.110 0.130
0.295 0.305
0
_
10
_
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
18.80 19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
SOIC16
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751B -05
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
9.80
10.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.386
0.393
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.229
0.244
0.010
0.019
A
16
9
B
1
8
P
8 PL
0.25 (0.010)
M
B
S
G
F
K
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
M
D
16 PL
M
J
0.25 (0.010)
T B
S
A
S
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
