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摩托罗拉
半导体技术资料
MC14020B
14位二进制计数器
的MC14020B的14级二进制计数器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这部分设计的输入波形整形电路
和14级纹波进位二进制计数器。该设备推进计
在负向的时钟脉冲的边沿。其应用包括时间
延迟电路,计数器控制和分频电路。
全静态操作
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
4可从阶段1直通14缓冲输出
常见的复位线
引脚对引脚置换CD4020B
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
林,糊涂人
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
真值表
时钟
RESET
0
0
1
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
_
C
_
C
X
焊接温度( 8秒焊接)
X =无关
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑图
Q1
9
时钟
10
C
C
Q
Q
C
C
Q
Q
Q4
7
C
C
Q
Q
Q5
5
C
C
Q
Q
Q12
1
C
C
Q
Q
Q13
2
C
C
Q
Q14
3
R
R
R
R
R
R
RESET
11
Q6 = 4针
Q7 = 6针
Q8 = 13针
Q9 = 12针
Q10 = 14针
Q11 = 15针
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14020B
87
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.001 。
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
MC14020B
88
该器件包含保护电路,以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是,必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作, Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平(例如, VSS或VDD) 。未使用的输出必须悬空。
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值#
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = ( 0.42
μA /千赫)F
+独立同
IT = ( 0.85
μA /千赫)F
+独立同
IT = ( 1.43
μA /千赫)F
+独立同
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
VSS
Q14
Q13
Q12
Q4
Q7
Q5
Q6
引脚分配
8
7
6
5
4
3
2
1
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
10
12
13
14
15
16
11
9
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
Q1
C
R
Q9
Q8
Q10
Q11
VDD
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
复位移走时间
复位脉冲宽度
时钟的上升和下降时间
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
复位到Qn
的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 285纳秒
的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 122纳秒
的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 90纳秒
时钟Q14
的TPH1 , tPLH的 - ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 1735 NS
的TPH1 , tPLH的= ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 772纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 535纳秒
传播延迟时间
时钟到Q1
的TPH1 , tPLH的= ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 175纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 82纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 55纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
摩托罗拉CMOS逻辑数据
时钟
脉冲
发电机
图1.功耗测试电路
和波形
500
F
90%
50%
10%
占空比为50%
特征
20纳秒
Q1
Q4
Q
R N
ID
VDD
VSS
0.01
F
陶瓷的
20纳秒
CL
CL
VSS
VDD
CL
tTLH , TTHL
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
的TPH1
TREM
亿千瓦时
TWL
整箱
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
脉冲
发电机
时钟
图2.开关时间测试电路
和波形
tTLH
3000
550
420
Q
130
50
30
500
165
125
20纳秒
90%
50%
10%
TPLH
无极限
Q1
Q4
Qn
R
典型值#
1820
805
560
320
120
80
140
55
38
370
155
115
260
115
80
100
50
40
2.0
6.0
8.0
65
25
15
VDD
TTHL
VSS
亿千瓦时
90%
50%
10%
3900
1725
1200
最大
740
310
230
520
230
160
200
100
80
1.0
3.0
4.0
CL
MC14020B
89
20纳秒
的TPH1
CL
兆赫
单位
CL
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
时钟
RESET
Q1
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
2
4
8
16
32
64
128
256
512
1024
2048
4096
8192
16,384
图3.时序图
MC14020B
90
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14020B
91
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14020B
14位二进制计数器
的MC14020B的14级二进制计数器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这部分设计的输入波形整形电路
和14级纹波进位二进制计数器。该设备推进计
在负向的时钟脉冲的边沿。其应用包括时间
延迟电路,计数器控制和分频电路。
全静态操作
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
4可从阶段1直通14缓冲输出
常见的复位线
引脚对引脚置换CD4020B
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
后缀
SOIC
CASE 751B
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
林,糊涂人
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
真值表
时钟
RESET
0
0
1
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
_
C
_
C
X
焊接温度( 8秒焊接)
X =无关
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
逻辑图
Q1
9
时钟
10
C
C
Q
Q
C
C
Q
Q
Q4
7
C
C
Q
Q
Q5
5
C
C
Q
Q
Q12
1
C
C
Q
Q
Q13
2
C
C
Q
Q14
3
R
R
R
R
R
R
RESET
11
Q6 = 4针
Q7 = 6针
Q8 = 13针
Q9 = 12针
Q10 = 14针
Q11 = 15针
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14020B
87
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
A
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率, K = 0.001 。
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每包)
(所有输出CL = 50 pF的,所有的
缓冲切换)
静态电流
(每包)
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
“0”电平
( VO = 4.5或0.5伏)
( VO = 9.0或1.0伏)
( VO = 13.5或1.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
MC14020B
88
该器件包含保护电路,以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是,必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作, Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平(例如, VSS或VDD) 。未使用的输出必须悬空。
( VO = 0.5或4.5伏)
( VO = 1.0或9.0伏)
( VO = 1.5或13.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
3.5
7.0
11
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
1.5
3.0
4.0
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
3.5
7.0
11
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值#
0.005
0.010
0.015
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = ( 0.42
μA /千赫)F
+独立同
IT = ( 0.85
μA /千赫)F
+独立同
IT = ( 1.43
μA /千赫)F
+独立同
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
5.0
10
20
7.5
1.5
3.0
4.0
VSS
Q14
Q13
Q12
Q4
Q7
Q5
Q6
引脚分配
8
7
6
5
4
3
2
1
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
3.5
7.0
11
125
_
C
10
12
13
14
15
16
11
9
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
150
300
600
1.5
3.0
4.0
Q1
C
R
Q9
Q8
Q10
Q11
VDD
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
开关特性
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
复位移走时间
复位脉冲宽度
时钟的上升和下降时间
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
传播延迟时间
复位到Qn
的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 285纳秒
的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 122纳秒
的TPH1 = ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 90纳秒
时钟Q14
的TPH1 , tPLH的 - ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 1735 NS
的TPH1 , tPLH的= ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 772纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 535纳秒
传播延迟时间
时钟到Q1
的TPH1 , tPLH的= ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 175纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 82纳秒
的TPH1 , tPLH的= ( 0.5纳秒/ PF ) CL + 55纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH , TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
tTLH , TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
摩托罗拉CMOS逻辑数据
时钟
脉冲
发电机
图1.功耗测试电路
和波形
500
F
90%
50%
10%
占空比为50%
特征
20纳秒
Q1
Q4
Q
R N
ID
VDD
VSS
0.01
F
陶瓷的
20纳秒
CL
CL
VSS
VDD
CL
tTLH , TTHL
符号
tPLH的,
的TPH1
tTLH ,
TTHL
的TPH1
TREM
亿千瓦时
TWL
整箱
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
脉冲
发电机
时钟
图2.开关时间测试电路
和波形
tTLH
3000
550
420
Q
130
50
30
500
165
125
20纳秒
90%
50%
10%
TPLH
无极限
Q1
Q4
Qn
R
典型值#
1820
805
560
320
120
80
140
55
38
370
155
115
260
115
80
100
50
40
2.0
6.0
8.0
65
25
15
VDD
TTHL
VSS
亿千瓦时
90%
50%
10%
3900
1725
1200
最大
740
310
230
520
230
160
200
100
80
1.0
3.0
4.0
CL
MC14020B
89
20纳秒
的TPH1
CL
兆赫
单位
CL
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
时钟
RESET
Q1
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
2
4
8
16
32
64
128
256
512
1024
2048
4096
8192
16,384
图3.时序图
MC14020B
90
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 620-10
ISSUE V
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 ( 0.030 )
WHERE领先进入陶瓷
体。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
英寸
最大
0.750
0.785
0.240
0.295
–––
0.200
0.015
0.020
0.050 BSC
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
19.05
19.93
6.10
7.49
–––
5.08
0.39
0.50
1.27 BSC
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–B–
1
8
C
L
–T–
座位
飞机
N
E
F
D
G
16 PL
K
M
J
16 PL
0.25 (0.010)
M
M
T B
S
0.25 (0.010)
T A
S
P后缀
塑料DIP封装
CASE 648-08
ISSUE
–A–
16
9
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
4.尺寸B不包括塑模毛边。
5.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
英寸
最大
0.740
0.770
0.250
0.270
0.145
0.175
0.015
0.021
0.040
0.70
0.100 BSC
0.050 BSC
0.008
0.015
0.110
0.130
0.295
0.305
0
_
10
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
最大
18.80
19.55
6.35
6.85
3.69
4.44
0.39
0.53
1.02
1.77
2.54 BSC
1.27 BSC
0.21
0.38
2.80
3.30
7.50
7.74
0
_
10
_
0.51
1.01
B
1
8
F
S
C
L
–T–
H
G
D
16 PL
座位
飞机
K
J
T A
M
M
0.25 (0.010)
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14020B
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