MC14016B
四路模拟开关/
四多路复用器
该MC14016B四双边开关与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。每个MC14016B由四个独立的
开关能够控制数字或模拟信号。该
四双边开关用于在信号选通，斩波器，调制器，
解调器和CMOS逻辑电路的实现。
特点
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记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
MC14016B
ALYWG
14016BG
AWLYWW
MC14016BCP
AWLYYWWG
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪音
12内华达州/ √Cycle ，女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代CD4016B ， CD4066B （注意改善
传输特性的设计会导致更多的寄生耦合
电容比CD4016 ）
对于较低
ON
，使用HC4016高速CMOS器件或
该MC14066B
该器件具有输入和输出不具有ESD
保护。防静电必须采取预防措施。
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
I
SW
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）
每个控制引脚
通过开关电流
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
±
25
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录7
1
出版订单号：
MC14016B/D
MC14016B
引脚分配
IN 1
出1
输出2
IN 2
控制2
控制3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
控制1
控制4
在4
出4
OUT 3
IN 3
IN 1
控制2
IN 2
控制3
IN 3
控制4
框图
控制1
13
2
1
5
3
4
6
9
8
12
10
11
V
DD
= 14针
V
SS
= 7针
出4
OUT 3
输出2
出1
逻辑图
（设备的1/4所示）
OUT
控制
在4
控制
逻辑图限制
V
SS
≤
V
in
≤
V
DD
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
DD
IN
0 = V
SS
1 = V
DD
开关
关闭
On
订购信息
设备
MC14016BCP
MC14016BCPG
MC14016BD
MC14016BDG
MC14016BDR2
MC14016BDR2G
MC14016BFEL
MC14016BFELG
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2000 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25 /磁带&弹药盒
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
电气特性
（电压参考V
SS
)
输入/输出漏电流
(V
C
= V
SS
)
(V
in
= + 7.5, V
OUT
=
7.5伏）
(V
in
=
7.5, V
OUT
= + 7.5伏）
D
'ON'性
在一个共同的任何2电路之间
包
(V
C
= V
DD
)
(V
in
=
±
5.0伏，V
SS
=
5.0伏）
(V
in
=
±
7.5伏，V
SS
=
7.5伏）
'ON'性
(V
C
= V
DD
, R
L
= 10千瓦）
(V
in
= + 5.0伏）
(V
in
=
5.0伏）V
SS
=
5.0 VDC
(V
in
=
±
0.25伏）
静态电流
（每包）
(3)
输入电容
控制
开关量输入
开关输出
馈通
输入电流控制
输入电压
控制输入
(V
in
= + 15 VDC ）
(V
in
= + 0.25伏）V
SS
= 0伏
(V
in
= + 9.3伏）
(V
in
= + 10 VDC ）
(V
in
= + 0.25伏）V
SS
= 0伏
(V
in
= + 5.6伏）
(V
in
= + 7.5伏）
(V
in
=
7.5伏）V
SS
=
7.5伏
(V
in
=
±
0.25伏）
特征
科幻gure
4,5,6
2,3
1
符号
DR
ON
R
ON
V
IH
I
DD
C
in
V
IL
I
in
注：所有未使用的输入必须返回到V
DD
或V
SS
作为适合于该电路中的应用。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.对于在开关两端的电压降（DV
开关
） > 600毫伏（ > 300 mV的高温） ，过度V
DD
电流可以被绘制;即，在
电流从开关可同时含有V
DD
并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响，除非
最大额定值被超过。 （请参见本数据手册的第一页。 ）参考图14 。
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MC14016B
V
DD
VDC
7.5
7.5
5.0
7.5
7.5
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
3
民
55_C
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
360
360
360
600
600
600
360
360
360
600
600
600
民
3.0
8.0
13
±
0.00001
±
0.0015
±
0.0015
0.0005
0.0010
0.0015
典型值
(2)
25_C
260
260
300
260
310
310
240
240
180
300
300
280
5.0
5.0
5.0
0.2
2.0
6.0
11
1.5
1.5
1.5
15
10
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
400
400
400
660
660
660
400
400
400
660
660
660
0.9
0.9
0.9
民
125_C
±
1.0
±
1.0
±
1.0
最大
520
520
520
840
840
840
520
520
520
840
840
840
7.5
15
30
欧
欧
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
pF
4.给出的公式是只在25_C典型特征。
5.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
(4)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
关通道穿心衰减
(V
SS
=
5.0伏）
VOUT
+
-50分贝）
(V
C
= V
SS
20日志
10
VIN
(R
L
= 1.0千瓦）
(R
L
= 10千瓦）
(R
L
= 100千瓦）
(R
L
= 1.0毫瓦）
带宽（ - 4.8 dB为单位）
(V
C
= V
DD
, V
in
= 1.77伏，V
SS
=
5.0伏，
中心@ 0.0伏RMS）
(R
L
= 1.0千瓦）
(R
L
= 10千瓦）
(R
L
= 100千瓦）
(R
L
= 1.0毫瓦）
插入损耗（V
C
= V
DD
, V
in
= 1.77伏，
V
SS
=
5.0伏之间， RMS为中心= 0.0伏， F = 1.0兆赫）
V
Iloss
+
20 LOG10出）
VIN
(R
L
= 1.0千瓦）
(R
L
= 10千瓦）
(R
L
= 100千瓦）
(R
L
= 1.0毫瓦）
二次谐波失真（V
SS
= - 5.0 V直流）
(V
in
= 1.77伏，中心RMS @ 0.0伏直流电，
R
L
= 10千瓦， F = 1.0千赫）
噪声电压（V
SS
= 0伏）
(V
C
= V
DD
， F = 100赫兹）
任意两个交换机之间的串扰（V
SS
= 0伏）
(R
L
= 1.0千瓦， F = 1.0 MHz时，
V
相声
+
20 log10的OUT1 ）
Vout2
串扰，控制到输出（V
SS
= 0伏）
(V
C
= V
DD
, R
in
= 10千瓦，R
OUT
= 10千瓦，
F = 1.0千赫）
控制输出
(V
in
v
10 VDC ，R
L
= 10千瓦）
传播延迟时间（V
SS
= 0伏）
V
in
到V
OUT
(V
C
= V
DD
, R
L
= 10千瓦）
(V
C
= V
DD
， F = 100千赫）
特征
http://onsemi.com
MC14016B
科幻gure
12,13
10,11
12
9
8
7
4
符号
t
PHZ
,
t
PLZ
,
t
PZH
,
t
PZL
t
PLH
,
t
PHL
BW
V
DD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
典型值
(5)
1250
140
18
2.0
2.3
0.2
0.1
0.05
0.16
– 80
30
50
100
15
7.0
6.0
54
40
38
37
12
12
15
24
25
30
34
20
15
最大
90
45
35
45
15
12
内华达州/ √Cycle
兆赫
单位
千赫
mV
dB
dB
ns
ns
%
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14016B
四路模拟开关/四核
多路复用器
该MC14016B四双边开关与MOS P沟道构造
并在一个单一的整体结构的N沟道增强型器件。
每个MC14016B包括能够四个独立开关
控制数字或模拟信号。四双边开关用于
在信号选通，斩波器，调制器，解调器和CMOS逻辑
实施。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪声 - 12内华达州/ √Cycle ，女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代CD4016B ， CD4066B （注意改善
传输特性的设计会导致更多的寄生耦合
电容比CD4016 ）
对于低RON ，使用HC4016高速CMOS器件或
MC14066B
该器件具有输入和输出不具有ESD
保护。防静电必须采取预防措施。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
参数
VDD
VIN，VOUT
LIN
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
输入或输出电压（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）
每个控制引脚
通过开关电流
储存温度
- 0.5 VDD + 0.5
mA
mA
ISW
PD
±
25
功耗，每包
500
260
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
控制1
IN 1
控制2
IN 2
控制3
IN 3
控制4
在4
13
2
1
5
3
4
6
9
8
12
10
11
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
出4
OUT 3
输出2
出1
_
C
_
C
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
控制
0 = VSS
1 = VDD
开关
关闭
On
逻辑图
（设备的1/4所示）
OUT
控制
逻辑图限制
VSS
≤
VIN
≤
VDD
VSS
≤
VOUT
≤
VDD
REV 3
1/94
IN
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14016B
65
电气特性
（电压参考VSS）
输入/输出漏电流
（ VC = VSS ）
（ VIN = + 7.5时，VOUT = - 7.5 V直流）
（ VIN = - 7.5 ，输出电压= + 7.5伏）
'ON'性
在一个共同的任何2电路之间
包
（ VC = VDD ）
（ VIN =
±
5.0伏， VSS = - 5.0 V直流）
（ VIN =
±
7.5伏， VSS = - 7.5 V直流）
'ON'性
（ VC = VDD ， RL = 10 kΩ的）
（ VIN = + 5.0伏）
（ VIN = - 5.0伏）， VSS = - 5.0伏
（ VIN =
±
0.25伏）
静态电流
（每包）
输入电容
控制
开关量输入
开关输出
馈通
输入电流控制
输入电压
控制输入
（ VIN = + 10 VDC ）
（ VIN = + 0.25伏）， VSS = 0伏
（ VIN = + 5.6伏）
（ VIN = + 15 VDC ）
（ VIN = + 0.25伏）， VSS = 0伏
（ VIN = + 9.3伏）
（ VIN = + 7.5伏）
（ VIN = - 7.5伏）， VSS = - 7.5伏
（ VIN =
±
0.25伏）
特征
科幻gure
4,5,6
2,3
—
—
—
—
1
符号
R
ON
罗恩
国际直拨电话
VIH
CIN
VIL
IIN
—
VDD
VDC
7.5
7.5
5.0
7.5
7.5
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
360
360
360
600
600
600
360
360
360
600
600
600
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
3.0
8.0
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
±
0.0015
±
0.0015
0.0005
0.0010
0.0015
典型值＃
25
_
C
260
260
300
260
310
310
240
240
180
300
300
280
5.0
5.0
5.0
0.2
2.0
6.0
11
1.5
1.5
1.5
15
10
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
400
400
400
660
660
660
400
400
400
660
660
660
0.9
0.9
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
±
1.0
±
1.0
最大
520
520
520
840
840
840
520
520
520
840
840
840
7.5
15
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
欧
欧
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
pF
注：所有未使用的输入必须返回到VDD或VSS适当的电路应用。
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**对于电压降的开关（ΔV开关） > 600毫伏（ > 300 mV的高温） ，过度的V DD的电流可以被绘制;即，在
电流从开关可同时含有V DD和开关输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大
收视率都超过了。 （请参见本数据手册的第一页。 ）参考图14 。
MC14016B
66
摩托罗拉CMOS逻辑数据
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
关通道穿心衰减
（ VSS = - 5.0 V直流）
VOUT
-50分贝）
（ VC = VSS ， 20日志10
VIN
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
带宽（ - 4.8 dB为单位）
（ VC = VDD ， VIN = 1.77伏， VSS = - 5.0伏直流电，
中心@ 0.0伏RMS）
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
插入损耗（ VC = VDD ， VIN = 1.77伏，
VSS = - 5.0伏之间， RMS为中心= 0.0伏， F = 1.0兆赫）
V
Iloss
20 LOG10出）
VIN
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
二次谐波失真（ VSS = - 5.0 V直流）
（ VIN = 1.77伏，中心RMS @ 0.0伏直流电，
RL = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
噪声电压（ VSS = 0 V直流）
（ VC = VDD ， F = 100赫兹）
任意两个交换机之间的串扰（ VSS = 0 V直流）
（ RL = 1.0 kΩ的， F = 1.0 MHz时，
V
相声
20 log10的OUT1 ）
Vout2
串扰，控制到输出（ VSS = 0 V直流）
（ VC = VDD ，凛= 10 kΩ的，溃败= 10 kΩ的，
F = 1.0千赫）
控制输出
（VIN
10 VDC ， RL = 10 kΩ的）
传播延迟时间（ VSS = 0 V直流）
VIN至VOUT
（ VC = VDD ， RL = 10 kΩ的）
摩托罗拉CMOS逻辑数据
（ VC = VDD ， F = 100千赫）
v
+
+
特征
+
控制3
控制2
输出2
出1
VSS
IN 1
IN 2
引脚分配
科幻gure
7
6
5
4
3
2
1
12,13
10,11
12
—
—
—
9
8
7
符号
10
12
13
14
11
tPHZ ，
tPLZ ，
tPZH ，
tPZL
tPLH的，
的TPH1
8
9
BW
—
—
—
—
—
—
IN 3
OUT 3
出4
在4
控制4
控制1
VDD
VDD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
1250
140
18
2.0
2.3
0.2
0.1
0.05
0.16
– 80
30
50
100
15
7.0
6.0
54
40
38
37
12
12
15
24
25
30
34
20
15
最大
90
45
35
45
15
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14016B
67
内华达州/ √Cycle
兆赫
单位
千赫
mV
dB
dB
ns
ns
%
VC
VIN
IS
VOUT
VIL ： VC是从VSS上升，直到VC = VIL 。
VIL ：
在VC = VIL ： IS =
±10 A
与VIN = VSS时，VOUT = VDD或VIN = VDD时，VOUT = VSS 。
VIH ：当VC = VIH VDD时，开关处于ON和RON符合规格要求。
图1.输入电压测试电路
10,000
VDD = 15 VDC
PD ，功率耗散（
W)
VDD
TA = 25°C
1000
10 VDC
5.0 VDC
ID
VDD
VOUT
控制
输入
VSS
PD = VDD ×内径
VIN
10 k
100
脉冲
发电机
所有
4电路
fc
10
1.0
5.0 k 10 k
100 k
1.0 M
FC ，频率（Hz ）
10 M
50 M
图2.静态功耗
测试电路
每个电路图3.典型功耗
（设备的1/4所示）
典型RON与输入电压
700
R ON “ ON”电阻（欧姆）
R ON “ ON”电阻（欧姆）
600
500
400
300
200
100
0
– 10 – 8.0
VC = VDD = 7.5伏
VSS = - 7.5伏
VC = VDD = 5.0伏
VSS = - 5.0伏
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
700
600
500
400
300
200
100
0
– 4.0
0
4.0
输入电压，输入电压（VDC ）
8.0
10
0
2.0
6.0
10
14
输入电压，输入电压（VDC ）
18
20
VC = VDD = 15 VDC
VC = VDD = 10 VDC
VSS = 0伏
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
图4. VSS = - 5.0 V和 - 7.5 V
图5. VSS = 0 V
MC14016B
68
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14016B
四路模拟开关/四核
多路复用器
该MC14016B四双边开关与MOS P沟道构造
并在一个单一的整体结构的N沟道增强型器件。
每个MC14016B包括能够四个独立开关
控制数字或模拟信号。四双边开关用于
在信号选通，斩波器，调制器，解调器和CMOS逻辑
实施。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪声 - 12内华达州/ √Cycle ，女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代CD4016B ， CD4066B （注意改善
传输特性的设计会导致更多的寄生耦合
电容比CD4016 ）
对于低RON ，使用HC4016高速CMOS器件或
MC14066B
该器件具有输入和输出不具有ESD
保护。防静电必须采取预防措施。
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
参数
VDD
VIN，VOUT
LIN
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
±
10
输入或输出电压（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）
每个控制引脚
通过开关电流
储存温度
- 0.5 VDD + 0.5
mA
mA
ISW
PD
±
25
功耗，每包
500
260
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
控制1
IN 1
控制2
IN 2
控制3
IN 3
控制4
在4
13
2
1
5
3
4
6
9
8
12
10
11
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
出4
OUT 3
输出2
出1
_
C
_
C
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
控制
0 = VSS
1 = VDD
开关
关闭
On
逻辑图
（设备的1/4所示）
OUT
控制
逻辑图限制
VSS
≤
VIN
≤
VDD
VSS
≤
VOUT
≤
VDD
REV 3
1/94
IN
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14016B
65
电气特性
（电压参考VSS）
输入/输出漏电流
（ VC = VSS ）
（ VIN = + 7.5时，VOUT = - 7.5 V直流）
（ VIN = - 7.5 ，输出电压= + 7.5伏）
'ON'性
在一个共同的任何2电路之间
包
（ VC = VDD ）
（ VIN =
±
5.0伏， VSS = - 5.0 V直流）
（ VIN =
±
7.5伏， VSS = - 7.5 V直流）
'ON'性
（ VC = VDD ， RL = 10 kΩ的）
（ VIN = + 5.0伏）
（ VIN = - 5.0伏）， VSS = - 5.0伏
（ VIN =
±
0.25伏）
静态电流
（每包）
输入电容
控制
开关量输入
开关输出
馈通
输入电流控制
输入电压
控制输入
（ VIN = + 10 VDC ）
（ VIN = + 0.25伏）， VSS = 0伏
（ VIN = + 5.6伏）
（ VIN = + 15 VDC ）
（ VIN = + 0.25伏）， VSS = 0伏
（ VIN = + 9.3伏）
（ VIN = + 7.5伏）
（ VIN = - 7.5伏）， VSS = - 7.5伏
（ VIN =
±
0.25伏）
特征
科幻gure
4,5,6
2,3
—
—
—
—
1
符号
R
ON
罗恩
国际直拨电话
VIH
CIN
VIL
IIN
—
VDD
VDC
7.5
7.5
5.0
7.5
7.5
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
360
360
360
600
600
600
360
360
360
600
600
600
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
3.0
8.0
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
±
0.0015
±
0.0015
0.0005
0.0010
0.0015
典型值＃
25
_
C
260
260
300
260
310
310
240
240
180
300
300
280
5.0
5.0
5.0
0.2
2.0
6.0
11
1.5
1.5
1.5
15
10
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
400
400
400
660
660
660
400
400
400
660
660
660
0.9
0.9
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
±
1.0
±
1.0
最大
520
520
520
840
840
840
520
520
520
840
840
840
7.5
15
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
欧
欧
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
pF
注：所有未使用的输入必须返回到VDD或VSS适当的电路应用。
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**对于电压降的开关（ΔV开关） > 600毫伏（ > 300 mV的高温） ，过度的V DD的电流可以被绘制;即，在
电流从开关可同时含有V DD和开关输入组件。该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大
收视率都超过了。 （请参见本数据手册的第一页。 ）参考图14 。
MC14016B
66
摩托罗拉CMOS逻辑数据
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
关通道穿心衰减
（ VSS = - 5.0 V直流）
VOUT
-50分贝）
（ VC = VSS ， 20日志10
VIN
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
带宽（ - 4.8 dB为单位）
（ VC = VDD ， VIN = 1.77伏， VSS = - 5.0伏直流电，
中心@ 0.0伏RMS）
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
插入损耗（ VC = VDD ， VIN = 1.77伏，
VSS = - 5.0伏之间， RMS为中心= 0.0伏， F = 1.0兆赫）
V
Iloss
20 LOG10出）
VIN
（ RL = 1.0千欧）
（ RL = 10 kΩ的）
（ RL = 100 kΩ的）
（ RL = 1.0 MΩ ）
二次谐波失真（ VSS = - 5.0 V直流）
（ VIN = 1.77伏，中心RMS @ 0.0伏直流电，
RL = 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
噪声电压（ VSS = 0 V直流）
（ VC = VDD ， F = 100赫兹）
任意两个交换机之间的串扰（ VSS = 0 V直流）
（ RL = 1.0 kΩ的， F = 1.0 MHz时，
V
相声
20 log10的OUT1 ）
Vout2
串扰，控制到输出（ VSS = 0 V直流）
（ VC = VDD ，凛= 10 kΩ的，溃败= 10 kΩ的，
F = 1.0千赫）
控制输出
（VIN
10 VDC ， RL = 10 kΩ的）
传播延迟时间（ VSS = 0 V直流）
VIN至VOUT
（ VC = VDD ， RL = 10 kΩ的）
摩托罗拉CMOS逻辑数据
（ VC = VDD ， F = 100千赫）
v
+
+
特征
+
控制3
控制2
输出2
出1
VSS
IN 1
IN 2
引脚分配
科幻gure
7
6
5
4
3
2
1
12,13
10,11
12
—
—
—
9
8
7
符号
10
12
13
14
11
tPHZ ，
tPLZ ，
tPZH ，
tPZL
tPLH的，
的TPH1
8
9
BW
—
—
—
—
—
—
IN 3
OUT 3
出4
在4
控制4
控制1
VDD
VDD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
1250
140
18
2.0
2.3
0.2
0.1
0.05
0.16
– 80
30
50
100
15
7.0
6.0
54
40
38
37
12
12
15
24
25
30
34
20
15
最大
90
45
35
45
15
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14016B
67
内华达州/ √Cycle
兆赫
单位
千赫
mV
dB
dB
ns
ns
%
VC
VIN
IS
VOUT
VIL ： VC是从VSS上升，直到VC = VIL 。
VIL ：
在VC = VIL ： IS =
±10 A
与VIN = VSS时，VOUT = VDD或VIN = VDD时，VOUT = VSS 。
VIH ：当VC = VIH VDD时，开关处于ON和RON符合规格要求。
图1.输入电压测试电路
10,000
VDD = 15 VDC
PD ，功率耗散（
W)
VDD
TA = 25°C
1000
10 VDC
5.0 VDC
ID
VDD
VOUT
控制
输入
VSS
PD = VDD ×内径
VIN
10 k
100
脉冲
发电机
所有
4电路
fc
10
1.0
5.0 k 10 k
100 k
1.0 M
FC ，频率（Hz ）
10 M
50 M
图2.静态功耗
测试电路
每个电路图3.典型功耗
（设备的1/4所示）
典型RON与输入电压
700
R ON “ ON”电阻（欧姆）
R ON “ ON”电阻（欧姆）
600
500
400
300
200
100
0
– 10 – 8.0
VC = VDD = 7.5伏
VSS = - 7.5伏
VC = VDD = 5.0伏
VSS = - 5.0伏
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
700
600
500
400
300
200
100
0
– 4.0
0
4.0
输入电压，输入电压（VDC ）
8.0
10
0
2.0
6.0
10
14
输入电压，输入电压（VDC ）
18
20
VC = VDD = 15 VDC
VC = VDD = 10 VDC
VSS = 0伏
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
图4. VSS = - 5.0 V和 - 7.5 V
图5. VSS = 0 V
MC14016B
68
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14016B
四路模拟开关/
四多路复用器
该MC14016B四双边开关与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。每个MC14016B由四个独立的
开关能够控制数字或模拟信号。该
四双边开关用于在信号选通，斩波器，调制器，
解调器和CMOS逻辑电路的实现。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
MC14016B
AWLYWW
1
14016B
AWLYWW
MC14016BCP
AWLYYWW
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性传输特性
低噪声 - 12内华达州/ √Cycle ，女
≥
1.0 kHz的典型
引脚对引脚替代CD4016B ， CD4066B （注意改善
传输特性的设计会导致更多的寄生耦合
电容比CD4016 ）
对于较低
ON
，使用HC4016高速CMOS器件或
该MC14066B
该器件具有输入和输出不具有ESD
保护。防静电必须采取预防措施。
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
I
SW
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入电流（ DC或瞬态）
每个控制引脚
通过开关电流
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
±
25
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
订购信息
mA
mW
°C
°C
°C
设备
MC14016BCP
MC14016BD
MC14016BDR2
MC14016BF
MC14016BFEL
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
SOEIAJ–14
SOEIAJ–14
航运
2000/Box
55/Rail
2500 /磁带&卷轴
见注1 。
见注1 。
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
v
v
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14016B/D
电气特性
（电压参考V
SS
)
输入/输出漏电流
(V
C
= V
SS
)
(V
in
= + 7.5, V
OUT
= - 7.5 V直流）
(V
in
= – 7.5, V
OUT
= + 7.5伏）
'ON'性
在一个共同的任何2电路之间
包
(V
C
= V
DD
)
(V
in
=
±
5.0伏，V
SS
= - 5.0 V直流）
(V
in
=
±
7.5伏，V
SS
= - 7.5 V直流）
'ON'性
(V
C
= V
DD
, R
L
= 10 k)
(V
in
= + 5.0伏）
(V
in
= - 5.0伏）V
SS
= - 5.0伏
(V
in
=
±
0.25伏）
静态电流
（每包）
(5.)
输入电容
控制
开关量输入
开关输出
馈通
输入电流控制
输入电压
控制输入
(V
in
= + 15 VDC ）
(V
in
= + 0.25伏）V
SS
= 0伏
(V
in
= + 9.3伏）
(V
in
= + 10 VDC ）
(V
in
= + 0.25伏）V
SS
= 0伏
(V
in
= + 5.6伏）
(V
in
= + 7.5伏）
(V
in
= - 7.5伏）V
SS
= - 7.5伏
(V
in
=
±
0.25伏）
特征
科幻gure
4,5,6
2,3
—
—
—
—
1
符号
R
ON
R
ON
V
IH
I
DD
C
in
V
IL
—
I
in
注：所有未使用的输入必须返回到V
DD
或V
SS
作为适合于该电路中的应用。
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.对于电压降的开关（ΔV
开关
） > 600毫伏（ > 300 mV的高温） ，过度V
DD
电流可以被绘制;即，在
电流从开关可同时含有V
DD
并切换输入组件。该装置的可靠性不会受到影响，除非
最大额定值被超过。 （请参见本数据手册的第一页。 ）参考图14 。
http://onsemi.com
MC14016B
V
DD
VDC
7.5
7.5
5.0
7.5
7.5
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
10
15
—
—
—
—
3
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
360
360
360
600
600
600
360
360
360
600
600
600
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
3.0
8.0
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
±
0.0015
±
0.0015
典型值
(4.)
0.0005
0.0010
0.0015
25
_
C
260
260
300
260
310
310
240
240
180
300
300
280
5.0
5.0
5.0
0.2
2.0
6.0
11
1.5
1.5
1.5
15
10
±
0.1
±
0.1
±
0.1
0.25
0.5
1.0
最大
400
400
400
660
660
660
400
400
400
660
660
660
0.9
0.9
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
±
1.0
±
1.0
最大
520
520
520
840
840
840
520
520
520
840
840
840
7.5
15
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
欧
欧
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
pF
6.给出的公式是只在25典型特征
_
C.
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
电气特性
(6.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
关通道穿心衰减
(V
SS
= - 5.0 V直流）
VOUT
-50分贝）
(V
C
= V
SS
20日志
10
VIN
(R
L
= 1.0 k)
(R
L
= 10 k)
(R
L
= 100 k)
(R
L
= 1.0 M)
带宽（ - 4.8 dB为单位）
(V
C
= V
DD
, V
in
= 1.77伏，V
SS
= - 5.0伏直流电，
中心@ 0.0伏RMS）
(R
L
= 1.0 k)
(R
L
= 10 k)
(R
L
= 100 k)
(R
L
= 1.0 M)
插入损耗（V
C
= V
DD
, V
in
= 1.77伏，
V
SS
= - 5.0伏之间， RMS为中心= 0.0伏， F = 1.0兆赫）
V
Iloss
20 LOG10出）
VIN
(R
L
= 1.0 k)
(R
L
= 10 k)
(R
L
= 100 k)
(R
L
= 1.0 M)
二次谐波失真（V
SS
= - 5.0 V直流）
(V
in
= 1.77伏，中心RMS @ 0.0伏直流电，
R
L
= 10 kΩ的， F = 1.0千赫）
噪声电压（V
SS
= 0伏）
(V
C
= V
DD
， F = 100赫兹）
任意两个交换机之间的串扰（V
SS
= 0伏）
(R
L
= 1.0千欧， F = 1.0 MHz时，
V
相声
20 log10的OUT1 ）
Vout2
串扰，控制到输出（V
SS
= 0伏）
(V
C
= V
DD
, R
in
= 10千欧，R
OUT
= 10 k,
F = 1.0千赫）
控制输出
(V
in
10 VDC ，R
L
= 10 k)
传播延迟时间（V
SS
= 0伏）
V
in
到V
OUT
(V
C
= V
DD
, R
L
= 10 k)
(V
C
= V
DD
， F = 100千赫）
v
+
+
特征
+
http://onsemi.com
MC14016B
科幻gure
12,13
10,11
12
—
—
—
9
8
7
4
符号
t
PHZ
,
t
PLZ
,
t
PZH
,
t
PZL
t
PLH
,
t
PHL
BW
—
—
—
—
—
—
V
DD
VDC
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
(7.)
1250
140
18
2.0
2.3
0.2
0.1
0.05
0.16
– 80
30
50
100
15
7.0
6.0
54
40
38
37
12
12
15
24
25
30
34
20
15
最大
90
45
35
45
15
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
内华达州/ √Cycle
兆赫
单位
千赫
mV
dB
dB
ns
ns
%
QQ：2880707522 复制
