【MC14015B双4位静态移位寄存器该MC14015B双4位静态移位寄存器与构建中的MOS P沟道和】,IC型号MC14015BF,MC14015BF PDF资料,MC14015BF经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC14015B

双4位静态

移位寄存器

该MC14015B双4位静态移位寄存器与构建

中的MOS P沟道和N沟道增强型器件

单片结构。它由两个相同的，独立的

4状态串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器有

独立的时钟和复位输入，一个串行数据输入。

该寄存器的状态是D型主从触发器。数据移入

从一个阶段到在正向时钟过渡下。

每个寄存器可以在一个高的水平被施加在复位时被清除

线。这些互补MOS移位寄存器发现的主要用途

缓冲存储器和串行 - 并行转换，其中低功率

耗散和/或噪声的免疫力是期望的。

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记号

图表

16

PDIP–16

P后缀

CASE 648

MC14015BCP

AWLYYWW

1

16

SOIC–16

后缀

CASE 751B

1

16

TSSOP–16

DT后缀

CASE 948F

1

14

015B

ALYW

14015B

AWLYWW

在所有输入端保护二极管

电源电压范围为3.0伏到18伏直流

逻辑边沿定时触发器设计 -

逻辑状态为无限期保留时钟级别或高或低;

信息被传输到输出只在正正在进行

在时钟脉冲的边沿。

可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的

肖特基TTL负载超过额定温度范围。

最大额定值

（电压参考V

SS

）（注2 ）

符号

V

DD

V

in

, V

OUT

I

in

, I

OUT

P

D

T

A

T

英镑

T

L

参数

直流电源电压范围

输入或输出电压范围

（ DC或瞬态）

输入或输出电流

每个引脚（ DC或瞬态）

功耗，

每包（注3 ）

环境温度范围

存储温度范围

焊接温度

（ 8秒焊接）

价值

- 0.5至18.0

- 0.5 V

DD

+ 0.5

±

10

500

- 55 + 125

- 65 + 150

260

单位

V

mA

mW

°C

SOEIAJ–16

后缀f

CASE 966

16

MC14015B

AWLYWW

1

A

=大会地点

WL或L =晶圆地段

YY或Y =年

WW或W =工作周

订购信息

设备

MC14015BCP

MC14015BD

MC14015BDR2

MC14015BDT

MC14015BF

MC14015BFEL

包

PDIP–16

SOIC–16

航运

2000/Box

48/Rail

2500 /磁带&卷轴

2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。

3.温度降额：

塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/

_

C来自65

_

C至125

_

C

该器件包含保护电路，以防止由于高伤害

静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免

任何电压的应用中高于最大额定电压至该

高阻抗电路。为了正常工作，V

in

和V

OUT

应受限制

到范围V

SS

(V

in

或V

OUT

)

V

DD

.

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，

无论是V

SS

或V

DD

）。未使用的输出必须悬空。

TSSOP - 16 2000 /磁带&卷轴

SOEIAJ–16

见注1 。

v

1.对于订购信息的EIAJ版

的SOIC封装，请联系您当地的

安森美半导体的代表。

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1

2000年3月 - 第3版

出版订单号：

MC14015B/D

MC14015B

真值表

C

D

0

1

X

R

0

1

Q0

0

1

没有变化

0

Q

n

Q

n–1

Q

n–1

没有变化

0

X =无关

Q

n

= Q0 ， Q1 ， Q2 ， Q3或（如适用）。

Q

n–1

=前级的输出。

引脚分配

C

B

Q3

B

Q2

A

Q1

A

Q0

A

R

A

D

A

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

DD

D

B

R

B

Q0

B

Q1

B

Q2

B

Q3

A

C

A

框图

Q0

7

D

Q1

Q2

9

6

Q0

15

D

Q1

Q2

1

14

V

DD

= 16 PIN

V

SS

= 8 PIN

C

Q3

2

12

11

13

C

Q3

10

4

3

5

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2

4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

5.给出的公式只在25的典型特征

_

C.

6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：

其中：I

T

在

A

（每包），C

L

在PF， V = （V

DD

– V

SS

）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。

电气特性

（电压参考V

SS

)

总电源电流

(5.) (6.)

（动态加静态，

每包）

(C

L

= 50 pF的所有输出，全

缓冲切换）

静态电流

（每包）

输入电容

(V

in

= 0)

输入电流

输出驱动电流

(V

OH

= 2.5伏）

(V

OH

= 4.6伏）

(V

OH

= 9.5伏）

(V

OH

= 13.5伏）

输入电压

“0”电平

(V

O

= 4.5或0.05伏）

(V

O

= 9.0或1.0伏）

(V

O

= 13.5或1.5伏）

输出电压

V

in

= V

DD

或0

(V

OL

= 0.4伏）

(V

OL

= 0.5伏）

(V

OL

= 1.5伏）

(V

O

= 0.5或4.5伏）， “1”电平

(V

O

= 1.0或9.0伏）

(V

O

= 1.5或13.5伏）

V

in

= 0或V

DD

特征

I

T

(C

L

) = I

T

（ 50 pF的） + （C

L

- 50 ） VFK

“1”电平

“0”电平

来源

SINK

符号

V

OH

V

OL

I

OH

V

IH

I

DD

C

in

I

OL

V

IL

I

in

I

T

V

DD

VDC

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

—

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– 3.0

– 0.64

– 1.6

– 4.2

4.95

9.95

14.95

0.64

1.6

4.2

民

3.5

7.0

11

—

MC14015B

– 55

_

C

3

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

1.5

3.0

4.0

—

– 2.4

– 0.51

– 1.3

– 3.4

4.95

9.95

14.95

0.51

1.3

3.4

民

3.5

7.0

11

—

I

T

= (1.2

μA /千赫）F

+ I

DD

I

T

= (2.4

μA /千赫）F

+ I

DD

I

T

= (3.6

μA /千赫）F

+ I

DD

±

0.00001

典型值

(4.)

– 4.2

– 0.88

– 2.25

– 8.8

0.005

0.010

0.015

25

_

C

0.88

2.25

8.8

2.75

5.50

8.25

2.25

4.50

6.75

5.0

10

15

0

±

0.1

0.05

最大

5.0

10

20

7.5

1.5

3.0

4.0

—

– 1.7

– 0.36

– 0.9

– 2.4

4.95

9.95

14.95

0.36

0.9

2.4

民

3.5

7.0

11

—

125

_

C

±

1.0

0.05

最大

150

300

600

1.5

3.0

4.0

—

MADC

μAdc

单位

VDC

pF

7.给出的公式是只在25典型特征

_

C.

8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。

开关特性

(7.)

(C

L

= 50 pF的，T

A

= 25

_

C)

建立时间

复位脉冲宽度

时钟脉冲的上升和下降时间

时钟脉冲频率

时钟脉冲宽度

传播延迟时间

时钟，数据以Q

t

PLH

, t

PHL

= （ 1.7纳秒/ PF ）C

L

+ 225纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.66纳秒/ PF ）C

L

+ 92纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.5纳秒/ PF ）C

L

+ 65纳秒

重置为Q

t

PLH

, t

PHL

= （ 1.7纳秒/ PF ）C

L

+ 375纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.66纳秒/ PF ）C

L

+ 147纳秒

t

PLH

, t

PHL

= （ 0.5纳秒/ PF ）C

L

+ 95纳秒

输出上升时间和下降时间

t

TLH

, t

THL

= （ 1.5纳秒/ PF ）C

L

+ 25纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.75纳秒/ PF ）C

L

+ 12.5纳秒

t

TLH

, t

THL

= （ 0.55纳秒/ PF ）C

L

+ 9.5纳秒

特征

时钟

数据

图1.功耗测试电路和波形

脉冲

发电机

1

脉冲

发电机

2

50%

500

F

http://onsemi.com

1

f

t

TLH

, t

THL

符号

MC14015B

t

PLH

,

t

PHL

t

TLH

,

t

THL

t

WH

t

WH

t

su

f

cl

C

R

D

4

I

D

V

DD

Q0

Q1

Q2

Q3

V

DD

V

DD

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

5.0

10

15

V

SS

C

L

0.01

F

陶瓷的

C

L

民

350

100

75

400

160

120

400

175

135

—

C

L

C

L

典型值

(8.)

100

50

40

200

80

60

185

85

55

460

180

120

310

125

90

100

50

40

2.0

6.0

7.5

—

1.5

3.0

3.75

最大

750

250

170

750

250

170

200

100

80

15

5

4

—

兆赫

单位

s

ns

MC14015B

t

TLH

数据

输入

t

su

脉冲

发电机

2

SYNC

脉冲

发电机

1

C

R

V

DD

D

Q0

Q1

Q2

Q3

C

L

V

SS

t

WL

= t

WH

50％的占空比

t

TLH

= t

THL

≤

20纳秒

Q0

t

TLH

C

L

C

L

C

L

t

TLH

时钟

输入

t

WH

t

PLH

t–

t

THL

90%

50%

10%

t

THL

90%

50%

10%

t

WL

t

PHL

90%

50%

10%

t

THL

V

DD

0V

V

DD

0V

图2.开关测试电路和波形

脉冲

发电机

2

SYNC

脉冲

发电机

1

V

DD

D

Q0

Q1

Q2

C

R

Q3

C

L

V

SS

C

L

数据

输入

50%

C

L

C

L

时钟

输入

50%

t

su

t

h

V

DD

0V

V

DD

0V

图3.建立和保持时间测试电路和波形

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