摩托罗拉
半导体技术资料
MC14011B / 12B （参见第6-5 ）
MC14011UB / 12UB （见第6-14 ）
MC14013B
双D型触发器
的MC14013B双D型触发器与MOS P沟道构成
并在一个单一的整体结构的N沟道增强型器件。
每个触发器有独立的数据， （D ） ，直接设置， （S ） ，直接复位， （R ）
和时钟（C）的输入和互补输出（ Q和Q ） 。这些设备
可被用作移位寄存器的元素或作为T型触发器计数器和
切换应用程序。
静态工作
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
逻辑边沿定时触发器设计
逻辑状态为无限期保留时钟级别或高或低;
信息被传输到输出仅在正向沿
在时钟脉冲的
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4013B
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
6
5
D
S
Q
1
_
C
_
C
焊接温度（ 8秒焊接）
3
4
8
9
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
R
Q
2
真值表
输入
顺时针
数据
0
1
X
X
X
X
X
X
X
RESET
0
0
0
1
0
1
SET
0
0
0
0
1
1
输出
Q
0
1
Q
0
1
1
Q
1
0
Q
1
0
1
No
变化
D
S
Q
13
11
10
C
R
Q
12
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
X =无关
=级别更改
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14013B
45
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14013B
46
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
输入电压= 0或Vdd的
（ VO = 0.5或4.5伏）， “1”电平
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
0.002
0.004
0.006
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 0.75
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.5
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.3
μA /千赫）
F + IDD
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
7.5
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VSS
QA
QA
CA
RA
DA
SA
引脚分配
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
7
6
5
4
3
2
1
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
10
12
13
14
11
±
1.0
8
9
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
SB
DB
QB
VDD
RB
CB
QB
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**数据必须是有效的250纳秒采用5 V电源，为100 ns ，10 V和70 ns的15 V.
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
去除时报
SET
置位和复位脉冲宽度
时钟脉冲的上升时间和下降时间
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
保持时间**
设置时间**
传播延迟时间
时钟Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 90纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 42纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
摩托罗拉CMOS逻辑数据
重置为Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 265纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 67纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 50纳秒
设为Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 90纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 42纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
RESET
特征
R
C
D
S
C
C
C
C
C
C
逻辑图
（设备的1/2所示）
TWL ，亿千瓦时
TWL ，亿千瓦时
符号
tTLH ，
TTHL
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TREM
TSU
整箱
th
C
C
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5
10
15
5
10
15
C
C
民
250
100
70
250
100
70
50
30
25
80
45
35
40
20
15
40
20
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
– 35
– 10
–5
125
50
35
125
50
35
225
100
75
175
75
50
175
75
50
100
50
40
4.0
10
14
20
10
7.5
20
10
7.5
—
—
—
0
5
5
Q
Q
最大
450
200
150
350
150
100
350
150
100
200
100
80
2.0
5.0
7.0
15
5.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14013B
47
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750
0.785
0.245
0.280
0.155
0.200
0.015
0.020
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05
19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–A–
14
9
–B–
1
7
C
L
–T–
座位
飞机
K
F
D
14 PL
G
0.25 (0.010)
M
N
J
T A
S
14 PL
M
0.25 (0.010)
M
T B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
P后缀
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14013B
49
MC14013B
双D型触发器
该MC14013B双D型触发器与MOS构造
在一个单一的P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。每个触发器有独立的数据， （D ） ，直接
集， （S ） ，直接复位， （ R）和时钟（ C）输入和互补
输出（Q和Q） 。这些设备可以用作移位寄存器
元素或T型触发器的计数器和切换应用程序。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
P后缀
CASE 646
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
14013B
AWLYWW
MC14013BCP
AWLYYWW
静态工作
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
逻辑边沿定时触发器设计
逻辑状态为无限期保留时钟级别或高或低;
信息被传输到输出仅在正向
在时钟脉冲边沿
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4013B
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注2 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注3 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
- 0.5至18.0
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
500
- 55 + 125
- 65 + 150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ–14
后缀f
CASE 965
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
14
013B
ALYW
MC14013B
AWLYWW
订购信息
设备
MC14013BCP
MC14013BD
MC14013BDR2
MC14013BDT
MC14013BDTR2
MC14013BF
MC14013BFEL
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
航运
2000/Box
55/Rail
2500 /磁带&卷轴
96/Rail
2.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
3.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
(V
in
或V
OUT
)
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
TSSOP - 14 2500 /磁带&卷轴
SOEIAJ–14
SOEIAJ–14
见注1 。
见注1 。
1.对于订购信息的EIAJ版
的SOIC封装，请联系您当地的
安森美半导体的代表。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第3版
出版订单号：
MC14013B/D
4.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
5.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
6.要计算总电源电流在负载以外50 pF的：
其中：I
T
在
A
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流
(5.) (6.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5或4.5伏）， “1”电平
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
http://onsemi.com
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14013B
– 55
_
C
3
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
I
T
= (0.75
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.5
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (2.3
μA /千赫）
F +我
DD
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
典型值
(4.)
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.002
0.004
0.006
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
7.5
1.5
3.0
4.0
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
7.给出的公式只在25的典型特征
_
C.
8.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
9.数据必须是有效的250纳秒采用5 V电源，为100 ns ，10 V和70 ns的15 V.
开关特性
(7.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25
_
C)
去除时报
SET
置位和复位脉冲宽度
时钟脉冲的上升时间和下降时间
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
保持时间
(9.)
设置时间
(9.)
传播延迟时间
时钟Q，Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 90纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 42纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
重置为Q，Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 265纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 67纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 50纳秒
设为Q，Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 90纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 42纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
RESET
特征
R
C
D
S
C
C
C
C
逻辑图
（设备的1/2所示）
C
C
http://onsemi.com
t
WL
, t
WH
t
WL
, t
WH
符号
MC14013B
t
TLH
,
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
t
REM
t
su
f
cl
t
h
C
C
4
V
DD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5
10
15
5
10
15
C
C
民
250
100
70
250
100
70
50
30
25
80
45
35
40
20
15
40
20
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 35
– 10
–5
125
50
35
125
50
35
225
100
75
175
75
50
175
75
50
100
50
40
4.0
10
14
20
10
7.5
20
10
7.5
典型值
(8.)
—
—
—
0
5
5
Q
Q
最大
450
200
150
350
150
100
350
150
100
200
100
80
2.0
5.0
7.0
15
5.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
摩托罗拉
半导体技术资料
MC14011B / 12B （参见第6-5 ）
MC14011UB / 12UB （见第6-14 ）
MC14013B
双D型触发器
的MC14013B双D型触发器与MOS P沟道构成
并在一个单一的整体结构的N沟道增强型器件。
每个触发器有独立的数据， （D ） ，直接设置， （S ） ，直接复位， （R ）
和时钟（C）的输入和互补输出（ Q和Q ） 。这些设备
可被用作移位寄存器的元素或作为T型触发器计数器和
切换应用程序。
静态工作
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
逻辑边沿定时触发器设计
逻辑状态为无限期保留时钟级别或高或低;
信息被传输到输出仅在正向沿
在时钟脉冲的
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
引脚对引脚置换CD4013B
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
6
5
D
S
Q
1
_
C
_
C
焊接温度（ 8秒焊接）
3
4
8
9
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
R
Q
2
真值表
输入
顺时针
数据
0
1
X
X
X
X
X
X
X
RESET
0
0
0
1
0
1
SET
0
0
0
0
1
1
输出
Q
0
1
Q
0
1
1
Q
1
0
Q
1
0
1
No
变化
D
S
Q
13
11
10
C
R
Q
12
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
X =无关
=级别更改
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14013B
45
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14013B
46
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
输入电压= 0或Vdd的
（ VO = 0.5或4.5伏）， “1”电平
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
4.95
9.95
14.95
0.64
1.6
4.2
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
4.95
9.95
14.95
0.51
1.3
3.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
典型值＃
0.002
0.004
0.006
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 0.75
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.5
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 2.3
μA /千赫）
F + IDD
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
4.0
7.5
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VSS
QA
QA
CA
RA
DA
SA
引脚分配
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
7
6
5
4
3
2
1
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
民
3.5
7.0
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
10
12
13
14
11
±
1.0
8
9
1.5
3.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.05
0.05
最大
30
60
120
SB
DB
QB
VDD
RB
CB
QB
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**数据必须是有效的250纳秒采用5 V电源，为100 ns ，10 V和70 ns的15 V.
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
去除时报
SET
置位和复位脉冲宽度
时钟脉冲的上升时间和下降时间
时钟脉冲频率
时钟脉冲宽度
保持时间**
设置时间**
传播延迟时间
时钟Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 90纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 42纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
摩托罗拉CMOS逻辑数据
重置为Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 265纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 67纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 50纳秒
设为Q，Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 90纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 42纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
RESET
特征
R
C
D
S
C
C
C
C
C
C
逻辑图
（设备的1/2所示）
TWL ，亿千瓦时
TWL ，亿千瓦时
符号
tTLH ，
TTHL
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TREM
TSU
整箱
th
C
C
VDD
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5
10
15
5
10
15
C
C
民
250
100
70
250
100
70
50
30
25
80
45
35
40
20
15
40
20
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
– 35
– 10
–5
125
50
35
125
50
35
225
100
75
175
75
50
175
75
50
100
50
40
4.0
10
14
20
10
7.5
20
10
7.5
—
—
—
0
5
5
Q
Q
最大
450
200
150
350
150
100
350
150
100
200
100
80
2.0
5.0
7.0
15
5.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MC14013B
47
兆赫
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750
0.785
0.245
0.280
0.155
0.200
0.015
0.020
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05
19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–A–
14
9
–B–
1
7
C
L
–T–
座位
飞机
K
F
D
14 PL
G
0.25 (0.010)
M
N
J
T A
S
14 PL
M
0.25 (0.010)
M
T B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
P后缀
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14013B
49
QQ：2880707522 复制
