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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第635页 > MC14002UBD
摩托罗拉
半导体技术资料
UB-后缀系列CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
(在一个单一的整体结构增强型器件互为
tary MOS ) 。它们的主要用途是需要低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。在UB集CMOS门电路是反相
非缓冲的功能。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB后缀
器件
四路2输入NOR门
双4输入或非门
四路2输入与非门
两个4输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入NOR门
MC14001UB
MC14002UB
MC14011UB
MC14012UB
MC14023UB
MC14025UB
逻辑图
MC14001UB
四2输入
或非门
1
2
5
6
8
9
12
13
MC14012UB
双4输入
与非门
1
2
3
4
5
9
10
11
12
NC = 6,8
1
2
8
3
4
13
5
11
12
13
9
3
4
10
11
2
3
4
5
9
10
11
12
MC14002UB
双4输入
或非门
1
1
2
5
6
8
13
NC = 6,8
MC14023UB
三重3输入
与非门
1
2
8
3
4
5
11
12
13
9
12
13
MC14025UB
三重3输入
或非门
9
MC14011UB
四2输入
与非门
3
4
10
11
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXUBCP
MC14XXXUBCL
MC14XXXUBD
塑料
陶瓷的
SOIC
6
6
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
10
10
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
对于所有器件
该器件包含保护电路,
警惕损害,由于高静
电压或电场。然而,预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中, Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
( VIN或VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平(例如,是VSS
或VDD ) 。未使用的输出必须悬空。
v
v
REV 3
1/94
MC14001UB
摩托罗拉公司1995年
18
摩托罗拉CMOS逻辑数据
引脚分配
MC14001UB
四2输入或非门
在1A
在2A
OUTA
OUTB
在1B
在2B
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在二维
一维
OUTD
OUTC
在2C
在1C
MC14002UB
双4输入或非门
OUTA
在1A
在2A
在3A
在4A
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
OUTB
在4B
在3B
在2B
在1B
NC
MC14011UB
四2输入与非门
在1A
在2A
OUTA
OUTB
在1B
在2B
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在二维
一维
OUTD
OUTC
在2C
在1C
MC14012UB
双4输入与非门
OUTA
在1A
在2A
在3A
在4A
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
OUTB
在4B
在3B
在2B
在1B
NC
MC14023UB
三路3输入与非门
在1A
在2A
在1B
在2B
在3B
OUTB
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在3C
在2C
在1C
OUTC
OUTA
在3A
MC14025UB
三路3输入或非门
在1A
在2A
在1B
在2B
在3B
OUTB
VSS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在3C
在2C
在1C
OUTC
OUTA
在3A
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN,VOUT
林,糊涂人
PD
输入或输出电压( DC或瞬态)
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
功耗,每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
NC =无连接
_
C
_
C
焊接温度( 8秒焊接)
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐: - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001UB
19
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT ( CL ) = IT ( 50 pF的) + ( CL - 50 ) VFK
其中: IT是
H
(每包) , CL在PF, V = ( VDD - VSS )的电压,女在kHz的输入频率,而k每行使门= 0.001 x中的数
封装。
计算总电源电流在负载以外50 pF的:
电气特性
(电压参考VSS)
总电源电流**
(动态加静态,
每门CL = 50 pF的)
静态电流
(每包)
输入电容
( VIN = 0 )
输入电流
输出驱动电流
( VOH = 2.5伏)
( VOH = 4.6伏)
( VOH = 9.5伏)
( VOH = 13.5伏)
输入电压
( VO = 4.5伏)
( VO = 9.0伏)
( VO = 13.5伏)
输出电压
VIN = VDD或0
MC14001UB
20
( VOL = 0.4 V直流)
( VOL = 0.5 V直流)
( VOL = 1.5 V直流)
( VO = 0.5伏)
( VO = 1.0伏)
( VO = 1.5伏)
输入电压= 0或Vdd的
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
IOL
CIN
VIL
IIH
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
– 55
_
C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
典型值#
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = ( 0.3
μA /千赫)
F + IDD / N
IT = ( 0.6
μA /千赫)
F + IDD / N
IT = ( 0.8
μA /千赫)
F + IDD / N
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
开关特性*
( CL = 50 pF的, TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
典型值#
180
90
65
100
50
40
90
50
40
最大
360
180
130
200
100
80
180
100
80
单位
ns
输出上升时间
tTLH = ( 3.0纳秒/ PF ) CL + 30纳秒
tTLH = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 15纳秒
tTLH = ( 1.1纳秒/ PF ) CL + 10纳秒
输出下降时间
TTHL = ( 1.5纳秒/ PF ) CL + 25纳秒
TTHL = ( 0.75纳秒/ PF ) CL + 12.5纳秒
TTHL = ( 0.55纳秒/ PF ) CL + 9.5纳秒
TTHL
ns
传播延迟时间
tPLH的,的TPH1 = ( 1.7纳秒/ PF ) CL + 30纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.66纳秒/ PF ) CL + 22纳秒
tPLH的,的TPH1 = ( 0.50纳秒/ PF ) CL + 15纳秒
tPLH的,的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的,但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
VDD
14
脉冲
发电机
输入
*
7
VSS
TTHL
产量
的TPH1
CL
产量
反相
90%
50%
10%
tTLH
输入
90%
50%
10%
TPLH
VOH
VOL
20纳秒
VDD
0V
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到VDD。
部分或全部未使用的输入,或非门必须是
连接到Vss 。
图1.开关时间测试电路和波形
MC14001UB电路原理图
VDD
14
MC14002UB电路原理图
(设备的1/2所示)
VDD
2, 9
8
3, 10
4, 11
5, 12
1, 13
14
3
10
1
2
9
6
13
5
12
VSS
7
4
7
VSS
11
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001UB
21
MC14011UB电路原理图
(设备的1/4所示)
14 VDD
MC14012UB电路原理图
(设备的1/2所示)
14 VDD
MC14023UB电路原理图
(设备的1/3所示)
14 VDD
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
7 VSS
2, 9
3, 10
4, 11
5, 12
7 VSS
1, 13
6, 9, 10
5, 1, 11
4, 2, 12
3, 8, 13
7 VSS
MC14025UB电路原理图
(设备的1/3所示)
VOUT ,输出电压(VDC )
14 VDD
1, 3, 11
2, 4, 12
8, 5, 13
9, 6, 10
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
VOUT ,输出电压(VDC )
I D ,漏电流( MADC )
VDD = 15V直流电TA = + 25°C
未使用的输入
连接到
VSS 。
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
4.0
10 VDC
2.0
0
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
输入电压,输入电压(VDC )
16
14
12
10
8.0
VDD = 15伏直流输入未使用
连接到
b
VSS 。
a
10 VDC
一个TA = + 125°C
B TA = - 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
2.0
7 VSS
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
输入电压,输入电压(VDC )
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特点对比
温度
0
VGS = - 5.0伏
一个TA = - 55°C
B TA = + 25°C
TA = + 125°C
c
= 10 VDC
– 8.0
b
c
b
I D ,漏电流( MADC )
a
10
a
8.0
b
c
a
b
c
一个TA = - 55°C
B TA = + 25°C
TA = + 125°C
a
b
c
5.0 VDC
VGS = 10伏直流
15 VDC
I D ,漏电流( MADC )
– 2.0
– 4.0
6.0
– 6.0
4.0
c
b
a
a
– 2.0
± 15 VDC
2.0
– 10
– 10
0
0
0
2.0
4.0
6.0
VDS ,漏极电压(VDC )
8.0
10
– 8.0
– 6.0
– 4.0
VDS ,漏极电压(VDC )
图4.典型的输出源
特征
图5.典型输出灌
特征
MC14001UB
22
摩托罗拉CMOS逻辑数据
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MC14002UBD
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