摩托罗拉
半导体技术资料
UB-后缀系列CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
（在一个单一的整体结构增强型器件互为
tary MOS ） 。它们的主要用途是需要低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。在UB集CMOS门电路是反相
非缓冲的功能。
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB后缀
器件
四路2输入NOR门
双4输入或非门
四路2输入与非门
两个4输入与非门
三路3输入与非门
三路3输入NOR门
MC14001UB
MC14002UB
MC14011UB
MC14012UB
MC14023UB
MC14025UB
逻辑图
MC14001UB
四2输入
或非门
1
2
5
6
8
9
12
13
MC14012UB
双4输入
与非门
1
2
3
4
5
9
10
11
12
NC = 6,8
1
2
8
3
4
13
5
11
12
13
9
3
4
10
11
2
3
4
5
9
10
11
12
MC14002UB
双4输入
或非门
1
1
2
5
6
8
13
NC = 6,8
MC14023UB
三重3输入
与非门
1
2
8
3
4
5
11
12
13
9
12
13
MC14025UB
三重3输入
或非门
9
MC14011UB
四2输入
与非门
3
4
10
11
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXUBCP
MC14XXXUBCL
MC14XXXUBD
塑料
陶瓷的
SOIC
6
6
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
10
10
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
对于所有器件
该器件包含保护电路，
警惕损害，由于高静
电压或电场。然而，预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中， Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
（ VIN或VOUT ）
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平（例如，是VSS
或VDD ） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
REV 3
1/94
MC14001UB
摩托罗拉公司1995年
18
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
H
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率，而k每行使门= 0.001 x中的数
封装。
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每门CL = 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
（ VO = 4.5伏）
（ VO = 9.0伏）
（ VO = 13.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
MC14001UB
20
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
（ VO = 0.5伏）
（ VO = 1.0伏）
（ VO = 1.5伏）
输入电压= 0或Vdd的
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
IOL
CIN
VIL
IIH
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
典型值＃
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
IT = （ 0.3
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.8
μA /千赫）
F + IDD / N
摩托罗拉CMOS逻辑数据
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
180
90
65
100
50
40
90
50
40
最大
360
180
130
200
100
80
180
100
80
单位
ns
输出上升时间
tTLH = （ 3.0纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tTLH = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tTLH = （ 1.1纳秒/ PF ） CL + 10纳秒
输出下降时间
TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
TTHL
ns
传播延迟时间
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 22纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.50纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tPLH的，的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
20纳秒
VDD
14
脉冲
发电机
输入
*
7
VSS
TTHL
产量
的TPH1
CL
产量
反相
90%
50%
10%
tTLH
输入
90%
50%
10%
TPLH
VOH
VOL
20纳秒
VDD
0V
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到VDD。
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到Vss 。
图1.开关时间测试电路和波形
MC14001UB电路原理图
VDD
14
MC14002UB电路原理图
（设备的1/2所示）
VDD
2, 9
8
3, 10
4, 11
5, 12
1, 13
14
3
10
1
2
9
6
13
5
12
VSS
7
4
7
VSS
11
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001UB
21
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 VDD
MC14012UB电路原理图
（设备的1/2所示）
14 VDD
MC14023UB电路原理图
（设备的1/3所示）
14 VDD
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
7 VSS
2, 9
3, 10
4, 11
5, 12
7 VSS
1, 13
6, 9, 10
5, 1, 11
4, 2, 12
3, 8, 13
7 VSS
MC14025UB电路原理图
（设备的1/3所示）
VOUT ，输出电压（VDC ）
14 VDD
1, 3, 11
2, 4, 12
8, 5, 13
9, 6, 10
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
VDD = 15V直流电TA = + 25°C
未使用的输入
连接到
VSS 。
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
4.0
10 VDC
2.0
0
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
输入电压，输入电压（VDC ）
16
14
12
10
8.0
VDD = 15伏直流输入未使用
连接到
b
VSS 。
a
10 VDC
一个TA = + 125°C
B TA = - 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
2.0
7 VSS
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
输入电压，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特点对比
温度
0
VGS = - 5.0伏
一个TA = - 55°C
B TA = + 25°C
TA = + 125°C
c
= 10 VDC
– 8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
8.0
b
c
a
b
c
一个TA = - 55°C
B TA = + 25°C
TA = + 125°C
a
b
c
5.0 VDC
VGS = 10伏直流
15 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
– 2.0
– 4.0
6.0
– 6.0
4.0
c
b
a
a
– 2.0
± 15 VDC
2.0
– 10
– 10
0
0
0
2.0
4.0
6.0
VDS ，漏极电压（VDC ）
8.0
10
– 8.0
– 6.0
– 4.0
VDS ，漏极电压（VDC ）
图4.典型的输出源
特征
图5.典型输出灌
特征
MC14001UB
22
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxU
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14001UB/D
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
http://onsemi.com
5
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxUG
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录6
1
出版订单号：
MC14001UB/D
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
50 ） VFK
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“0”电平
“0”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
0.64
1.6
4.2
4.0
8.0
12.5
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
0.51
1.3
3.4
4.0
8.0
12.5
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
4.0
8.0
12.5
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
http://onsemi.com
5
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxU
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14001UB/D
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
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4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
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5
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