MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxU
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14001UB/D
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
http://onsemi.com
5
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
这些无铅器件
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxUG
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年9月
启示录7
1
出版订单号：
MC14001UB/D
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
50 ） VFK
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“0”电平
“0”电平
“1”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
V
IH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.0
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
– 0.75
– 0.2
– 0.4
– 1.5
4.95
9.95
14.95
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
4.0
8.0
12.5
0.51
1.1
3.4
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.55
– 0.14
– 0.15
– 1.0
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.7
2.4
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCPG
MC14001UBDG
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
航运
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
MC14011UBCPG
MC14011UBDG
MC14011UBDR2G
PDIP14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
SOIC14
（无铅）
25单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
V
DD
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
3
10
1
8
2
9
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
13
7 V
SS
5
12
4
7
V
SS
11
16
14
VOUT ，输出电压（VDC ）
12
10
8.0
6.0
4.0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= + 25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
4.0
10 VDC
2.0
0
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= + 125°C
（B T）
A
= - 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
2.0
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
V
GS
= - 5.0伏
一件T
A
= - 55°C
（B T）
A
= + 25°C
（C T）
A
= + 125°C
c
- 10 VDC
- 8.0
b
c
b
a
I D ，漏电流（ MADC ）
10
a
8.0
b
c
a
b
c
一件T
A
= - 55°C
（B T）
A
= + 25°C
（C T）
A
= + 125°C
a
b
c
5.0 VDC
V
GS
= 10 VDC
15 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
- 2.0
- 4.0
6.0
- 6.0
4.0
c
b
a
a
- 2.0
- 15 VDC
2.0
- 10
- 10
0
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
- 8.0
- 6.0
- 4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
http://onsemi.com
5
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxUG
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
启示录6
1
出版订单号：
MC14001UB/D
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
50 ） VFK
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“0”电平
“0”电平
“1”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
I
OL
C
in
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
0.64
1.6
4.2
4.0
8.0
12.5
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
0.51
1.3
3.4
4.0
8.0
12.5
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
0.36
0.9
2.4
4.0
8.0
12.5
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
航运
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
25单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
http://onsemi.com
5
MC14001UB ， MC14011UB
UB-后缀系列
CMOS门
在UB系列逻辑门与P和N沟道构造
在一个单一的整体结构增强型器件
（互补MOS ） 。它们的主要用途就是低功耗
耗散和/或高抗噪能力是需要的。在UB集
CMOS门电路是反相非缓冲功能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxUBCP
AWLYYWW
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
线性和振荡器应用
能够驱动两个低功耗TTL负载或一
低功率肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
引脚对引脚替代相应的CD4000系列UB
后缀设备
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxU
AWLYWW
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 修订版5
出版订单号：
MC14001UB/D
其中：I
T
在
mH
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
V
SS
行使门）在伏中，f单位为kHz输入频率， K = 0.001 x中的数
每包。
5.给出的公式是只在25_C的典型特征。
6.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
2.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
3.给出的公式是只在25_C的典型特征。
4.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
电气特性
（电压参考V
SS
)
总电源电流（注3,4）
（动态加静态，
每门
L
= 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
(V
in
= 0)
输入电流
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
输入电压
(V
O
= 4.5伏）
(V
O
= 9.0 VDC ）
(V
O
= 13.5伏）
输出电压
V
in
= V
DD
或0
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
(V
O
= 0.5伏）
(V
O
= 1.0伏）
(V
O
= 1.5伏）
V
in
= 0或V
DD
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
DD
C
in
I
OL
V
IL
I
IH
I
in
I
T
开关特性
（注5 ）
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
传播延迟时间
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 22纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.50纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
输出下降时间
t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
输出上升时间
t
TLH
= （ 3.0纳秒/ PF ）C
L
+ 30纳秒
t
TLH
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 15纳秒
t
TLH
= （ 1.1纳秒/ PF ）C
L
+ 10纳秒
特征
MC14001UB ， MC14011UB
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
http://onsemi.com
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
t
PLH
, t
PHL
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
符号
t
THL
t
TLH
55_C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
3
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
I
T
= (0.3
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.6
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
I
T
= (0.8
毫安/千赫）
F +我
DD
/N
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
±
0.00001
典型值
（注2 ）
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
25_C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
民
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
典型值
（注6 ）
100
50
40
180
90
65
90
50
40
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
125_C
最大
180
100
80
200
100
80
360
180
130
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MADC
MADC
单位
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ns
ns
ns
pF
MC14001UB ， MC14011UB
订购信息
设备
MC14001UBCP
MC14001UBCPG
MC14001UBD
MC14001UBDG
MC14001UBDR2
MC14001UBDR2G
包
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
航运
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
MC14011UBCP
MC14011UBCPG
MC14011UBD
MC14011UBDG
MC14011UBDR2
MC14011UBDR2G
PDIP14
PDIP14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SOIC14
SOIC14
（无铅）
500单位/铁
500单位/铁
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
*
7
V
SS
t
THL
V
DD
产量
t
PHL
C
L
产量
反相
90%
50%
10%
t
TLH
输入
90%
50%
10%
20纳秒
V
DD
0V
t
PLH
V
OH
V
OL
*与所有未使用的输入与非门必须是
连接到V
DD
.
部分或全部未使用的输入，或非门必须是
连接到V
SS
.
图1.开关时间测试电路和波形
http://onsemi.com
4
MC14001UB ， MC14011UB
MC14001UB电路原理图
V
DD
14
MC14011UB电路原理图
（设备的1/4所示）
14 V
DD
8
9
3
10
1
2
3, 4, 10, 11
1, 6, 8, 13
2, 5, 9, 12
6
5
13
12
7 V
SS
4
7
V
SS
11
16
VOUT ，输出电压（VDC ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
I D ，漏电流（ MADC ）
V
DD
= 15 VDC牛逼
A
= +25°C
未使用的输入
连接到
V
SS
.
只有一个输入
10 VDC
B两个输入
8.0
b
5.0 VDC
b
B一
a
a
6.0
15 VDC
10 VDC
4.0
2.0
16
14
12
10
8.0
V
DD
= 15伏直流输入未使用
连接到
b
V
SS
.
a
10 VDC
一件T
A
= +125°C
（B T）
A
= 55°C
a
b
6.0
4.0
2.0
0
0
5.0 VDC
A B
0
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
2.0 4.0 6.0 8.0 10 12 14 16
V
in
，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和
电流传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
0
2.0
V
GS
= -5.0伏
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
= 10 VDC
8.0
b
c
b
I D ，漏电流（ MADC ）
a
10
a
b
c
a
b
c
15 VDC
V
GS
= 10 VDC
I D ，漏电流（ MADC ）
8.0
4.0
6.0
6.0
4.0
a
b
c
一件T
A
= 55°C
（B T）
A
= +25°C
（C T）
A
= +125°C
c
b
a
a
2.0
± 15 VDC
2.0
0
5.0 VDC
10
10
8.0
6.0
4.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
0
0
2.0
4.0
6.0
V
DS
，漏极电压（VDC ）
8.0
10
图4.典型的输出源特性
图5.典型输出库特性
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5
QQ：2880707522 复制
