摩托罗拉
半导体技术资料
MC14000UB
双3输入？ NOR"门
加变频器
该MC14000UB双3输入NOR门加反相器与构成
在一个单一的MOS P沟道和N沟道增强型器件
单片结构。这些互补MOS逻辑门发现主
其中，使用低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
扇出的逻辑摆幅独立
引脚对引脚替代的CD4000UB
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
价值
单位
V
V
- 0.5 + 18.0
VIN，VOUT
林，糊涂人
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXUBCP
MC14XXXUBCL
MC14XXXUBD
塑料
陶瓷的
SOIC
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
_
C
_
C
逻辑图
3
4
5
11
12
10
6
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
电路原理图
VDD
3
14 11 12 13
8
13
8
9
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
4
9
5
引脚分配
NC
NC
在1A
在2A
在3A
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
在3B
在2B
在1B
OUTB
OUTC
在1C
VSS
7 6
10
OUTA
VSS
NC =无连接
REV 3
1/94
MC14000UB
摩托罗拉公司1995年
2
摩托罗拉CMOS逻辑数据
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
H
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率，而k每行使门= 0.001 x中的数
封装。
电气特性
（电压参考VSS）
总电源电流**
（动态加静态，
每门， CL = 50 pF的）
静态电流
（每包）
输入电容
（ VIN = 0 ）
输入电流
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
输入电压
（ VO = 4.5伏）
（ VO = 9.0伏）
（ VO = 13.5伏）
输出电压
VIN = VDD或0
摩托罗拉CMOS逻辑数据
（ VO = 0.5伏）
（ VO = 1.0伏）
（ VO = 1.5伏）
输入电压= 0或Vdd的
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
特征
“1”电平
“1”电平
“0”电平
“0”电平
来源
SINK
符号
VOH
VOL
IOH
国际直拨电话
VIH
IOL
CIN
VIL
IIN
IT
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
15
—
– 1.2
– 0.25
– 0.62
– 1.8
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.64
1.6
4.2
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55
_
C
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.95
9.95
14.95
IT = （ 0.3
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD / N
IT = （ 0.8
μA /千赫）
F + IDD / N
– 1.0
– 0.2
– 0.5
– 1.5
4.0
8.0
12.5
0.51
1.3
3.4
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.00001
0.0005
0.0010
0.0015
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 3.5
典型值＃
25
_
C
0.88
2.25
8.8
2.75
5.50
8.25
2.25
4.50
6.75
5.0
5.0
10
15
0
0
0
±
0.1
0.25
0.5
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
1.0
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 0.7
– 0.14
– 0.35
– 1.1
4.95
9.95
14.95
4.0
8.0
12.5
0.36
0.9
2.4
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。不过，
必须采取预防措施，以避免任何电压超过最大额定电压更高的应用程序，以这种高阻抗
电路。对于正确的操作， Vin和Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， VSS或VDD ） 。未使用的输出必须
悬空。
+ 125
_
C
±
1.0
0.05
0.05
0.05
最大
7.5
15
30
1.0
2.0
2.5
MC14000UB
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
VOUT ，输出电压（VDC ）
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
2.0
4.0
5.0 VDC
c
10 VDC
c
b
ID ，漏极电流（ MADC ）
c
a
b
只有一个输入
并网逆变器
B两个输入
C三种输入量
8.0
ID = 15 VDC
6.0
4.0
2.0
0
VOUT ，输出电压（VDC ）
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
符号
tTLH
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值＃
180
90
65
100
50
40
115
55
40
最大
360
180
130
200
100
80
230
110
80
单位
ns
输出上升时间
tTLH = （ 3.0纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tTLH = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tTLH = （ 1.1纳秒/ PF ） CL + 10纳秒
输出下降时间
TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
TTHL
ns
传播延迟时间
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 30纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 22纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.50纳秒/ PF ） CL + 15纳秒
tPLH的，
的TPH1
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
20纳秒
14
脉冲
发电机
输入
产量
7
VSS
CL
产量
TTHL
输入
的TPH1
90%
50%
10%
tTLH
90%
50%
10%
TPLH
VOH
VOL
20纳秒
VDD
VSS
图1.开关时间测试电路和波形
16
VDD = 15 VDC
14
a
TA = 25°C
16
VDD = 15 VDC
14
12
10 VDC
10
8.0
6.0
4.0
a
2.0
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
输入电压，输入电压（VDC ）
b
5.0 VDC
a
b
a
b
一个TA = + 125°C
B TA = - 55°C
未使用的输入
连接到VSS
b
a
ID = 10 VDC
6.0
8.0
10
12
14
16
输入电压，输入电压（VDC ）
图2.典型的电压和电流
传输特性
图3.典型的电压传输
特性与温度
MC14000UB
4
摩托罗拉CMOS逻辑数据
外形尺寸
L结尾
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4.尺寸F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750
0.785
0.245
0.280
0.155
0.200
0.015
0.020
0.055
0.065
0.100 BSC
0.008
0.015
0.125
0.170
0.300 BSC
0
_
15
_
0.020
0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05
19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0
_
15
_
0.51
1.01
–A–
14
9
–B–
1
7
C
L
–T–
座位
飞机
K
F
D
14 PL
G
0.25 (0.010)
M
N
J
T A
S
14 PL
M
0.25 (0.010)
M
T B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
P后缀
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14000UB
5
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
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MC14000UB
6
*MC14000UB/D*
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14000UB/D
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