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飞思卡尔半导体公司
技术参数
MC13770/D
第2版, 11/2003
MC13770
(比例2 : 1 )
MC13770
单频段LNA和混频器FEIC
设备
MC13770FC
包装信息
塑料包装
CASE 1345
(QFN-12)
订购信息
器件标识
770
QFN-12
1
介绍
目录
1
2
3
4
5
简介。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
联系说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1
2
4
4
7
的MC13770为单一条带前端IC设计
无线接收器的应用程序。它包含一个低噪声
LNA和高线性混频器。该LNA集成
用旁路开关,以保护输入截取
性能。该器件采用飞思卡尔制造的
采用先进的射频BiCMOS工艺中的SiGe :C选项
并封装在一个12针方形扁平无引脚
封装。
1.1
特点
RF输入频率: 2100至2400年兆赫
LNA增益= 15分贝(典型值)
LNA输入3阶截取点( IIP3 ) =
为0 dBm (典型值)
LNA噪声系数( NF) = 1.5分贝(典型值)
包括旁路模式,以提高拦截
性能上来看
双平衡混频器
混频器转换增益= 10分贝(典型值)
混频器的噪声系数( NF) = 8.0分贝(典型值)
飞思卡尔保留改变的详细规范可能需要的,以允许在设计改进的权利的
产品。
飞思卡尔半导体公司, 2003年, 2005年。保留所有权利。
电气规格
混频器输入3阶截取点( IIP3 ) = -3.0 dBm的(典型值)
总电源电流= 8.0毫安
LNA = 3.0毫安
混频器= 5.0毫安
LNA输出
在LO +
LO在 -
IF +
在LNA
IF-
绕行
启用
混合偏
图1.简化的框图
2
电气规格
表1.最大额定值
等级
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.6
-65到150
-40到85
单位
V
°C
°C
注意:
最大额定值和ESD
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应
限制在电气特性表或引脚说明部分的限制。
2.静电放电(ESD )抗扰度符合人体模型( HBM )
≤100
V和机器模型( MM )
≤30
V.
额外的ESD资料可供索取。
表2.推荐工作条件
特征
电源电压
逻辑电压(使能引脚和旁路引脚)
输入高电压
输入低电压
0.85 V
CC
0
-
-
V
CC
0.15 V
CC
符号
2.7
典型值
2.75
最大
3.0
单位
VDC
V
MC13770技术数据,第2版
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表3.电气特性
特征
开启时间
符号
-
典型值
100
最大
-
单位
ns
LNA高增益模式
(频率= 2140兆赫,V
CC
= 2.75 V,绕道= 2.75 V,启用= 2.75 V)
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
15
1.5
0
3.0
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
LNA低增益模式
( RF = 2140兆赫,V
CC
= 2.75 V,绕道= 0V ,启用= 2.75 V)
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
-5.0
5.0
20
10
-
-
-
-
dB
dB
DBM
A
混频器模式
( RF = 2140 MHz的LO = 2520兆赫,V
CC
= 2.75伏,启用= 2.75 V)
转换增益
SSB噪声系数
输入IP3
电源电流
LO驱动电平
注意:
音间距IIP3测量为5.0兆赫。
-
-
-
-
-
10
8.0
-3.0
5.0
-10
-
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
DBM
表4.真值表
(1 = 2.75 V, 0 = 0 V)
启用
0
0
1
1
绕行
0
1
0
1
模式
睡觉
未定义 - 不使用
低增益
高增益
MC13770技术数据,第2版
飞思卡尔半导体公司
3
联系方式说明
3
联系方式说明
表5.联系功能说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
LNA输出
绕行
启用
LO +
LO-
IF +
IF-
V
CC
在LNA
GND
混合偏
LNA输出
LNA旁路控制
混频器输入
芯片使能
本地振荡器输入+
本地振荡器输入 -
差分IF输出+
差分IF输出 -
供应
LNA输入
混频器偏置调整
描述
4
应用信息
图2
显示了2110年至2140年兆赫频段的典型应用电路。混频器输入在内部
宽带匹配。两个典型的IF输出匹配电路中提供
第5页表6 。
MC13770技术数据,第2版
4
飞思卡尔半导体公司
应用信息
V
CC1
L2
2.7 nH的
R1
4.3 k
L1
2.7 nH的
1
C11 1.0 pF的
绕行
2
3
4
5
C6
33 pF的
启用
LO +
12
11
C1 33 pF的
C12
0.5 pF的
在LNA
C9
0.01 F
C7
33 pF的
R2
470
LNA输出
10
9
C2 33 pF的
C8 0.01 μF
V
CC2
L3 *
8
R3 *
C10 *
L4 *
C3 *
微型电路
TC8-1变压器
8:1
7
C4 *
6
C5
33 pF的
IF
*请参阅
表6
为值。
图2.应用原理
材料的应用示意图表6.比尔
部件
C3
C4
C10
L3
L4
R3
190 MHz的IF
1.2 pF的
1.2 pF的
1.2 pF的
150 nH的
150 nH的
5.0 k
380 MHz的IF
2.2 pF的
2.2 pF的
1.2 pF的
39 nH的
39 nH的
20 k
注意:
所有其他组件是相同的两种配置。
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飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MC13770/D
第2版, 11/2003
MC13770
(比例2 : 1 )
MC13770
单频段LNA和混频器FEIC
设备
MC13770FC
包装信息
塑料包装
CASE 1345
(QFN-12)
订购信息
器件标识
770
QFN-12
1
介绍
目录
1
2
3
4
5
简介。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
联系说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1
2
4
4
7
的MC13770为单一条带前端IC设计
无线接收器的应用程序。它包含一个低噪声
LNA和高线性混频器。该LNA集成
用旁路开关,以保护输入截取
性能。该器件采用飞思卡尔制造的
采用先进的射频BiCMOS工艺中的SiGe :C选项
并封装在一个12针方形扁平无引脚
封装。
1.1
特点
RF输入频率: 2100至2400年兆赫
LNA增益= 15分贝(典型值)
LNA输入3阶截取点( IIP3 ) =
为0 dBm (典型值)
LNA噪声系数( NF) = 1.5分贝(典型值)
包括旁路模式,以提高拦截
性能上来看
双平衡混频器
混频器转换增益= 10分贝(典型值)
混频器的噪声系数( NF) = 8.0分贝(典型值)
飞思卡尔保留改变的详细规范可能需要的,以允许在设计改进的权利的
产品。
飞思卡尔半导体公司, 2003年, 2005年。保留所有权利。
电气规格
混频器输入3阶截取点( IIP3 ) = -3.0 dBm的(典型值)
总电源电流= 8.0毫安
LNA = 3.0毫安
混频器= 5.0毫安
LNA输出
在LO +
LO在 -
IF +
在LNA
IF-
绕行
启用
混合偏
图1.简化的框图
2
电气规格
表1.最大额定值
等级
电源电压
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.6
-65到150
-40到85
单位
V
°C
°C
注意:
最大额定值和ESD
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。功能操作应
限制在电气特性表或引脚说明部分的限制。
2.静电放电(ESD )抗扰度符合人体模型( HBM )
≤100
V和机器模型( MM )
≤30
V.
额外的ESD资料可供索取。
表2.推荐工作条件
特征
电源电压
逻辑电压(使能引脚和旁路引脚)
输入高电压
输入低电压
0.85 V
CC
0
-
-
V
CC
0.15 V
CC
符号
2.7
典型值
2.75
最大
3.0
单位
VDC
V
MC13770技术数据,第2版
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表3.电气特性
特征
开启时间
符号
-
典型值
100
最大
-
单位
ns
LNA高增益模式
(频率= 2140兆赫,V
CC
= 2.75 V,绕道= 2.75 V,启用= 2.75 V)
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
15
1.5
0
3.0
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
LNA低增益模式
( RF = 2140兆赫,V
CC
= 2.75 V,绕道= 0V ,启用= 2.75 V)
LNA增益
LNA噪声系数
LNA的输入IP3
低噪声放大器电源电流
I
DD
-
-
-
-
-5.0
5.0
20
10
-
-
-
-
dB
dB
DBM
A
混频器模式
( RF = 2140 MHz的LO = 2520兆赫,V
CC
= 2.75伏,启用= 2.75 V)
转换增益
SSB噪声系数
输入IP3
电源电流
LO驱动电平
注意:
音间距IIP3测量为5.0兆赫。
-
-
-
-
-
10
8.0
-3.0
5.0
-10
-
-
-
-
-
dB
dB
DBM
mA
DBM
表4.真值表
(1 = 2.75 V, 0 = 0 V)
启用
0
0
1
1
绕行
0
1
0
1
模式
睡觉
未定义 - 不使用
低增益
高增益
MC13770技术数据,第2版
飞思卡尔半导体公司
3
联系方式说明
3
联系方式说明
表5.联系功能说明
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
12
符号
LNA输出
绕行
启用
LO +
LO-
IF +
IF-
V
CC
在LNA
GND
混合偏
LNA输出
LNA旁路控制
混频器输入
芯片使能
本地振荡器输入+
本地振荡器输入 -
差分IF输出+
差分IF输出 -
供应
LNA输入
混频器偏置调整
描述
4
应用信息
图2
显示了2110年至2140年兆赫频段的典型应用电路。混频器输入在内部
宽带匹配。两个典型的IF输出匹配电路中提供
第5页表6 。
MC13770技术数据,第2版
4
飞思卡尔半导体公司
应用信息
V
CC1
L2
2.7 nH的
R1
4.3 k
L1
2.7 nH的
1
C11 1.0 pF的
绕行
2
3
4
5
C6
33 pF的
启用
LO +
12
11
C1 33 pF的
C12
0.5 pF的
在LNA
C9
0.01 F
C7
33 pF的
R2
470
LNA输出
10
9
C2 33 pF的
C8 0.01 μF
V
CC2
L3 *
8
R3 *
C10 *
L4 *
C3 *
微型电路
TC8-1变压器
8:1
7
C4 *
6
C5
33 pF的
IF
*请参阅
表6
为值。
图2.应用原理
材料的应用示意图表6.比尔
部件
C3
C4
C10
L3
L4
R3
190 MHz的IF
1.2 pF的
1.2 pF的
1.2 pF的
150 nH的
150 nH的
5.0 k
380 MHz的IF
2.2 pF的
2.2 pF的
1.2 pF的
39 nH的
39 nH的
20 k
注意:
所有其他组件是相同的两种配置。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
MC13770FC
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9543
贴◆插
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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