由MC12210订购此文件/ D
串行输入锁相环频率
合成
该MC12210是锁定一个2.5 GHz的单片双极型串行输入相
环（PLL ）合成器，具有脉冲吞咽功能。它被设计成提供
在手持式RF收发器的高频本地振荡器信号
通信应用。
摩托罗拉先进的双极MOSAIC V技术被用于低
在2.7 V的电源电压最低功率运行的设备
设计工作在2.75.5 V电源电压范围输入频率
高达2.5千兆赫为9.5 mA的典型电流消耗。低功率
消费使MC12210理想的操作手持式电池
应用，例如蜂窝或无绳电话，无线LAN或
个人通信服务。双模分频器被集成到
提供无论是32/33或64/65的分频比。
有关其他应用程序的信息，二
InterActiveApNote
包含软件文档（基于Microsoft Excel电子表格）
和应用笔记提供。请订购DK305 / D和DK306 / D
从摩托罗拉文学配送中心。
MC12210
MECL PLL元件
串行PLL
频率SYNTIESIZER
半导体
技术参数
16
1
8.8 mA低电源电流典型的ICC 0.7 mA典型
对于IP
2.7电源电压为5.5 V
双模预分频器随着32/33或64/65可选择的分频比
片内基准振荡器/缓冲器
可编程参考分频器组成的二进制14位的
可编程参考计数器
可编程分频器组成的二进制7位吞脉冲计数器的
和一个11位可编程计数器
相位/频率检测器相位转换功能
平衡电荷泵输出
双内置电荷泵绕过循环的第一阶段
过滤器来减少锁定时间
输出外部充电泵
工作温度范围-40 85°C
节省空间的塑料表面贴装SOIC和TSSOP封装
后缀
塑料包装
CASE 751B
(SO–16)
20
1
DT后缀
塑料包装
CASE 948E
(TSSOP–20)
MOSAIC V， M传真和
InterActiveApNote
是Motorola，Inc.的商标。
最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压引脚4 （引脚5
20引脚封装）
电源电压引脚3 （引脚4
20引脚封装）
存储温度范围
符号
VCC
Vp
TSTG
价值
-0.5 6.0
VCC为6.0
-65到150
单位
VDC
VDC
°C
设备
MC12210D
MC12210DT
订购信息
操作
温度范围
TA = - 40 °C至+ 85°C
包
SO–16
TSSOP–20
注意事项：
1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。功能操作应仅限于推荐
操作条件。
2. ESD数据可根据要求提供。
摩托罗拉1997年公司
转4
MC12210
φR
16
φP
15
fOUT的BISW
14
13
FC
12
LE
11
数据
10
CLK
9
引脚说明： 16引脚封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
VCC
5
Do
FC
15
6
GND
LE
14
7
LD
数据
13
8
鳍
NC
12
CLK
11
OSCIN OSCOUT副总裁
φR
20
NC
19
φP
18
fOUT的BISW
17
16
引脚说明： 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
1
OSCIN
2
3
4
VP
5
VCC
6
Do
7
GND
8
LD
9
NC
10
鳍
NC OSCOUT
引脚名称
针
OSCIN
OSCOUT
VP
VCC
Do
GND
LD
鳍
CLK
数据
LE
I / O
I
O
—
—
O
—
O
I
I
I
I
功能
振荡器的输入。晶体可以连接OSCIN和OSCOUT之间。这是
强烈建议在外部电源交流耦合到该引脚（见正文） 。
振荡器的输出。引脚应保持打开状态，如果外部电源使用
电源为电荷泵（VP应大于或等于VCC）的VP
提供电源做的， BISW和
φP
输出
电源电压输入。旁路电容应尽可能靠近
能够在该引脚与直接连接到接地平面。
内部电荷泵输出。做保持在任何时候都
地
锁定检测，相位比较器输出
预分频器输入。该VCO信号交流耦合到该引脚
时钟输入。在时钟的上升沿将数据移入移位寄存器
二进制串行数据输入
负载使能输入（带内部上拉电阻） 。当LE为高电平或开路，数据
存储在移位寄存器中被转移到相应的锁存器（取决于
控制比特的电平） 。此外，当LE是高或开路，所述第二输出
内部电荷泵被连接到BISW销
相位控制选择（带内部上拉电阻） 。当FC为低电平时，
相位比较器和电荷泵的特性是相反的。 FC也
选择FP或FR的FOUT端子
模拟开关输出。当LE是高或打开（ “模拟开关处于ON ” ）的
第二充电泵的输出端连接到所述BISW销。当LE为低电平时，
BISW是高阻抗
相位比较器的输入信号。当FC为高电平， fOUT的= fr的，可编程
参考分频器输出;当FC为低， fOUT的= FP ，可编程分频器输出
输出外部电荷泵。标准CMOS输出电平
输出外部电荷泵。标准CMOS输出电平
无连接
16引脚PKG
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
20引脚PKG
PIN号
1
3
4
5
6
7
8
10
11
13
14
FC
I
12
15
BISW
O
13
16
FOUT
φP
φR
NC
O
O
O
—
14
15
16
—
17
18
20
2, 9, 12, 19
2
摩托罗拉RF / IF设备数据
MC12210
数据输入格式
DATA引脚的三线接口， CLK （时钟）引脚和LE （负载使能）引脚控制14位的串行数据输入
可编程参考分频器加分频设置位，而18位可编程分频器。在时钟的上升沿
移位的串行数据中的一个位到内部移位寄存器。根据控制位的电平，存储的数据被传输
锁存器在负载使能引脚为高电平或开路。
控制位：
为“H” =数据传输到可编程参考分频器15位锁存器
为“L” =数据传输到可编程除法器18位锁存器
警告：被编程的器件之后的CLK开关或数据可以生成电荷泵的输出从而将噪声
影响VCO 。
可编程参考分频器
用于可编程参考计数器， “ R计数器” ，和分频器选择位（ SW）的16位串行数据格式如下所示。如果
的控制位为高电平时，数据从15位的移位寄存器传送到15位锁存器，它指定第r的分频比（8至
16383 ）和预分频比（ SW = 0
÷64/65,
SW = 1为
÷
32/33
） 。的R分频比小于8是禁止的。
对于控制位（C）= HIGH ：
设置位预分频比（第一位）
最高位
控制位（最后一位）
最低位
S
W
R
14
R
13
R
12
R
11
R
10
R
9
R
8
R
7
R
6
R
5
R
4
R
3
R
2
R
1
C
设置位可编程的分频比
参考计数器（ R计数器）
作者可编程参考（R ）计数器的分频比
DIVIDE
比r
8
9
16383
R
14
0
0
1
R
13
0
0
1
R
12
0
0
1
R
11
0
0
1
R
10
0
0
1
R
9
0
0
1
R
8
0
0
1
R
7
0
0
1
R
6
0
0
1
R
5
0
0
1
R
4
1
1
1
R
3
0
0
1
R
2
0
0
1
R
1
0
1
1
预分频器选择位
预分频比P
64/65
32/33
SW
0
1
4
摩托罗拉RF / IF设备数据
MC12210
可编程分频器
该可编程分频器19位串行数据格式如下所示。如果控制位为低电平时，数据从18位传送
移位寄存器的18位锁存器用于指定吞计数器分频比（ 0 127 ）和可编程的N-计数器
分频比（ 16 2047 ） 。一个N计数器的分频比小于16是禁止的。
对于控制位（C ） =低：
最高位（第一位）
控制位（最后一位）
最低位
N
18
N
17
N
16
N
15
N
14
N
13
N
12
N
11
N
10
N
9
N
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
C
设置位
的分频比
可编程的N-计数器
设置位
的分频比
吞计数器
可编程的N-计数器的分频比
DIVIDE
比n
16
17
2047
N
18
0
0
1
N
17
0
0
1
N
16
0
0
1
N
15
0
0
1
N
14
0
0
1
N
13
0
0
1
N
12
1
1
1
N
11
0
0
1
N
10
0
0
1
N
9
0
0
1
N
8
0
1
1
吞计数器的分频比
DIVIDE
比A
0
1
127
A
7
0
0
1
A
6
0
0
1
A
5
0
0
1
A
4
0
0
1
A
3
0
0
1
A
2
0
0
1
A
1
0
1
1
分频比设定
FVCO = [ （P N） + A] FOSC
÷
R 2与A<N
为fvco ：外部电压控制振荡器的输出频率（ VCO）的
N:
二进制11位可编程计数器预置分频比（ 16 2047）
A:
二进制7位吞计数器预置分频比（ 0 127 ， A<N ）
FOSC ：外部振荡器的输出频率
R:
二进制14位可编程参考计数器的预置分频比（ 8 16383 ）
P:
的双模预分频器预置模式（ 32或64 ）
图2：串行数据输入时序
数据
N18 ： MSB
（南方周末： MSB ）
CLK
N17
(R14)
N8
(R7)
A7
(R6)
A1
(R1)
C =控制位（最后一位）
（ C =控制位（最后一位） ）
LE
TS （C → LE ）
TS （ D）
日（ D）
TCW
TEW
注：括号内所示的可编程参考分频器的数据。数据移入寄存器在上升沿CLK的边缘。
TS （D）=设置时间数据CLK
TS （ D）
≥
10纳秒
日（D ） =数据保持时间为CLK
日（ D）
≥
20纳秒
TCW = CLK脉冲宽度
TCW
≥
30纳秒
TEW = LE脉冲宽度
TEW
≥
20纳秒
TS （C → LE ）=建立时间CLK到LE
TS （C → LE ）
≥
30纳秒
摩托罗拉RF / IF设备数据
5
由MC12210订购此文件/ D
串行输入锁相环频率
合成
该MC12210是锁定一个2.5 GHz的单片双极型串行输入相
环（PLL ）合成器，具有脉冲吞咽功能。它被设计成提供
在手持式RF收发器的高频本地振荡器信号
通信应用。
摩托罗拉先进的双极MOSAIC V技术被用于低
在2.7 V的电源电压最低功率运行的设备
设计工作在2.75.5 V电源电压范围输入频率
高达2.5千兆赫为9.5 mA的典型电流消耗。低功率
消费使MC12210理想的操作手持式电池
应用，例如蜂窝或无绳电话，无线LAN或
个人通信服务。双模分频器被集成到
提供无论是32/33或64/65的分频比。
有关其他应用程序的信息，二
InterActiveApNote
包含软件文档（基于Microsoft Excel电子表格）
和应用笔记提供。请订购DK305 / D和DK306 / D
从摩托罗拉文学配送中心。
MC12210
MECL PLL元件
串行PLL
频率SYNTIESIZER
半导体
技术参数
16
1
8.8 mA低电源电流典型的ICC 0.7 mA典型
对于IP
2.7电源电压为5.5 V
双模预分频器随着32/33或64/65可选择的分频比
片内基准振荡器/缓冲器
可编程参考分频器组成的二进制14位的
可编程参考计数器
可编程分频器组成的二进制7位吞脉冲计数器的
和一个11位可编程计数器
相位/频率检测器相位转换功能
平衡电荷泵输出
双内置电荷泵绕过循环的第一阶段
过滤器来减少锁定时间
输出外部充电泵
工作温度范围-40 85°C
节省空间的塑料表面贴装SOIC和TSSOP封装
后缀
塑料包装
CASE 751B
(SO–16)
20
1
DT后缀
塑料包装
CASE 948E
(TSSOP–20)
MOSAIC V， M传真和
InterActiveApNote
是Motorola，Inc.的商标。
最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压引脚4 （引脚5
20引脚封装）
电源电压引脚3 （引脚4
20引脚封装）
存储温度范围
符号
VCC
Vp
TSTG
价值
-0.5 6.0
VCC为6.0
-65到150
单位
VDC
VDC
°C
设备
MC12210D
MC12210DT
订购信息
操作
温度范围
TA = - 40 °C至+ 85°C
包
SO–16
TSSOP–20
注意事项：
1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。功能操作应仅限于推荐
操作条件。
2. ESD数据可根据要求提供。
摩托罗拉1997年公司
转4
MC12210
φR
16
φP
15
fOUT的BISW
14
13
FC
12
LE
11
数据
10
CLK
9
引脚说明： 16引脚封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
VCC
5
Do
FC
15
6
GND
LE
14
7
LD
数据
13
8
鳍
NC
12
CLK
11
OSCIN OSCOUT副总裁
φR
20
NC
19
φP
18
fOUT的BISW
17
16
引脚说明： 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
1
OSCIN
2
3
4
VP
5
VCC
6
Do
7
GND
8
LD
9
NC
10
鳍
NC OSCOUT
引脚名称
针
OSCIN
OSCOUT
VP
VCC
Do
GND
LD
鳍
CLK
数据
LE
I / O
I
O
—
—
O
—
O
I
I
I
I
功能
振荡器的输入。晶体可以连接OSCIN和OSCOUT之间。这是
强烈建议在外部电源交流耦合到该引脚（见正文） 。
振荡器的输出。引脚应保持打开状态，如果外部电源使用
电源为电荷泵（VP应大于或等于VCC）的VP
提供电源做的， BISW和
φP
输出
电源电压输入。旁路电容应尽可能靠近
能够在该引脚与直接连接到接地平面。
内部电荷泵输出。做保持在任何时候都
地
锁定检测，相位比较器输出
预分频器输入。该VCO信号交流耦合到该引脚
时钟输入。在时钟的上升沿将数据移入移位寄存器
二进制串行数据输入
负载使能输入（带内部上拉电阻） 。当LE为高电平或开路，数据
存储在移位寄存器中被转移到相应的锁存器（取决于
控制比特的电平） 。此外，当LE是高或开路，所述第二输出
内部电荷泵被连接到BISW销
相位控制选择（带内部上拉电阻） 。当FC为低电平时，
相位比较器和电荷泵的特性是相反的。 FC也
选择FP或FR的FOUT端子
模拟开关输出。当LE是高或打开（ “模拟开关处于ON ” ）的
第二充电泵的输出端连接到所述BISW销。当LE为低电平时，
BISW是高阻抗
相位比较器的输入信号。当FC为高电平， fOUT的= fr的，可编程
参考分频器输出;当FC为低， fOUT的= FP ，可编程分频器输出
输出外部电荷泵。标准CMOS输出电平
输出外部电荷泵。标准CMOS输出电平
无连接
16引脚PKG
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
20引脚PKG
PIN号
1
3
4
5
6
7
8
10
11
13
14
FC
I
12
15
BISW
O
13
16
FOUT
φP
φR
NC
O
O
O
—
14
15
16
—
17
18
20
2, 9, 12, 19
2
摩托罗拉RF / IF设备数据
MC12210
数据输入格式
DATA引脚的三线接口， CLK （时钟）引脚和LE （负载使能）引脚控制14位的串行数据输入
可编程参考分频器加分频设置位，而18位可编程分频器。在时钟的上升沿
移位的串行数据中的一个位到内部移位寄存器。根据控制位的电平，存储的数据被传输
锁存器在负载使能引脚为高电平或开路。
控制位：
为“H” =数据传输到可编程参考分频器15位锁存器
为“L” =数据传输到可编程除法器18位锁存器
警告：被编程的器件之后的CLK开关或数据可以生成电荷泵的输出从而将噪声
影响VCO 。
可编程参考分频器
用于可编程参考计数器， “ R计数器” ，和分频器选择位（ SW）的16位串行数据格式如下所示。如果
的控制位为高电平时，数据从15位的移位寄存器传送到15位锁存器，它指定第r的分频比（8至
16383 ）和预分频比（ SW = 0
÷64/65,
SW = 1为
÷
32/33
） 。的R分频比小于8是禁止的。
对于控制位（C）= HIGH ：
设置位预分频比（第一位）
最高位
控制位（最后一位）
最低位
S
W
R
14
R
13
R
12
R
11
R
10
R
9
R
8
R
7
R
6
R
5
R
4
R
3
R
2
R
1
C
设置位可编程的分频比
参考计数器（ R计数器）
作者可编程参考（R ）计数器的分频比
DIVIDE
比r
8
9
16383
R
14
0
0
1
R
13
0
0
1
R
12
0
0
1
R
11
0
0
1
R
10
0
0
1
R
9
0
0
1
R
8
0
0
1
R
7
0
0
1
R
6
0
0
1
R
5
0
0
1
R
4
1
1
1
R
3
0
0
1
R
2
0
0
1
R
1
0
1
1
预分频器选择位
预分频比P
64/65
32/33
SW
0
1
4
摩托罗拉RF / IF设备数据
MC12210
可编程分频器
该可编程分频器19位串行数据格式如下所示。如果控制位为低电平时，数据从18位传送
移位寄存器的18位锁存器用于指定吞计数器分频比（ 0 127 ）和可编程的N-计数器
分频比（ 16 2047 ） 。一个N计数器的分频比小于16是禁止的。
对于控制位（C ） =低：
最高位（第一位）
控制位（最后一位）
最低位
N
18
N
17
N
16
N
15
N
14
N
13
N
12
N
11
N
10
N
9
N
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
C
设置位
的分频比
可编程的N-计数器
设置位
的分频比
吞计数器
可编程的N-计数器的分频比
DIVIDE
比n
16
17
2047
N
18
0
0
1
N
17
0
0
1
N
16
0
0
1
N
15
0
0
1
N
14
0
0
1
N
13
0
0
1
N
12
1
1
1
N
11
0
0
1
N
10
0
0
1
N
9
0
0
1
N
8
0
1
1
吞计数器的分频比
DIVIDE
比A
0
1
127
A
7
0
0
1
A
6
0
0
1
A
5
0
0
1
A
4
0
0
1
A
3
0
0
1
A
2
0
0
1
A
1
0
1
1
分频比设定
FVCO = [ （P N） + A] FOSC
÷
R 2与A<N
为fvco ：外部电压控制振荡器的输出频率（ VCO）的
N:
二进制11位可编程计数器预置分频比（ 16 2047）
A:
二进制7位吞计数器预置分频比（ 0 127 ， A<N ）
FOSC ：外部振荡器的输出频率
R:
二进制14位可编程参考计数器的预置分频比（ 8 16383 ）
P:
的双模预分频器预置模式（ 32或64 ）
图2：串行数据输入时序
数据
N18 ： MSB
（南方周末： MSB ）
CLK
N17
(R14)
N8
(R7)
A7
(R6)
A1
(R1)
C =控制位（最后一位）
（ C =控制位（最后一位） ）
LE
TS （C → LE ）
TS （ D）
日（ D）
TCW
TEW
注：括号内所示的可编程参考分频器的数据。数据移入寄存器在上升沿CLK的边缘。
TS （D）=设置时间数据CLK
TS （ D）
≥
10纳秒
日（D ） =数据保持时间为CLK
日（ D）
≥
20纳秒
TCW = CLK脉冲宽度
TCW
≥
30纳秒
TEW = LE脉冲宽度
TEW
≥
20纳秒
TS （C → LE ）=建立时间CLK到LE
TS （C → LE ）
≥
30纳秒
摩托罗拉RF / IF设备数据
5
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