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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2521页 > MC10EP56DTR2
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
描述
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
20
MC100EP56
AWLYYWWG
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
无铅包可用
TSSOP20
DT后缀
CASE 948R
XXXX
EP56
ALYWG
G
20
1
XXXX
EP56
ALYWG
G
QFN20
MN后缀
CASE 485E
xxxx
D
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G,
G
= MC10或100
=日期代码
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启示录14
1
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
表1.引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0a*
D1a*
D0a*
D1a*
D0b*
D1b*
D0b*
D1b*
SEL0*
SEL1*
COM_SEL *
V
BB0
, V
BB1
Q0
Q1
Q0
Q1
V
CC
V
EE
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
裸露焊盘
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
1
D0a
2
D0a
4
V
BBO
D0b
3
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
D1A D1a而
10
D1b
EP
*当悬空引脚默认为低电平。
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
表2.真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
裸露焊盘
D0a
20
D0A V
CC
19
18
Q0
17
Q0
16
V
BB0
D0b
D0b
D1a
D1a
1
2
3
4
5
MC10/100EP56
15
14
13
12
11
SEL0
COM_SEL
SEL1
V
CC
Q1
6
注意：
7
8
9
10
V
BB1
D1B D1b在V
EE
Q1
裸露焊盘（ EP ）的封装底部必须连接到一个散热导管。
裸露焊盘只可电连接到V
EE
.
图1. QFN- 20引脚
（ TOP VIEW ）
http://onsemi.com
2
MC10EP56 ， MC100EP56
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
不适用
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
PB-自由PK
LEVEL 3
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC
TSSOP
QFN
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
QFN20
QFN20
QFN20
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
140
100
23 41
90
60
33至35
47
33
18
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
3
MC10EP56 ， MC100EP56
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
150
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
150
150
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
150
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
150
150
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP56 ， MC100EP56
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
150
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
I
IH
I
IL
150
150
150
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
150
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
150
150
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
http://onsemi.com
2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
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记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
MC10EP56 ， MC100EP56
3.3V / 5V ECL双
差分2 ： 1多路复用器
在MC10 / 100EP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该
差分数据通道，使该器件非常适用于多路低
时钟歪斜或歪斜等敏感信号。多V
BB
引脚
提供的。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
该器件具有两个独立的共同选择输入到
解决这两个数据路径和随机逻辑的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
20
20
1
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
xxxx
EP56
ALYW
1
20
20
1
SO20
DW后缀
CASE 751D
xxx
A
L， WL
Y, YY
W, WW
=
=
=
=
=
1
MC100EP56
AWLYYWW
360 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
单独和共同选择
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
输出
MC10或100
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP56DT
MC10EP56DTR2
MC100EP56DT
MC100EP56DTR2
MC100EP56DW
MC100EP56DWR2
包
TSSOP20
航运
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
TSSOP20
75单位/铁
TSSOP- 20 2500磁带&卷轴
SO20
SO20
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年1月 - 12牧师
出版订单号：
MC10EP56/D
MC10EP56 ， MC100EP56
COM_SEL
引脚说明
针
SEL1
15
V
CC
14
Q1
13
Q1
12
V
EE
11
D0A * - D1a而*
D0A * - D1a而*
D0B * - D1b在*
D0B * - D1b在*
SEL0 * - * SEL1
COM_SEL *
功能
ECL输入数据
ECL输入数据的反转
ECL输入数据B
ECL输入数据B反转
ECL逐张。选择输入
ECL通用选择输入
输出参考电压
ECL输出真
ECL输出倒置
正电源
负电源
V
CC
20
Q0
19
Q0
18
SEL0
17
16
1
0
1
0
V
BB0
, V
BB1
Q0 Q1
Q0 Q1
V
CC
V
EE
1
D0a
2
D0a
3
4
5
D0b
6
7
8
V
BB1
9
D1b
V
BBO
D0b
D1A D1a而
10
D1b
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
SEL0
X
L
L
H
H
SEL1
X
L
H
H
L
COM_SEL
H
L
L
L
L
Q0,
Q0
a
b
b
a
a
Q1,
Q1
a
b
a
a
b
警告：所有V
CC
和V
EE
引脚必须外接
在电力供应，以保证正常运行。
图1. 20引脚封装
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
不适用
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
140设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP56 ， MC100EP56
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 TSSOP
20 TSSOP
20 TSSOP
20 SOIC
20 SOIC
20 SOIC
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
140
100
23 41
90
60
33至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
61
2290
1490
最大
75
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
50
2230
1430
2155
1460
1855
2.0
1955
25°C
典型值
63
2355
1555
最大
75
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
55
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
65
2415
1615
最大
78
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP56 ， MC100EP56
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
61
3990
3190
最大
75
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
50
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
63
4055
3255
最大
75
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
55
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
65
4115
3315
最大
78
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
61
1010
1810
最大
75
885
1685
885
1610
1310
0.0
150
0.5
民
50
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
63
945
1745
最大
75
820
1620
820
1545
1245
0.0
150
0.5
民
55
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
65
885
1685
最大
78
760
1560
760
1485
1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP56 ， MC100EP56
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
61
2280
1480
最大
75
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
50
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
63
2280
1480
最大
77
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
55
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
66
2280
1480
最大
80
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
61
3980
3180
最大
75
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
50
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
63
3980
3180
最大
77
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.50
民
55
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
66
3980
3180
最大
80
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
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