MC10EP33 ， MC100EP33
3.3V / 5V ECL
B4
分频器
描述
在MC10 / 100EP33是一个综合
B4
分频器。微分
时钟输入。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
复位引脚是异步的，并且断言在上升沿。
通电后，内部触发器将获得一个随机的状态;该
复位允许对多个EP33的一个系统中的同步。
100系列包含温度补偿。
特点
http://onsemi.com
记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
HEP33
ALYW
G
8
KEP33
ALYW
G
8
1
320 ps的传播延迟
最大频率> 4 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP33
ALYWG
G
8
KP33
ALYWG
G
1
1
5Q MG
G
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
产量
无铅包可用
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5Q
3L
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
1
4
1
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
9牧师
1
出版订单号：
MC10EP33/D
3L MG
G
4
MC10EP33 ， MC100EP33
表1.引脚说明
针
RESET
1
R
CLK
2
B4
CLK
3
6
Q
7
Q
8
V
CC
* CLK ， CLK *
复位*
V
BB
Q, Q
V
CC
V
EE
EP
功能
ECL时钟输入
ECL异步复位
参考电压输出
ECL输出数据
正电源
负电源
裸露焊盘必须被连接到一
足够的热导管。电
连接至负电源或
悬空开放。
V
BB
4
5
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表2.真值表
CLK
X
Z
CLK
X
Z
RESET
Z
L
Q
L
F
Q
H
F
Z =低到高的转变
Z =由高到低的转变
F =除以4的功能
CLK
t
RR
RESET
Q
图2.时序图
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
NA
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
UL- 94 V-0 @ 0.125在
91设备
http://onsemi.com
2
MC10EP33 ， MC100EP33
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
与2至3秒@ 248 ℃下
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
DFN8
DFN8
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
26
2290
1490
最大
40
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
18
2230
1430
2155
1430
1855
2.0
1955
25°C
典型值
26
2355
1555
最大
40
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
18
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
26
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP33 ， MC100EP33
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置） （注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
26
3990
3190
最大
40
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
18
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
26
4055
3255
最大
40
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
18
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
26
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
VOH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
1135
1935
1210
1935
1510
1410
典型值
26
1010
1810
最大
40
885
1685
885
1610
1310
0.0
民
18
1070
1870
1145
1870
1445
1345
25°C
典型值
26
945
1745
最大
40
820
1620
820
1545
1245
0.0
民
18
1010
1810
1085
1810
1385
1285
85°C
典型值
26
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
1185
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP33 ， MC100EP33
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
26
2280
1480
最大
40
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
23
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
26
2280
1480
最大
45
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
民
23
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
26
2280
1480
最大
45
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表9. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注14 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注15 ）
输出低电压（注15 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注16 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
26
3980
3180
最大
40
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
民
23
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
26
3980
3180
最大
45
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
民
23
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
26
3980
3180
最大
45
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
0.5
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
14.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
15.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
16. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
MC10EP33 ， MC100EP33
3.3V / 5V ECL
B4
分频器
在MC10 / 100EP33是一个综合
B4
分频器。微分
时钟输入。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
复位引脚是异步的，并且断言在上升沿。
在上电时，内部触发器将达到一个随机状态;该
复位允许对多个EP33的一个系统中的同步。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP33
ALYW
1
1
8
KEP33
ALYW
320 ps的传播延迟
最大频率> 4 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP33
ALYW
1
8
KP33
ALYW
1
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
产量
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP33D
MC10EP33DR2
MC100EP33D
MC100EP33DR2
MC10EP33DT
MC10EP33DTR2
MC100EP33DT
包
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
MC100EP33DTR2 TSSOP - 8
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年9月 - 修订版5
出版订单号：
MC10EP33/D
MC10EP33 ， MC100EP33
引脚说明
针
RESET
1
R
CLK
2
B4
CLK
3
6
Q
7
Q
8
V
CC
* CLK ， CLK *
复位*
V
BB
Q, Q
V
CC
V
EE
功能
ECL时钟输入
ECL异步复位
参考电压输出
ECL输出数据
正电源
负电源
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
V
BB
4
5
V
EE
CLK
X
Z
CLK
X
Z
RESET
Z
L
Q
L
F
Q
H
F
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
Z =低到高的转变
Z =由高到低的转变
F =除以4的功能
CLK
t
RR
RESET
Q
图2.时序图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
NA
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL- 94 V-0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
http://onsemi.com
2
MC10EP33 ， MC100EP33
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
26
2290
1490
最大
34
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
18
2230
1430
2155
1430
1855
2.0
1955
25°C
典型值
26
2355
1555
最大
34
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
18
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
26
2415
1615
最大
34
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP33 ， MC100EP33
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
26
3990
3190
最大
34
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
18
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
26
4055
3255
最大
34
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
18
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
26
4115
3315
最大
34
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
–1135
–1935
–1210
–1935
–1510
–1410
典型值
26
–1010
–1810
最大
34
–885
–1685
–885
–1610
–1310
0.0
150
0.5
民
18
–1070
–1870
–1145
–1870
–1445
–1345
25°C
典型值
26
–945
–1745
最大
34
–820
–1620
–820
–1545
–1245
0.0
150
0.5
民
18
–1010
–1810
–1085
–1810
–1385
–1285
85°C
典型值
26
–885
–1685
最大
34
–760
–1560
–760
–1485
–1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP33 ， MC100EP33
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
23
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
28
2280
1480
最大
33
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
24
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
25
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
31
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
23
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
28
3980
3180
最大
33
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
24
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
25
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
31
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP33 ， MC100EP33
3.3V / 5V ECL
B4
分频器
在MC10 / 100EP33是一个综合
B4
分频器。微分
时钟输入。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
复位引脚是异步的，并且断言在上升沿。
在上电时，内部触发器将达到一个随机状态;该
复位允许对多个EP33的一个系统中的同步。
100系列包含温度补偿。
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标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP33
ALYW
1
1
8
KEP33
ALYW
320 ps的传播延迟
最大频率> 4 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP33
ALYW
1
8
KP33
ALYW
1
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
V
BB
产量
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP33D
MC10EP33DR2
MC100EP33D
MC100EP33DR2
MC10EP33DT
MC10EP33DTR2
MC100EP33DT
包
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
MC100EP33DTR2 TSSOP - 8
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年9月 - 修订版5
出版订单号：
MC10EP33/D
MC10EP33 ， MC100EP33
引脚说明
针
RESET
1
R
CLK
2
B4
CLK
3
6
Q
7
Q
8
V
CC
* CLK ， CLK *
复位*
V
BB
Q, Q
V
CC
V
EE
功能
ECL时钟输入
ECL异步复位
参考电压输出
ECL输出数据
正电源
负电源
*当悬空引脚默认为低电平。
真值表
V
BB
4
5
V
EE
CLK
X
Z
CLK
X
Z
RESET
Z
L
Q
L
F
Q
H
F
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
Z =低到高的转变
Z =由高到低的转变
F =除以4的功能
CLK
t
RR
RESET
Q
图2.时序图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
NA
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL- 94 V-0 @ 0.125在
91设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP33 ， MC100EP33
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分）（注5）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
2165
1365
2090
1365
1790
2.0
1890
典型值
26
2290
1490
最大
34
2415
1615
2415
1690
1990
3.3
150
0.5
民
18
2230
1430
2155
1430
1855
2.0
1955
25°C
典型值
26
2355
1555
最大
34
2480
1680
2480
1755
2055
3.3
150
0.5
民
18
2290
1490
2215
1490
1915
2.0
2015
85°C
典型值
26
2415
1615
最大
34
2540
1740
2540
1815
2115
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP33 ， MC100EP33
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注8 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
3865
3065
3790
3065
3490
2.0
3590
典型值
26
3990
3190
最大
34
4115
3315
4115
3390
3690
5.0
150
0.5
民
18
3930
3130
3855
3130
3555
2.0
3655
25°C
典型值
26
4055
3255
最大
34
4180
3380
4180
3455
3755
5.0
150
0.5
民
18
3990
3190
3915
3190
3615
2.0
3715
85°C
典型值
26
4115
3315
最大
34
4240
3440
4240
3515
3815
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
18
–1135
–1935
–1210
–1935
–1510
–1410
典型值
26
–1010
–1810
最大
34
–885
–1685
–885
–1610
–1310
0.0
150
0.5
民
18
–1070
–1870
–1145
–1870
–1445
–1345
25°C
典型值
26
–945
–1745
最大
34
–820
–1620
–820
–1545
–1245
0.0
150
0.5
民
18
–1010
–1810
–1085
–1810
–1385
–1285
85°C
典型值
26
–885
–1685
最大
34
–760
–1560
–760
–1485
–1185
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+2.0
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP33 ， MC100EP33
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
23
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
典型值
28
2280
1480
最大
33
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
24
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
0.5
民
25
2155
1355
2075
1355
1775
2.0
1875
85°C
典型值
31
2280
1480
最大
37
2405
1605
2420
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出电压参考值
输入高电压共模
范围（差分） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
0.5
民
23
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
典型值
28
3980
3180
最大
33
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
24
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
0.5
民
25
3855
3055
3775
3055
3475
2.0
3575
85°C
典型值
31
3980
3180
最大
37
4105
3305
4120
3375
3675
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注： EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
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