添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第934页 > MC10EP08D
ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
http://onsemi.com
2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
http://onsemi.com
3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
http://onsemi.com
4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
http://onsemi.com
5
MC10EP08 , MC100EP08
3.3V / 5V ECL 2输入
差XOR / XNOR
在MC10 / 100EP08是差分异或/异或非门。该EP08是
适用于需要以最快的AC性能可用的应用程序。
100系列包含温度补偿。
250 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围: V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
8
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
HEP08
ALYW
1
1
8
KEP08
ALYW
安全钳上的投入
Q输出将默认低,输入开路或在V
EE
8
1
TSSOP–8
DT后缀
CASE 948R
8
HP08
ALYW
1
8
KP08
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息,请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP08D
MC10EP08DR2
MC100EP08D
MC100EP08DR2
MC10EP08DT
MC10EP08DTR2
MC100EP08DT
SO–8
SO–8
SO–8
SO–8
TSSOP–8
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
MC100EP08DTR2 TSSOP - 8
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年4月 - 第3版
出版订单号:
MC10EP08/D
MC10EP08 , MC100EP08
D0
1
8
V
CC
引脚说明
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
D0, D1, D0, D1
Q, Q
D0
2
7
Q
V
CC
V
EE
真值表
D1
3
6
Q
D0*
L
L
H
H
D1*
L
H
L
H
D0**
H
H
L
L
D1**
H
L
H
L
Q
L
H
H
L
Q
H
L
L
H
D1
4
5
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
图1. 8引脚引脚
( TOP VIEW )
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
37.5千瓦
& GT ; 4千伏
& GT ; 200 V
& GT ; 2千伏
LEVEL 1
UL - 94码V- 0 1/8“
28至34
135
湿气敏感度,不定超时Drypack (注1 )
可燃性等级
氧指数
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息,请参见应用笔记AND8003 / D 。
最大额定值
(注2 )
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
TA
T
英镑
θ
JA
θ
JC
θ
JA
θ
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模式在UT电压
输入
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
6
–6
6
–6
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
http://onsemi.com
2
MC10EP08 , MC100EP08
10EP直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V (注3 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注4 )
输出低电压(注4 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注5 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
28
2290
1490
最大
36
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
–150
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
38
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
–150
20
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
32
2415
1615
最大
38
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
5. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V (注6 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注7 )
输出低电压(注7 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注8 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
28
3940
3190
最大
36
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
–150
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
38
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
–150
20
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
32
4115
3315
最大
38
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
8. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10EP直流特性, NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V(注9 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注10)。
输出低电压(注10 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注11 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
–1135
–1935
–1210
–1935
V
EE
+2.0
典型值
28
–1010
–1810
最大
36
–885
–1685
–885
–1610
0.0
150
0.5
–150
20
–1070
–1870
–1145
–1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
–945
–1745
最大
38
–820
–1620
–820
–1545
0.0
150
0.5
–150
20
–1010
–1810
–1085
–1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
32
–885
–1685
最大
38
–760
–1560
–760
–1485
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
.
10.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
11. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP08 , MC100EP08
100EP直流特性, PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V (注12 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注13 )
输出低电压(注13 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注14 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
28
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
–150
20
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
30
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
–150
20
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
32
2280
1480
最大
40
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
14. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性, PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V (注15 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注16 )
输出低电压(注16 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注17 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
28
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
–150
20
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
30
3980
3180
最大
38
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
–150
20
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
32
3980
3180
最大
40
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
17. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
100EP直流特性, NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V(注18 )
–40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注19 )
输出低电压(注19 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输入高电压共模
范围(差分) (注20 )
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
–150
20
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
典型值
28
–1020
–1820
最大
36
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
0.5
–150
20
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
–1020
–1820
最大
38
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
0.5
–150
20
–1145
–1945
–1225
–1945
V
EE
+2.0
85°C
典型值
32
–1020
–1820
最大
40
–895
–1695
–880
–1625
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
注: EP电路设计,以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
.
19.所有装载有50欧姆到V
CC
-2.0伏。
20. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP08 , MC100EP08
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V (注21 )
–40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
抖动
V
PP
t
r
t
f
特征
最大频率
(参见图2 F
最大
/抖动)
传播延迟
差分输出
D,D为Q,Q
170
典型值
>3
最大
25°C
典型值
>3
最大
85°C
典型值
>3
最大
单位
GHz的
ps
220
0.2
150
Q, Q
70
800
120
280
<1
1200
170
150
80
180
250
0.2
800
130
300
<1
1200
180
150
100
200
270
0.2
800
150
320
<1
1200
200
ps
mV
ps
周期到周期抖动
(参见图2 F
最大
/抖动)
输入电压摆幅(差分)
输出上升/下降时间
(20% – 80%)
21.使用一个750毫伏源, 50%占空比的时钟源进行测定。所有装载有50欧姆到V
CC
–2.0 V.
900
800
V
OUTpp
(毫伏)
700
600
500
400
300
200
100
0
9
8
7
6
5
4
3
2
(抖动)
3000
4000
5000
1
6000
抖动
OUT
PS ( RMS)
0
1000
2000
频率(MHz)
图2 F
最大
/抖动
http://onsemi.com
5
查看更多MC10EP08DPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MC10EP08D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MC10EP08D
MOTOROLA
2406+
92
SOP8
十年芯路!坚持原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004330546 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MC10EP08D
20+
8090
原装进口可样品可出
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MC10EP08D
ON
1925+
9852
SOP-8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
MC10EP08D
MOT
24+
4000
SOP3.9mm
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ:962143175 复制

电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
MC10EP08D
ON/安森美
24+
32883
SOP8
公司现货,全新原厂原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MC10EP08D
onsemi
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MC10EP08D
MOTOROLA/摩托罗拉
2443+
23000
SOP8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MC10EP08D
ONS
24+
8420
SOP8
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MC10EP08D
ON SEMICONDUCTOR
25+23+
25500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MC10EP08D
ON
22+
12193
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
查询更多MC10EP08D供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!