ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
MC10EP05 ， MC100EP05
3.3V / 5V ECL 2输入
差分和/ NAND
描述
在MC10 / 100EP05是一个2输入差分与/与非门。
该装置在功能上等同于EL05和LVEL05
设备。与AC性能比LVEL05装置快得多，
该EP05是适用于需要以最快的应用
AC性能可用。
100系列包含温度补偿。
8
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标记DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
HEP05
ALYWG
G
1
8
KEP05
ALYWG
G
特点
220 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
无铅包可用
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP05
ALYWG
G
8
KP05
ALYWG
G
1
1
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5I
2X
D
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
A
L
Y
W
G
4
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 修订版8
出版订单号：
MC10EP05/D
2X DG
G
4
5I DG
G
MC10EP05 ， MC100EP05
表1.引脚说明
D
0
1
8
V
CC
Q, Q
D
0
2
7
Q
V
CC
V
EE
针
D0*, D1*, D0**, D1**
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为V
CC
/ 2当处于打开状态。
D
1
3
6
Q
表2.真值表
D0
D
1
4
5
V
EE
L
L
H
H
D1
L
H
L
H
D0
H
H
L
L
D1
H
L
H
L
Q
L
L
L
H
Q
H
H
H
L
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
逻辑
图
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
137设备
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2
MC10EP05 ， MC100EP05
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
24
2290
1490
最大
29
2415
1615
2415
1690
3.3
民
20
2230
1430
2155
1460
2.0
25°C
典型值
24
2355
1555
最大
29
2480
1680
2480
1755
3.3
民
20
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
24
2415
1615
最大
29
2540
1740
2540
1815
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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3
MC10EP05 ， MC100EP05
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
24
3990
3190
最大
29
4115
3315
4115
3390
5.0
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
24
4055
3255
最大
29
4180
3380
4180
3455
5.0
民
20
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
24
4115
3315
最大
29
4240
3440
4240
3515
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+2.0
典型值
24
1010
1810
最大
29
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
24
945
1745
最大
29
820
1620
820
1545
0.0
民
20
1010
1810
1085
1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
24
885
1685
最大
29
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP05 ， MC100EP05
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
15
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
25
2280
1480
最大
32
2405
1605
2420
1675
3.3
民
17
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
27
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
3.3
民
19
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
28
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表9. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注14 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注15 ）
输出低电压（注15 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注16 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
15
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
25
3980
3180
最大
32
4105
3305
4120
3375
5.0
民
17
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
27
3980
3180
最大
36
4105
3305
4120
3375
5.0
民
19
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
28
3980
3180
最大
38
4105
3305
4120
3375
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
14.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
15.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
16. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP05 ， MC100EP05
3.3V / 5V ECL 2输入
差分和/ NAND
在MC10 / 100EP05是一个2输入差分与/与非门。
该装置在功能上等同于EL05和LVEL05
设备。与AC性能比LVEL05装置快得多，
该EP05是适用于需要以最快的应用
AC性能可用。
100系列包含温度补偿。
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标记DIAGRAMS *
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
HEP05
ALYW
1
1
8
KEP05
ALYW
220 ps的典型传播延迟
最大频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
HP05
ALYW
1
8
KP05
ALYW
1
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
无铅包装是否可用
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
MC10EP05/D
MC10EP05 ， MC100EP05
表1.引脚说明
D
0
1
8
V
CC
针
D0*, D1*, D0**, D1**
Q, Q
D
0
2
7
Q
V
CC
V
EE
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
D
1
3
6
Q
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
表2.真值表
D0
D
1
4
5
V
EE
L
L
H
H
D1
L
H
L
H
D0
H
H
L
L
D1
H
L
H
L
Q
L
L
L
H
Q
H
H
H
L
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
137
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
MC10EP05 ， MC100EP05
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
与2至3秒@ 248 ℃下
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
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3
MC10EP05 ， MC100EP05
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
24
2290
1490
最大
29
2415
1615
2415
1690
3.3
民
20
2230
1430
2155
1460
2.0
25°C
典型值
24
2355
1555
最大
29
2480
1680
2480
1755
3.3
民
20
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
24
2415
1615
最大
29
2540
1740
2540
1815
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
24
3990
3190
最大
29
4115
3315
4115
3390
5.0
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
24
4055
3255
最大
29
4180
3380
4180
3455
5.0
民
20
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
24
4115
3315
最大
29
4240
3440
4240
3515
5.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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4
MC10EP05 ， MC100EP05
表7. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V, V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+2.0
典型值
24
1010
1810
最大
29
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
24
945
1745
最大
29
820
1620
820
1545
0.0
民
20
1010
1810
1085
1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
24
885
1685
最大
29
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
15
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
25
2280
1480
最大
32
2405
1605
2420
1675
3.3
民
17
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
27
2280
1480
最大
36
2405
1605
2420
1675
3.3
民
19
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
28
2280
1480
最大
38
2405
1605
2420
1675
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
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5
MC10EP05
2 ，输入差分与/非
该MC10EP05是一个2输入差分与/与非门。该
装置在功能上等同于EL05和LVEL05设备。
AC性能比LVEL05装置中， EP05快得多
适用于需要以最快的AC性能的应用
可用。
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170ps的典型传播延迟
高带宽至3 GHz典型
ECL模式： 0V VCC与VEE = -3.0V至-5.5V
PECL模式：3.0V至5.5V的VCC与VEE = 0V
内置输入电阻：下拉D上，下拉和上拉D上
Q输出将默认低，输入开路或在VEE
ESD保护： >4KV HBM ， >200V MM
新的差分输入共模范围
湿度敏感度等级1 ，不定超时Drypack的。
有关其他信息，请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级： UL - 94码V- 0 @ 1/8“ ，
氧指数28 34
晶体管数量= 137设备
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
标记图
8
HEP05
ALYW
1
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
D0 1
8
VCC
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
引脚说明
针
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
D0
2
7
Q
D0, D1, D0, D1
Q, Q
D1
3
6
Q
真值表
D1
4
5
VEE
D0
L
L
H
H
D1
L
H
L
H
D0
H
H
L
L
D1
H
L
H
L
Q
L
L
L
H
Q
H
H
H
L
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
订购信息
设备
MC10EP05D
MC10EP05DR2
包
SOIC
SOIC
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年9月 - 1.0版
出版订单号：
MC10EP05/D
MC10EP05
最大额定值*
符号
VEE
VCC
VI
VI
IOUT
TA
TSTG
θ
JA
θ
JC
TSOL
电源（ VCC = 0V）
电源（ VEE = 0V）
输入电压（ VCC = 0V ， VI不超过VEE负）
输入电压（ VEE = 0V ， VI不超过VCC更积极）
输出电流
工作温度范围
储存温度
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
焊接温度（ <2 3秒： 245℃所需）
静止的空气中
500lfpm
连续
浪涌
参数
价值
-6.0到0
6.0 0
-6.0到0
6.0 0
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
±
5%
265
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
DC特性， ECL / LVECL
（ VCC = 0V ， VEE = -5.5V至-3.0V ） （注4 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注1 ）
输出高电压
（注2 ）
输出低电压
（注2 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
民
20
–1135
–1935
–1210
–1935
VEE+2.0
典型值
24
–1060
–1810
最大
29
–885
–1685
–885
–1610
0.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
民
20
–1070
–1870
–1145
–1870
VEE+2.0
25°C
典型值
24
–945
–1745
最大
29
–820
–1620
–820
–1545
0.0
150
0.5
–150
民
20
–1010
–1810
–1085
–1810
VEE+2.0
85°C
典型值
24
–885
–1685
最大
29
–760
–1560
–760
–1485
0.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注3 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
1. VCC = 0V ， VEE = VEEmin到VEEmax ，所有其他引脚悬空。
2.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
3. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与VCC 。
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2
MC10EP05
直流特性， LVPECL
（VCC = 3.3V
±
0.3V ， VEE = 0V ）（注8 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注5 ）
输出高电压
（注6 ）
输出低电压
（注6 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
24
2240
1490
最大
29
2415
1615
2415
1690
3.3
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
民
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
24
2355
1555
最大
29
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
–150
民
20
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
24
2415
1615
最大
29
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围（注7 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
5. VCC = 3.3V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
6.用50欧姆的所有加载到VCC - 2.0伏。
7. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
8.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
直流特性， PECL
（VCC = 5.0V
±
0.5V ， VEE = 0V ）（注12 ）
–40°C
符号
IEE
VOH
VOL
VIH
VIL
特征
电源电流
（注9 ）
输出高电压
（注10 ）
输出低电压
（注10 ）
输入高电压
单端
输入低电压
单端
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
24
3940
3190
最大
29
4115
3315
4115
3390
5.0
150
D
D
0.5
–150
0.5
–150
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
24
4055
3255
最大
29
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
–150
民
20
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
24
4115
3315
最大
29
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
A
A
VIHCMR输入高电压共模
范围内（注11 ）
IIH
IIL
输入高电流
输入低电平电流
注： 10EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500lfpm被保持。
9. VCC = 5.0V ， VEE = 0V ，所有其他引脚悬空。
10.所有装载有50欧姆到VCC - 2.0伏。
11. VIHCMR分钟变化1： 1与VEE ，变化最大的1：1的VCC 。
12.输入和输出参数发生变化的1：1的VCC 。
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3
MC10EP05
AC特性
（ VCC = 0V ， VEE = -3.0V至-5.5V ）或（ VCC = 3.0V至5.5V ， VEE = 0V ）
–40°C
符号
FMAX
tPLH的，
的TPH1
TSKEW
tjitter
VPP
特征
最大切换
频率（注13 ）
传播延迟
差分输出
占空比歪斜（注14 ）
周期到周期抖动
输入电压摆幅（差异）。
150
100
民
典型值
3.0
160
5.0
待定
800
1200
150
220
110
最大
民
25°C
典型值
3.0
170
5.0
待定
800
1200
150
230
20
160
最大
民
85°C
典型值
3.0
220
5.0
待定
800
1200
280
20
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
mV
tr
输出上升/下降时间
Q
70
120
170
80
130
180
100
150
200
ps
tf
(20% – 80%)
13.最大频率保证唯一功能。 VOL和VOH电平，保证在DC只。
14.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
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