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ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式进行配置,这取决于
被测设备(见表1配置列表) 。
该评估板手册包含:
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表,其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂(双)电源(图2 。
评估板糊) 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中,一个分开的(双)电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质,其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件(DUT ),以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
LAY -UP细节
4层
丝印层(TOP SIDE )
0.062
$
0.007
第1层(TOP SIDE )
罗杰斯4003在0.008
第2层(地面和VEE面P1 ) 1盎司
FR-4在0.020
第3层(地面和VCC平面P2 ) 1盎司
FR-4在0.025
第4层(底部)
图2.评估板糊
电路板布局
8引脚SOIC评估板被设计成
多才多艺,适应多种不同的配置。
的输入,输出和电源引脚的评价布局
板示于图3.评价板具有至少
11可能的配置选项。表1.清单
的设备和利用该印刷电路板相关的配置
板。组件和简单的原理图的列表位于
图4通过J1 14.将SMA连接器
通过J7 , 50
W
通过R7 R1上贴片电阻和芯片
通过电容C4根据配置C1
数字。 ( C1和C2是0.01
mF
和C3和C4是0.1
MF) 。
顶视图
底部视图
图3.评估板布局
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2
ECLSOIC8EVB
表1.配置列表
ECLinPS LiteE
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL04D/MC100EL04D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL07D/MC100EL07D
MC10EL11D/MC100EL11D
MC10EL12D/MC100EL12D
MC10EL16D/MC100EL16D*
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL32D/MC100EL32D
MC10EL33D/MC100EL33D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC10EL58D/MC100EL58D
MC10EL89D/MC100EL89D
MC10ELT20D/
MC100ELT20D
MC10ELT21D/
MC100ELT21D
MC10ELT22D/
MC100ELT22D
MC100ELT23D
MC10ELT26D/
MC100ELT26D
MC10ELT28D/
MC100ELT28D
评论
参见图4
参见图5
参见图4
参见图5
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
见图14
CON组fi guration
1
2
1
2
3
3
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
11
MC100EP16FD*
MC10EP16TD/
MC100EP16TD*
MC100EP16VAD*
MC100EP16VBD*
MC100EP16VCD*
MC100EP16VSD*
MC100EP16VTD*
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP32D/MC100EP32D
MC10EP33D/MC100EP33D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
MC10EP58D/MC100EP58D
MC100EP89D
MC10EPT20D/
MC100EPT20D
MC100EPT21D*
MC100EPT22D
低电压ECLinPSE
设备
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL11D
MC100LVEL12D
MC100LVEL16D*
MC100LVEL31D
MC100LVEL32D
MC100LVEL33D
MC100LVEL51D
MC100LVEL58D
MC100LVELT22D
MC100LVELT23D
评论
参见图4
参见图4
参见图6
参见图6
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图8
见图11
见图12
CON组fi guration
1
1
3
3
2
1
4
4
1
5
8
9
NB6L11D
NB6L16D
设备
ECLinPS MAXE
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100LVEP11D
MC100LVEP16D*
低电压ECLinPS加
设备
评论
参见图6
参见图5
CON组fi guration
3
2
MC100EPT23D*
MC100EPT26D*
参见图5
参见图5
参见图5
参见图5
参见图8
参见图5
参见图5
参见图4
参见图7
参见图7
参见图4
参见图4
参见图4
参见图8
参见图6
参见图9
见图10
见图11
见图12
见图13
2
2
2
2
5
2
2
1
4
4
1
1
1
5
3
6
7
8
9
10
设备
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP11D/MC100EP11D
MC10EP16D/
MC100EP16D*
ECLinPS PLUSE
评论
参见图4
参见图4
参见图4
参见图6
参见图5
CON组fi guration
1
1
1
3
2
*请参阅附录的补充或修改,以当前
配置。
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3
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔,它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置(见表1配置列表) 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率,降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试,分裂(双)电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号(V
TT
= V
CC
- 2.0 V,在分离电源设置,V
TT
是系统接地,V
CC
是2.0伏,和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 :电源电平) 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器(上终止的更多信息在提供
AN8020 ) 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入,
R 2, R 3 ,R 4 ,R 6和R 7 ,根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板,焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大,并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后,建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计(TDR )是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
ECLSOIC8EVB
CON连接gurations
V
CC
GND
C4
0.1
mF
R1
50
W
J1
R2
50
W
J2
R3
50
W
J3
R4
50
W
J4
C1
0.01
mF
DUT
J5
C2
0.01
mF
J6
C3
0.1
mF
V
EE
GND
图4.配置1示意图
表4.配置1
销1
设备
MC10EL01D/MC100EL01D
MC10EL05D/MC100EL05D
MC10EL31D/MC100EL31D
MC10EL35D/MC100EL35D
MC10EL51D/MC100EL51D
MC10EL52D/MC100EL52D
MC100LVEL01D
MC100LVEL05D
MC100LVEL31D
MC100LVEL51D
MC10EP01D/MC100EP01D
MC10EP05D/MC100EP05D
MC10EP08D/MC100EP08D
MC10EP31D/MC100EP31D
MC10EP35D/MC100EP35D
MC10EP51D/MC100EP51D
MC10EP52D/MC100EP52D
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
No
是的
No
是的
是的
J1
R1
销2
J2
R2
3脚
J3
R3
引脚4
J4
R4
5脚
C2
C3
引脚6
J6
R6
7针
J7
R7
引脚8
C1
C4
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5
MC10EL33 , MC100EL33
5V ECL
÷4
分频器
描述
该MC10EL / 100EL33是一个综合
÷4
分频器。微分
时钟输入端和V
BB
允许差分,单端或AC耦合
接口的设备。在V
BB
销,内部产生的电压
供给,仅可用于该设备。对于单端输入条件,
未使用的差分输入端被连接到V
BB
作为切换基准
电压。 V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时,去耦
V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时,V
BB
应由开放。
复位引脚是异步的,并且断言在上升沿。上
电时,内部触发器将会达到一个随机状态;复位允许
为多个EL33的一个系统中的同步。
100系列包含温度补偿。
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HEL33
ALYW
G
1
1
8
KEL33
ALYW
G
650 ps的传播延迟
4.0 GHz的频率切换
ESD保护:人体模型; > 1千伏,
机器型号; > 100伏
PECL模式经营范围: V
CC
= 4.2 V至5.7 V与V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围: V
CC
= 0 V与V
EE
=
4.2
V到
5.7
V
内部输入下拉电阻上的CLK ( S)和R.
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
湿度敏感度等级1
有关其他信息,请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级: UL 94 V - 0 @ 0.125英寸,
氧指数:28 34
晶体管数量= 95设备
无铅包可用
8
HL33
ALYWG
G
8
KL33
ALYWG
G
1
1
4V M
G
G
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H = MC10
K = MC100
4V = MC10
2K = MC100
A =大会地点
L
Y
W
M
G
4
1
RESET
CLK
CLK
1
2
3
R
÷4
8
7
6
V
CC
Q
Q
=晶圆地段
=年
=工作周
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
V
BB
4
5
V
EE
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
图1.逻辑图和引脚分配
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
9牧师
1
出版订单号:
MC10EL33/D
2K M
G
G
4
MC10EL33 , MC100EL33
表1.引脚说明
CLK , CLK
RESET
Q, Q
V
BB
V
CC
V
EE
EP
功能
ECL时钟输入*
ECL Asynch复位*
ECL输出数据
参考电压输出
正电源
负电源
裸露焊盘必须被连接到一个足够的热
导管。电连接至所述负电源或
悬空开放。
*当悬空引脚默认为低电平。
表2.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
热阻(结到环境)
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I

V
CC
V
I

V
EE
条件2
等级
8
8
6
6
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
±
5%
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会
影响器件的可靠性。
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2
MC10EL33 , MC100EL33
表3. 10EL系列PECL DC特性
V
CC
= 5.0 V; V
EE
= 0.0 V(注1 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注2 )
输出低电压(注2 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分结构) (注3)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
3920
3050
3770
3050
3.57
2.5
典型值
27
4010
3200
最大
33
4110
3350
4110
3500
3.7
4.6
150
0.5
4020
3050
3870
3050
3.65
2.5
25°C
典型值
27
4105
3210
最大
33
4190
3370
4190
3520
3.75
4.6
150
0.3
4090
3050
3940
3050
3.69
2.5
85°C
典型值
27
4185
3227
最大
33
4280
3405
4280
3555
3.81
4.6
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
1.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.25 V /
0.5
V.
2.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
3. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于差动输入的最正侧
信号。如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
表4. 10EL系列NECL直流特性
V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
5.0
V(注4 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注5 )
输出低电压(注5 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分配置) (注6 )
输入高电流
输入低电平电流
0.5
1080
1950
1230
1950
1.43
2.5
典型值
27
990
1800
最大
33
890
1650
890
1500
1.30
0.4
150
0.5
980
1950
1130
1950
1.35
2.5
25°C
典型值
27
895
1790
最大
33
810
1630
810
1480
1.25
0.4
150
0.3
910
1950
1060
1950
1.31
2.5
85°C
典型值
27
815
1773
最大
33
720
1595
720
1445
1.19
0.4
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
4.输入和输出参数发生变化1 : 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.25 V /
0.5
V.
5.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
6. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于差动输入的最正侧
信号。如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
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3
MC10EL33 , MC100EL33
表5. 100EL系列PECL DC特性
V
CC
= 5.0 V; V
EE
= 0.0 V(注7 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输出高电压(注8)
输出低电压(注8)
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分结构) (注9)
输入高电流
输入低电平电流
0.5
3915
3170
3835
3190
3.62
2.5
典型值
27
3995
3305
最大
33
4120
3445
4120
3525
3.74
4.6
150
0.5
3975
3190
3835
3190
3.62
2.5
25°C
典型值
27
4045
3295
最大
33
4120
3380
4120
3525
3.74
4.6
150
0.5
3975
3190
3835
3190
3.62
2.5
85°C
典型值
31
4050
3295
最大
37
4120
3380
4120
3525
3.74
4.6
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
V
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
7.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.8 V /
0.5
V.
8.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
9. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于差动输入的最正侧
信号。如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
表6. 100EL系列NECL直流特性
V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
5.0
V(注10 )
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压(注11 )
输出低电压(注11 )
输入高电压(单端)
输入低电压(单端)
输出电压参考值
输入高电压共模
范围(差分配置)
(注12 )
输入高电流
1085
1830
1165
1810
1.38
2.5
典型值
27
1005
1695
最大
33
880
1555
880
1475
1.26
0.4
1025
1810
1165
1810
1.38
2.5
25°C
典型值
27
955
1705
最大
33
880
1620
880
1475
1.26
0.4
1025
1810
1165
1810
1.38
2.5
85°C
典型值
31
955
1705
最大
37
880
1620
880
1475
1.26
0.4
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
V
I
IH
150
150
150
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
10.输入和输出参数的变化1: 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.8 V /
0.5
V.
11.输出通过一个50终止
W
电阻TO V
CC
2.0 V.
12. V
IHCMR
分变化1: 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 : 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于差动输入的最正侧
信号。如果高电平落在指定的范围内的峰 - 峰电压位于V之间获得正常操作
PP
分和1 V.
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4
MC10EL33 , MC100EL33
表7. AC特性
V
CC
= 5.0 V; V
EE
= 0.0 V或V
CC
= 0.0 V; V
EE
=
5.0
V(注13 )
40°C
符号
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
RR
V
PP
t
抖动
t
r
t
f
特征
最大切换频率
传播延迟
CLK到Q
重置为Q
3.4
560
400
400
150
1.0
100
225
350
100
典型值
4.2
670
540
200
1000
860
700
最大
3.8
610
460
400
150
1.0
225
350
100
25°C
典型值
4.2
700
550
200
1000
810
660
最大
3.8
640
570
400
150
1.0
225
350
85°C
典型值
4.2
740
480
200
1000
840
670
最大
单位
GHz的
ps
ps
mV
ps
ps
置位/复位恢复
输入摆幅(注14 )
周期到周期抖动
输出上升/下降时间Q
(20%
80%)
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
13. 10系列: V
EE
可以改变+0.25 V /
0.5
V.
100系列: V
EE
可以改变+0.8 V /
0.5
V.
14. V
PP
(分钟)为最小输入摆幅其中AC参数保证。该装置具有一个直流增益
≈40.
CLK
t
RR
RESET
Q
图2.时序图
Q
司机
设备
Q
Z
o
= 50
W
D
接收器
设备
Z
o
= 50
W
50
W
50
W
D
V
TT
V
TT
= V
CC
2.0 V
图3.典型的终端的输出驱动器和设备评估
(参见应用笔记AND8020 / D
终止ECL逻辑器件)。
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
÷
4
分频器
MC10EL33
MC100EL33
该MC10EL / 100EL33是一个综合
÷4
分频器。微分
时钟输入和VBB允许差分,单端或AC耦合
接口的设备。如果所使用的, VBB输出应该被旁路到
地面用一个0.01μF的电容。还要注意的是VBB被设计成
用作在EL33的输入偏压止, VBB输出具有有限的电流
库和源能力。
复位引脚是异步的,并且断言在上升沿。
在上电时,内部触发器将达到一个随机状态;复位
允许对多个EL33的一个系统中的同步。
650ps的传输延迟
4.0GHz的频率切换
高带宽输出转换
75KΩ内部输入下拉电阻
>1000V ESD保护
8
1
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
逻辑框图和引脚转让
RESET
1
R
8
VCC
CLK
2
÷4
7
Q
引脚说明
CLK
3
6
Q
功能
时钟输入
Asynch复位
参考电压输出
数据OUPUTS
VBB
4
5
VEE
CLK
RESET
VBB
Q
5/95
摩托罗拉公司1996年
3–1
REV 3
MC10EL33 MC100EL33
DC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
IEE
VEE
VBB
IIH
特征
电源
当前
电源
电压
10EL
100EL
10EL
100EL
–1.43
–1.38
典型值
27
27
–5.2
–4.5
–1.30
–1.26
150
最大
33
33
–4.75
–4.20
–1.38
–1.38
0°C
典型值
27
27
–5.2
–4.5
最大
33
33
–5.5
–5.5
–1.27
–1.26
150
–4.75
–4.20
–1.35
–1.38
25°C
典型值
27
27
–5.2
–4.5
最大
33
33
–5.5
–5.5
–4.75
–4.20
85°C
典型值
27
31
–5.2
–4.5
最大
33
37
–5.5
–5.5
–1.19
–1.26
150
单位
mA
V
V
A
输出参考10EL
电压
100EL
输入高电流
–1.25 –1.31
–1.26 –1.38
150
AC特性
( VEE = VEE (分钟)至VEE (最大值) ; VCC = GND)的
–40°C
符号
FMAX
TPLH
的TPH1
VPP
特征
最大切换
频率
传播延迟
CLK到Q
重置为Q
最小输入摆幅
1
3.4
典型值
4.2
最大
3.8
0°C
典型值
4.2
最大
3.8
25°C
典型值
4.2
最大
3.8
85°C
典型值
4.2
最大
单位
GHz的
490
310
150
630
460
770
610
540
360
150
630
460
720
560
550
360
150
640
460
730
560
590
380
150
670
480
760
580
ps
mV
tr
输出上升/下降时间Q
100
225
350
100
tf
(20% – 80%)
1.最小输入摆幅为其AC参数的保证。
225
350
100
225
350
100
225
350
ps
CLK
RESET
Q
图1.时序图
摩托罗拉
3–2
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
MC10EL33 MC100EL33
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751-05
ISSUE P
–A–
B
M
8
5
X 45
_
J
1
4
4X
–B–
M
_
G
F
注意事项:
1.尺寸A和B是基准,T为
基准面。
2.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
3.尺寸为毫米。
4.尺寸A和B不包括塑模
前伸。
5.最大模具PROTRUSION 0.15每边。
6.尺寸D不包括模型
前伸。允许的dambar
突出应该0.127总数过量
THE D尺寸为最大材料的
条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.18
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
P
0.25 (0.010)
M
–T–
8X
C
座位
飞机
D
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
A
S
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其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
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其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
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机会/肯定行动雇主。
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M传真:
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互联网:
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R
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC , 6F西武Butsuryu中心,
3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
ECLinPS和ECLinPS精简版
DL140 - 牧师3
3–3
*MC10EL33/D*
MC10EL33/D
摩托罗拉
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    MC10EL33D
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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