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MC10E1651
5V , -5V双ECL输出
比较器锁存
该MC10E1651采用安森美半导体的制造
先进的马赛克III过程。该MC10E1651采用了
输入滞后的固定电平,以及带10输出的兼容性
KH逻辑器件。此外,锁存器是可用的,允许一个样品
和要执行的保持功能。该器件是一个既可以
16引脚DIP和20引脚表面贴装封装。
锁存使能( LEN
a
和LEN
b
)输入引脚的标准操作
ECL 10 KH逻辑电平。当闩锁使处于逻辑高电平时,
该MC10E1651充当比较器;因此,Q将处于逻辑高
如果水平V1 > V2 ( V1是更积极的比V2 ) 。 Q是补
Q.当锁存使能输入的进入低逻辑电平,输出
被锁在自己目前的状态提供锁存使能设置,
保持时间约束得到满足。
特点
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记号
图表
16
MC10E1651L
AWLYYWW
1
CDIP16
L结尾
CASE 620A
1 20
典型3.0分贝带宽> 1.0 GHz的
典型的V至775 ps的Q传播延迟
350 ps的典型输出上升/下降
共模范围
2.0
V到+3.0 V
个人锁存使能
差分输出
28 mV输入滞后
经营模式: V
CC
= 5.0 V, V
EE
=
5.2
5V,GND = 0 V
无内部输入下拉电阻
ESD保护: > 2 kV的人体模型,
> 100伏机型号
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
湿度敏感度等级1
有关其他信息,请参见应用笔记AND8003 / D
可燃性等级: UL 94 V - 0 @ 0.125英寸,
氧指数:28 34
晶体管数量= 85设备
无铅包可用*
20 1
PLCC20
FN后缀
CASE 775
A
WL
YY
WW
G
MC10E
1651FNG
AWLYYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年11月
启8
1
出版订单号:
MC10E1651/D
MC10E1651
QB LEN
b
18
Qb
GND
NC
GND
Qa
19
20
1
2
3
4
5
6
7
8
20引脚PLCC
( TOP VIEW )
17
NC V1B V2B
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
NC
NC
V
EE
V
CC
GND的Qa的Qa LEN
a
V2A V1A V
CC
V
EE
1
GND
QB QB LEN
b
V1B V2B V
CC
NC
16
15
14
13
12
11
10
9
16引脚陶瓷DIP
( TOP VIEW )
2
3
4
5
6
7
8
QA LEN
a
NC V2A V1A
*所有V
CC
和V
CCO
销在模具上未连接在一起。
警告:所有V
CC
,GND和V
EE
引脚必须在外部
连接到电源,以保证正常运行。
图1.逻辑图和引脚分配
V1a
V2a
LEN
a
Qa
Qa
V1b
V2b
LEN
b
V
EE
=
5.2
V
V
CC
= +5.0 V
Qb
Qb
图2.逻辑图
表1.引脚说明
QA ,QA
QB , QB
LENA , LENB
V1A , V1B
V2A , V2B
V
CC
V
EE
NC
GND
功能
ECL差分输出(一)
ECL差分输出(二)
ECL锁存使能
输入比较器1
输入比较器2
正电源
负电源
无连接
表2.功能表
LEN
H
H
L
V1, V2
V1 V2 >
V1 V2 <
X
功能
H
L
LATCHED
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2
MC10E1651
表3.最大额定值
符号
V
SUP
V
PP
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
V
EE
T
SOL
参数
总电源电压
差分输入电压
输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻(结到环境)
热阻(结到外壳)
工作范围
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
GND = 0 V
v
3秒@ 248℃
v
3秒@ 260℃
28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
连续
浪涌
条件1
|V
EE
| + |V
CC
|
|V1
V2|
条件2
等级
12.0
3.7
V
EE
v
V
I
v
V
CC
50
100
0至+85
65
+150
63.5
43.5
22至26
4.2
to
5.7
265
265
单位
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
V
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表4.直流特性
V
CC
= +5.0 V
±5%;
V
EE
=
5.2
V
±5%,
V
CC
= 0 V (注1 )
0°C
符号
V
OH
V
OL
V
IL
V
IH
II
I
IH
I
CC
I
EE
VCMR
HYS
V
SKEW
C
in
特征
输出高电压(注1 )
输出低电压(注1 )
输入低电压( LEN ) (注1 )
输入高电压( LEN ) (注1 )
输入电流( V1,V2)
输入大电流( LEN )
正电源电流
负电源电流
共模范围(注2 )
迟滞
滞后偏移(注3 )
输入电容
DIP
PLCC
3
2
3
2
3
2
2.0
27
1.0
1020
1950
1.95
1.17
典型值
最大
840
1630
1.48
0.84
65
150
50
55
3.0
2.0
27
1.0
980
1950
1.95
1.13
25°C
典型值
最大
810
1630
1.48
0.81
65
150
50
55
3.0
2.0
30
0
920
1950
1.95
1.07
85°C
典型值
最大
735
1600
1.45
0.735
65
150
50
55
3.0
单位
mV
mV
mV
mV
mA
mA
V
mV
mV
pF
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
1.输入V
IL
和V
IH
参数变化1 : 1与V
CC
。输出电压V
OH
和V
OL
参数变化1 : 1与GND 。
2. VCMR最小变化1 : 1与V
EE
;最大变化1 : 1与V
CC
.
3.滞后歪斜(V
SKEW
)被设置以指示滞后窗的偏移量。例如,在25℃的标称滞后值是
27毫伏和V
SKEW
值表示的滞后是从在负方向上通过1mV的参考电平偏斜。因此,
滞后窗口范围从14毫伏到低于参考电平,以13毫伏以上的参考电平。所有的滞后测量结果
使用在0 mV的基准电压来确定。
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3
MC10E1651
表5. AC特性
V
CC
= +5.0 V
±5%;
V
EE
=
5.2
V
±5%,
V
CC
= 0 V (注4 )
0°C
符号
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
s
t
h
t
pw
t
SKEW
t
抖动
T
DE
特征
最大切换频率
传播延迟到输出(注4 )
V到Q
LEN到Q
建立时间V
使能保持时间V
最小脉冲宽度LEN
在设备倾斜(注5 )
周期到周期抖动
延迟色散
( ECL电平) (注6,7)
(注6,8)
延迟色散
( TTL电平) (注9 , 10 )
(注8,9)
上升/下降时间
(20-80%)
225
325
475
225
350
100
ps
325
475
250
375
500
100
60
ps
750
550
450
50
400
15
待定
典型值
待定
900
725
300
250
1050
900
775
550
450
50
400
15
待定
最大
25°C
典型值
> 1.0
925
750
300
250
1075
900
850
650
550
100
400
15
待定
最大
85°C
典型值
待定
1025
825
350
250
1200
1000
ps
ps
ps
ps
ps
ps
最大
单位
GHz的
ps
T
DL
t
r
t
f
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.输入V
IL
和V
IH
参数变化1 : 1与V
CC
,输出电压V
OH
和V
OL
参数变化1 : 1与GND 。
5. t
SKEW
对于相同的输入条件下的特定部分比较器A和比较器B之间的传播延迟偏斜。
6.请参考图4 ,注意,该输入为850mV ECL电平的20 %和80%点之间的输入阈值范围内。延迟
从输入信号的交叉点和阈值的Q和Q输出信号的交叉点测定。
7,转换速率为0.25 V / NS输入上升沿。
8.压摆率是0.75 V / NS输入上升沿。
9.请参考图5 ,请注意,输入为2.5V的TTL电平的20 %和80%点之间的输入阈值范围内。延迟
从输入信号的交叉点和阈值的Q和Q输出信号的交叉点测定。
10.压摆率为0.3 V / NS输入上升沿。
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4
MC10E1651
应用信息
的时序图(图3 )被用于说明
该MC10E1651的比较和锁存功能。当
在LEN销信号处于逻辑高电平时,该设备是
在操作“比较模式”,并且对输入的信号
在标称传播延迟后的输出到达(叔
PHL
,
t
PLH
) 。输入信号必须置为一个时间t
s
对LEN负跳变,保持一段时间,
t
h
中, LEN过渡后。经过时间t
h
时,锁存器是
在运行“锁定模式”,从而在输入转换
不会出现在输出端。该设备继续工作
在“锁定模式” ,直至闩锁再次被断言。
此外, LEN脉冲必须满足最小脉冲
宽度(T
pw
)的要求,以实现正确的输入,输出
关系。注意,在图3中的LEN波形。
显示周围标有参考LEN信号摆动
VBB
INT
;这种波形强调的要求,即
LEN遵循典型的ECL 10KH逻辑电平,因为
VBB
INT
是内部产生的参考电平,因此是
名义上在ECL V
BB
的水平。
最后,V
OD
是输入电压的过驱动和表示
超出阈值电平的电压电平(V
THR
)到
输入被驱动。作为一个例子,如果阈值电平是
上的所述比较器的一个输入设置为80毫伏,而输入
对互补输入信号摆幅是从零到
100 mV时,正向超速是20毫伏和
负向过载会是80毫伏。的结果
不同过载水平是该设备具有更短
传播延迟,以更大的过载,因为
阈值电平越早越过比低的情况下
过载水平。通常情况下,半导体制造商
参考阈值电压作为输入偏移电压
(VOS ),因为阈值电压的总和
外部提供参考电压和固有的设备
偏移电压。
VBB
INT
LEN
t
s
V
V
IN
V
THR
t
PHL
Q
t
PLH ( LEN )
V
OD
t
h
t
pw
Q
图3.输入/输出时序图
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5
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联系人:销售部
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